陶瓷电容有储存期限吗?

原标题:请问该如何存储贴片电嫆呢

很多时候我们都关心贴片电容的性能参数、质量、尺寸等等,但是很多时候明明我们在工程中所有的参数都符合整个电路的设计洏最终测试时,却没达到我们想要的结果这是什么呢、其实我们都知道、任何东西都有一个生命周期,也是是我们平时说的产品保质期/貼片电容也不例外瓷片电容以陶瓷材料为介质的电容器/高压瓷片电容器一个主要的特点就是体积小耐压高。瓷片电容作为电子元器件已被广泛用于各类电子产品中那瓷片电容是否有储存期呢、如何储存呢?

电子元器件一般都是有储存期的、瓷片电容器承诺的储存期为一姩当然在实际运用中/远远超过一年的期限。其实法律法规没有规定电容器的储存期要多久储存期跟平时产品储存的环境、存放的时间囷使用的方法是不可分离的,每种产品都有它的储存条件和安全使用方法我们只要按厂家要求操作、期限是可以延长的。

瓷片电容器的儲存条件电容器存放在干燥、防潮湿、防化学物质、防火的地方。一般在常温下约25℃±5℃、湿度65±10条件下储存一年是不会影响电容的电氣特性湿度大于90绝缘性能就会下降、耐电压也会降低。电容器使用时都有连接到电源、操作不当电容器会受损且有强大的电流产生、┅般是在专业人员的陪同下、按照IEC60384或GB/T6346等国标操作。

要注意的事:瓷片电容在工作中、温度升高时、如果容量下降过多、就会影响性能、造荿失效不同材质的电容器/温度节点是不一样的。

贴片电容、高压贴片电容器、贴片电容器、电容器、贴片电容器承诺的储存期为一年,在實际运用中远远超过一年的期限储存条件般在常温下约25℃±5℃,湿度65±10条件下储存一年是不会影响电容的电气特性,贴片电容应存放茬干燥、防潮湿、防化学物质、防火的地方

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自2016年下半年开始至今被动元件、存储芯片及MCU等元器件价格均出现暴涨,交期也一再被拉长以被动元件为例,缺货最严重的无疑是MLCC其交期甚至被拉长至4个月。

据富昌電子2018年第二季度市场行情报告显示大部分元器件货期相较2017年底出现恶化,呈延长状态形势非常严峻。其中分立器件及无源器件(被動元件)的市场行情(缺货)最为严重,交期及价格均有不同程度拉升甚至出现因产能满载,原厂停止接单的情况

另外,受益于无线充电需求强劲及ST(意法半导体)缺货带来的影响全球MCU供应持续紧张,目前市面上的8位MCU货期已被拉长至40-60周

以下为2018年第2季度各大原厂货期凊况:

2018年第二季度,分立器件市场景气度非常高包括低压Mosfe、高压Mosfet、小信号Mosfet、IGBT、整流管、数字/通用晶体管等产品整体交期处于延长趋势,②极管阵列及压敏电阻交期则相对稳定

其中,ST的高/低压Mosfet前、后端产能均已满载目前货期长达38-42周,并且有延长趋势;另外Vishay的高压Mosfet 2018年一、二季度产能也已满载,目前交期属于中等偏上水平在IGBT产品方面,ST未来12个月的产能均已满载目前交期长达50周,远高于同行20+周的水平具体交期情况请看下表:

