SS34反向接一个电源反向

获得过一项实用新型专利

电流大用MOS管防反接电路,内阻小

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3A是不是在加散热片的情况下?

SMA贴片的怎么加散热器

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大多数电子元器件都需要一个来洎AC电力线的输入电源反向对于电压稳压器、开关模式电源反向和其它下游电子组件来说,一个全桥或半桥二极管整流器器件对正弦AC电压波形进行整流并将其转换为一个DC电压。

使用桥式整流器配置中的四个二极管是对AC电压进行整流的最简单、也是最常规的方法在一个桥式整流器中运行一个二极管可以为全桥整流器和汽车用交流发电机提供一个简单、划算且零静态电流的解决方案。

不过虽然二极管通常對负电压具有最快的响应速度,但它们会由于正负结正向电压压降 (Vf ~0.7V) 的原因而导致较高的功率损耗这些功率损耗会引起发热,需要设计人員执行散热管理从而增加系统成本和解决方案尺寸。二极管的另外一个缺点就是较高的反向泄露电流—最高会达到大约1mA

用N沟道MOSFET替换高損耗二极管可以通过消除二极管整流器件正向压降来大幅降低功率损耗。N沟道MOSFET具有小RDSON并且它们相关的压降也是最小的。

1:MOSFET与二极管功率损耗比较

很明显在使用MOSFET时,功率损耗小到令人难以置信而设计人员也不用使用昂贵且笨重的散热片进行热管理。然而凡事皆有代價。N沟道MOSFET需要一个栅极驱动来将电流从源极传导至漏极并且需要在AC正弦波变为负值时快速关断。通过将N沟道MOSFET与4个LM74670-Q1智能二极管整流控制器組合在一起可以在在正弦波的负周期内关闭MOSFET栅极。LM74670-Q1设计用于单独驱动每一个N沟道MOSFET以便仿真一个没有正向传导损耗的理想二极管。LM74670-Q1用一個悬浮拓扑和电荷泵来实现真正的二极管替换

图1显示的是在一个全波桥式整流器设计中运行的LM74670-Q1。

1:LM74670-Q1智能二极管桥式整流器运行

在这个橋式整流器方法中每个二极管被LM74670-Q1解决方案所替代,这个解决方案包括集成电路MOSFET和一个电荷泵电容器每个解决方案独立运行,并且像二極管一样对AC输入波形做出响应LM74670-Q1用阳极和阴极引脚持续感测MOSFET上的电压,并且根据电压极性来打开和关闭MOSFET栅极在AC波形的正周期内,如图2中所示MOSFET

2:AC输入正周期内的正向传导

当AC波形变为负值时,与M1和M3相对应的LM74670-Q1在2μs的时间内对负电压做出响应并且关断两个MOSFET的栅极。在这个时間内如图3所示,M2和M4 MOSFET接通

3:AC输入负周期内的正向传导

这个应用中使用的MOSFET必须具有一个小于等于3V的栅源电压 (VGS) 阀值,以及低栅极电容另外一个重要的电气参数是MOSFET体二极管上的电压,这个值必须在低输出电流时为0.48V左右德州仪器 () 60V

图4显示的是一个针对基于LM74670-Q1、具有4个CSD18532KCS MOSFET的智能桥式整流器的示波器曲线图。这个整流器由一个12V 60Hz的AC输入电源反向供电运行在这个示例中产生一个经整流的输出。针对MOSFET M1的VGS显示的是LM74670-Q1对于流经MOSFET的囸向传导的控制方式以及如何通过关断栅极来阻断反向电压。

图5比较了LM74670-Q1智能桥式整流器(配置有4个CSD18532KCSN沟道 MOSFET)(左图)与一个常规低正向压降二极管 (Vf = 0.5V) 整流器(右图)之间的热性能两个设计都运行在高电流 (10A) 下,且没有热管理和空气流量一个二极管整流器中每个二极管的温度達到大约71°C,而LM74670-Q1整流器中的CSD18532KCS MOSFET在同样运行条件下的温度大约为31°C

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    SS34就是普通的肖特基二极管不是稳压管,符号你画错了但是电路可以正常工作,发光二极管会亮

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