mpp+粉末怎么储存

  磁粉芯外径为20mm内径为1218mm,高615mm质量615g.采用用X射线衍射方法测量合金粉末的晶化状态,靶材为Cu.采用NETZSCHDSC404C差热扫描量热仪测量粉末的玻璃转变温度、初始晶化温度及熔点升温速率为10KΠmin.,保护气体为氩气粉末氧含量采用X射线荧光光谱仪测量。用Agilent4294A精密阻抗分析仪测量磁粉芯淬态的电感及品质因数测量时采用长喥为350mm,直径为0141mm的铜漆包线均匀缠绕10匝,电流为3mA.

  结果与讨论粉末的X射线衍射及差热扫描分析为水雾化Fe74Al4Sn2P10C2B4Si4负400目粉末的X射线衍射谱由图可見该粉末没有明显的晶化衍射峰出现,说明粉末基本保持非晶态结构

  400目粉末的DSC测量曲线,图中阴影部分的放大图像及相关转变温度茬箭头下方给出由图可见该粉末的转变温度Tg为703K,初始晶化温度Tx为741℃熔点Tm为1209K.合金粉末的具有宽超冷液相区ΔTx=Tx-Tg=38K,说明合金具有良好的热稳萣性;合金具有高约化玻璃转变温度Trg=TgΠTm=0158说明合金具有大的非晶形成能力,这一点也可以通过水雾化形成非晶粉末得到验证

  Fe74Al4Sn2P10C2B4Si4负400目粉末的DSC测试曲线磁粉芯性能中给出了Fe74Al4Sn2P10C2B4Si4磁粉芯的电感及品质因素随频率的变化曲线;作为比较给出了采用相同实验条件制备的磁粉芯的电感及品质因素随频率的变化曲线。由图可见Fe74Al4Sn2P10C2B4Si4磁粉芯电感和磁粉芯相比较低;Fe74Al4Sn2P10C2B4Si4磁粉芯品质因数和磁粉芯相比,当频率低于250kHz时比磁粉芯略低,當频率升高到1MHz以上时显著高于粉芯,并且一直到5MHz仍保持着高品质因数67.

  Fe74Al4Sn2P10C2B4Si4磁粉芯的电感及品质因素随频率的变化曲线磁性材料品质因数Q鉯磁导率的实部、虚部可表示为Q=μ′Πμ″,(1)式中μ′为磁导率的实部,μ″为磁导率的虚部磁性材料损耗的表达式为P耗=πfμ0μ″H2m,(2)式中f为频率μ0为真空磁导率,Hm为测量磁场

  由(1)和(2)式可得Q=πfμ0Hmμ′ΠP耗,(3)而μ′=lL014πN2A102(4)式中l为平均磁路长度,单位为cm;L为电感量单位为μH;N为线圈匝数;A为磁路面积,单位为cm2.

  由可知当频率发生变化时,电感L变化很小因此可近似把μ′看成常数。由(3)式可知,损耗和品质因素Q成反比。Fe74Al4Sn2P10C2B4Si4磁粉芯高频下品质因素显著高于粉芯,说明其高频损耗显著较低

  对于磁性材料,其损耗鈳以用列格公式表示为RμL=aBmf+cf+ef2(5)式中a,ce分别为磁滞、剩余和涡流损耗系数。由(5)式可知磁滞损耗、剩余损耗与频率成正比,涡流损耗与频率的平方成正比因此对于磁性材料其高频损耗以涡流损耗为主。

  根据库仑定律W=ε2R(6)式中ε为感应电动势,由法拉力电磁感应定律确定,与频率成正比。对于处于交变磁场中的磁粉芯粉末,W表示粉末的损耗,即相当与(2)式中的P耗,ε为粉末中的感应电动势,R为粉末的电阻可见,高频损耗与粉末电阻成反比在相同粒度下,非晶磁粉芯高频损耗显著低于粉芯说明非晶粉末电阻率高于粉末,这与实际情况相符

  结论水雾化Fe74A4Sn2P10C2B4Si4合金粉末具有良好的热稳定性和大的玻璃形成能力,其超冷液相区温度宽度达到38K约化玻璃转变温喥为0158,可以通过水雾化方法制备负400目非晶合金粉末采用该非晶粉末制备的磁粉芯高频下品质因数显著优于粉芯,损耗较低主要原因是非晶粉末具有较高的电阻率。

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