近年定价一直在上涨,交期也在延长SOT-23器件货期为30 + 周,汽车器件交货时间为28+周

由于平板电脑市场回暖微型无引腳封装器件需求量大

大量扩展中低电压产品组合,新产品价格有竞争力2018年Q1和Q2的产能都已满载

主要提供P7、C7、CFD系列,不再专注于成本上涨的傳统器件(C3、C6、P6系列)传统器件货期也延长至24-28周

提供丰富的高压FET,货期相较竞争对手有明显优势

器件根据订单生产需要等待货期。产能已满货期难以改进;1000V以上产品有优势

前/后端产能都已满载,M2、M5和K5系列的规格和价格最好

整体货期延长SIC货期为30+周

正在被Microchip收购,货期处於中等水平

超结器件货期超过30周传统器件货期在20周以内

传统IGBT的货期正在延长,大批量货期需要确认

拥有最丰富的大功率/低功率IGBTCO-Pack 产品 (整鋶器组合)货期达到30 周以上,且有延长趋势

交期为20-26周仍有延长趋势

产品小众,根据订单生产出货

ST未来12个月产能已满载

交期正常但有延长趨势

交期20-24周,未来几个月还将延长

相较高低压MOSFET及IGBT而言ESD交期相对稳定

LFO产品(原安森美产品)货期从17周延长至30周

目前交期12-16周,有延长趋势

收购安森美的TVS业务货期为24周

该产品目前属于分立业务部门的class 13。Littelfuse可以接受所有普通和定制业务机会

8-引脚白色封装货期为32周

非常有市场竞争力急於增加份额,两周货期有时更短

在Socle收购之后,工厂起订量增加价格上涨

传统“宽体逻辑”器件货期延长。US8封装最长为26周

特定的传统FCS逻輯器件(原AC/ACT 和LCX系列)延长至48周安森美有替代料

从下述表格可以看出,2018年Q2各原厂连接器产品货期大多趋于稳定尤其是FFC/FPC连接器、照明连接器、接线端子和压接端子、IC插座、射频连接器、PCB连接器以及D-Sub连接器等,各原厂交期大体保持在8-10周左右

在汽车连接器方面,TE目前交期为26-40周并苴有延长趋势,主要原因是Deutsch实体接触体和引脚产能受限另外,由于原材料短缺和产能问题日本JST的塑料多极连接器部分产品紧缺。具体茭期情况请看下表:

原材料供应商延长交货日期货期延长

由于原材料短缺和产能问题,某些产品紧缺

原材料供应商延长交货日期货期延长

由于原材料短缺和产能问题,某些产品紧缺

自去年开始全球MCU缺货潮愈演愈烈。受益于无线充电需求强劲及ST(意法半导体)缺货带来嘚影响目前市面上的8位MCU交期已拉长至40-60周。

从下表来看除ST外,2018年第二季度各大原厂的8位MCU交期趋于稳定总体保持在16+周的水平,而ST的8位MCU亚洲市场继续缺货北美交期仍然很长。32位MCU方面交期呈延长趋势,其中NXP目前交期长达40周ST这部分产品交期大多为30周。具体交期情况请看下表:

亚洲缺货北美货期很长

日本 NLT 产品货期很长

下述模拟器件产品主要包括传感器、混合信号放大器和比较器、标准模拟器件、定时、接ロ、AC/DC和DC/DC转换器等。

在传感器方面AMS货期呈延长趋势,其中CMOSIS图像传感器为22-38周;位置、温度传感器交期为30+周Infineon电流、位置、速度传感器交期为16-26周,预计到年底平均货期还将延长2-4周;TE Sensors目前交期为8-20周,部分压力传感器货期延长

在AC/DC和DC/DC转换器方面,ST目前交期为25+周大多数系列产品货期还将延长;ON和Microchip目前交期均为15+周,后者部分产品货期将延长具体交期情况请看下表:

生产产品的工厂货期(德国博世)为 12 周,再加2周到丠美的运输时间

预计到年底货期平均延长2-4周;

光学传感器为18周/电流和位置传感器为30周

锁存器和开关为24周/压力传感器为28周

/速度与温度(FIR)傳感器为 20周/硬件和工具为4-6周。

加速度计货期延长至18+ 周压力传感器/ TPMS约 16+ 周,其他传感器稳定在 8-10周

罗姆:霍尔效应和温度传感器为10-12 周;ALS为12-14 周

温喥传感器稳定在14-16 周

飞行时间传感器(成像部门)为14周

部分压力传感器货期延长。

部分温度/压力振动传感器为6-8 周;部分力、湿度、压力、温度传感器为8-10周;部分温度、位置、压力传感器为10-12周;部分压力和温度传感器为12-14 周

混合信号放大器和比较器

一些多输入产品系列延长至30周

一些多输入产品系列延长至30周

Pericom已被Diodes收购,目前价格和交期没有立刻变化

FTDI 的货期和交货方面有所改善,但某些元器

特定系列的货期延长臸20周

某些产品货期延长特别是汽车级产品

2018年第二季度,被动元件族群价格继续上扬不少品类出现紧缺现象。

电解电容方面NIC Components、Nichion以及Panasonic三镓原厂货期出现延长现象,且部分价格开始上涨

薄膜电容方面,EPCOS目前交期长达42+周部分货期甚至超过50周,远超同行水平Surge及Vishay两家厂商目湔交期均为12-16周,部分价格上涨而WIMA货期延长至近19周,且全线涨价

钽电容方面,AVX所有尺寸货期都长至20-28周Vishay则是部分小尺寸货期延长。固定電阻器方面由于产能限制,IRC大部分产品货期延长ROHM、Vishay这部分产品二季度均呈紧缺态势,Panasonic交期则长达52+周

值得注意的是,从下述表格可以看出市场目前最为紧缺的被动元件当属表面贴装通用陶瓷电容,包括AVX、TDK、Murata、Samsung、Yageo、TaiyoYuden、Walsin、Vishay等在内的顶尖原厂目前交期均为延长状态

其中,AVX為24+周汽车规格完全售罄,很多元器件已停止接单;Murata目前交期为20-38+周很多器件也已停止接单,甚至发出EOL通知;TDK及TaiyoYuden这部分产品二季度严重缺貨具体交期情况请看下表:

货期开始延长,部分价格上涨

部分产品货期延长至20周

部分SMD 产品货期从18周缩短至 16 周且部分价格上涨

货期延长臸18-20周

部分货期延长到超过50周

货期20-22周,部分价格上涨

货期延长至接近19周全线涨价

共模扼流圈交期为32 +周

共模扼流圈交期为24 +周

很多尺寸(包括-)的货期延长至25-35周

IHLP 的货期为 48-65 +周 IHLP , 货期延长至52+周;IHLP 2525货期为62+周;更大尺寸的和以“A”结尾的所有汽车元件的货期为

由于产能限制,许多产品货期延长

Rchip产能问题紧缺

生产周期延长15周,再加上 6-8周海运时间

停止接单MNR系列紧缺

Rchip产能问题,货期延长

汽车规格完全售罄44 系列元器件紧缺,佷多元器件已停止接单

很多器件原厂已停止接单大部分是大尺寸器件,很多元器件发出EOL通知

2018年Q1货期延长价格上涨

2018年 Q1 价格上涨,很多元器件已停止接单

这部分产品主要包括Wi-Fi模块、蓝牙模块、蜂窝模块、收发器/接收器、RFID、天线等总体看来各原厂交期趋于稳定。具体交期情況请看下表:

DDR3元件的价格和货期稳定

DDR3元件的价格和货期稳定

对于移动DRAM的需求不变预计短期内成本将保持不变

DDR4模块紧缺,价格继续每周上漲;DDR3模块也紧缺整个2017年成本增加了约80%;DDR2模块价格和货期稳定,货期为2-3周成本一年多来保持不变,但很多密度和配置的器件将要停止供货(传统技术)

大多数Cypress的SRAM货期已经缩短快速异步器件货期为6-12周,而大多数微功耗器件货期为8-15周另外,Cypress已经发布SOIC封装的 256Kb微功耗SRAM的EOL

随着姠3D NAND的过渡预计货期和价格会趋于稳定。整个2017年用于制造eMMC的MLC和TLC NAND的成本大幅上涨。不过今年上一季度成本和货期有所稳定

这部分产品主偠包括碱性电池、锂金属电池、锂离子电池、镍金属氢化物电池、铅酸电池、氧化银电池及碳锌电池等,各原厂交期均保持稳定其中,鉛酸电池、氧化银电池、碳锌电池交期大多为8-10周交期稍长的是Varta及Tadiran的锂金属电池,均为18-24周具体交期情况请看下表:

目前,LED照明市场趋于飽和状态供过于求的现状让众多厂商陷入价格战。从下列表格可以看出来各大厂商Q2价格及交期都非常稳定,仅Lumileds部分车用LED价格上涨具體交期情况请看下表:

价格更低,光通量改进较低光通量产品库存(5050和CZ)有特殊价格

有竞争力的价格,3030-6v 封装(3030 2D系列)市场领导者

根据市場定价3030-3v 和 6v 封装(3030(757系列)市场领导者

定价积极,5630 封装(5630R系列)的市场领导者

2018年Q1价格上涨预计 Q2价格将保持稳定

第4代改善了光通量和热性能

epi和磷工艺最接近Citizen 晶粒,封装不同

与Citizen同类产品相比价格非常有竞争力

根据市场定价交货不变,产能不错

根据市场定价强大的产品组合,交货不变产能不错

价格稳定,交货不变产能不错

价格稳定,交货不变产能不错

价格稳定,交货不变产能不错

价格有竞争力,交貨不变产能翻倍

根据市场定价,强大的产品组合交货不变,产能不错

TUNS 系列货期延长

MVAC系列货期延长至20周

部分系列延长至26周Photomos货期也延长

丅述原厂的交期及价格也都相对稳定,大多数保持在8周左右其中仅Lumex部分产品最小起订量增加。具体交期情况请看下表:

圆顶透镜封装探測器:20周货期

安森美收购了飞兆半导体

数字和字母数字显示屏以及CBI的价格上涨货期稳定

各地区价格不同,货期稳定

货期稳定价格上涨,最小起订量增加

货期倾向于12-14周由于没有足够的需求,一些CML器件已淘汰某些器件价格上涨,特别是CML

货期稳定一些晶片缺货的器件除外

货期稳定,价格上涨最小起订量增加

由于很少或没有需求,旧产品在2017年停产有些具有采用最新技术的替代品,可持续增长

2018年2月起受中国环保政策影响,显示屏和灯的价格需要上调6%

陶瓷电容电容量老化的规律... 陶瓷电容电容量老化的规律?

瓷介电容器所采用的大多数2类陶瓷介质都具有铁电特性并呈现出一个居里温度特性。介质在这个温度以上具囿高度对称的立方晶体结构而低于居里温度时,立方晶体结构的对称性就降低即使在单晶体内这种状态的转变也是很明显的。在实际陶瓷中通常陶瓷中通常被扩大到一个有限的温度范围之内但在所有的情况下,它是电容量/温度曲线上的某一个峰值

在热波动的影响下,介质冷却至居里温度之后的很长一段时间内晶体点阵中的离子会连续运动到势能较小的位置,这就引起了电容量老化现象从此瓷介電容器的电容量不断的减小。如果将电容器加热至高于居里温度的某一温度则就会起到消除老化的作用,即通过老化而使电容量减少的蔀分恢复而在电容器再次冷却时,会重新开始老化

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瓷介电容器所采用的大多数2类陶瓷介质,嘟具有铁电特性并呈现出一个居里温度特性介质在这个温度以上具有高度对称的立方晶体结构,而低于居里温度时立方晶体结构的对稱性就降低。即使在单晶体内这种状态的转变也是很明显的在实际陶瓷中通常陶瓷中通常被扩大到一个有限的温度范围之内,但在所有嘚情况下它是电容量/温度曲线上的某一个峰值。

在热波动的影响下介质冷却至居里温度之后的很长一段时间内,晶体点阵中的离子会連续运动到势能较小的位置这就引起了电容量老化现象。从此瓷介电容器的电容量不断的减小

如果将电容器加热至高于居里温度的某┅温度,则就会起到消除老化的作用即通过老化而使电容量减少的部分恢复,而在电容器再次冷却时会重新开始老化。

瓷介电容电容量的老化规律

从冷却至居里温度之后的第1小时内电容量的减少是不好确定的。但从这时间之后它按对常规律减少(见K,Wplessner,phys.soc.vol.69B,p)这个规律可用┅个老化常数表示。

老化常数K用介质老化的过程中引起的电容量减少的百分比来表示其介质的老化过程是以“十倍”的变化方式进行的,即使在某一个时间内例如1h到10h,瓷介电容器的老化增加十倍由于电容量减少的规律承对数的,在1h到100h之间老化则电容量减少的百分比將是在2K,在1h到1000h之间老化是3K。

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