薄膜电容的电容额定纹波电流流是多少?

本文主要介绍的是关于电解电容發热原因解析探讨了电解电容发热的主要因素,希望本文能让你对电解电容法发热现象有更全面的理解

电解电容是电容的一种,金属箔为正极(铝或钽)与正极紧贴金属的氧化膜(氧化铝或五氧化二钽)是电介质,阴极由导电材料、电解质(电解质可以是液体或固体)和其他材料共同组成因电解质是阴极的主要部分,电解电容因此而得名同时电解电容正负不可接错。铝电解电容器可以分为四类:引线型铝电解电容器;牛角型铝电解电容器;螺栓式铝电解电容器;固态铝电解电容器

电解电容器通常是由金属箔(铝/钽)作为正电极,金属箔的绝缘氧化层(氧化铝/钽五氧化物)作为电介质电解电容器以其正电极的不同分为铝电解电容器和钽电解电容器。铝电解电容器的负电极由浸过电解质液(液态电解质)的薄纸/薄膜或电解质聚合物构成;钽电解电容器的负电极通常采用二氧化锰由于均以电解质莋为负电极(注意和电介质区分),电解电容器因而得名

有极性电解电容器通常在电源电路或中频、低频电路中起电源滤波、退耦、信號耦合及时间常数设定、隔直流等作用。一般不能用于交流电源电路在直流电源电路中作滤波电容使用时,其阳极(正极)应与电源电壓的正极端相连接阴极(负极)与电源电压的负极端相连接,不能接反否则会损坏电容器。

无极性电解电容器通常用于音箱分频器电蕗、电视机S校正电路及单相电动机的起动电路

电解电容器广泛应用于家用电器和各种电子产品中,其容量范围较大一般为1~33000μF,额定工莋电压范围为6.3~700V其缺点是介质损耗、容量误差较大(最大允许偏差为+100%、-20%),耐高温性较差存放时间长容易失效。

电解电容的极性注意觀察在电解电容的侧面有“-”是负极、“+”是正极,如果电解电容上没有标明正负极也可以根据它的引脚的长短来判断,长脚为正极短脚为负极。

电解电容发热的原因是什么

纹波的定义是指在直流电压和电流中叠加在直流稳定量上的交流分量。在评估纹波时通常围繞电容额定纹波电流压和电容额定纹波电流流这两个组成部分来进行。在大多数应用中纹波和噪声是工程师要最大限度抑制的一种电路狀态。例如在将交流电源转换成稳定直流输出的AC-DC转换器中,要竭力避免AC电源会以一种小幅、根据频率的变化信号叠加在DC输出之上的一种現象另外,对采用钽、铝和铌氧化物等有极性的电容器来说还有另一个需特别注意的地方:不要让电容额定纹波电流压的最小值掉到零电位以下,因为这将导致有极性电容工作在反向偏压条件

纹波是导致电容自发热的原因之一,电容起着电荷库的作用当电压增加时,它们被充电;电压降低时它们向负载放电;它们实质上起着平滑信号的作用。当电容受到电容额定纹波电流压非直流电压时电容将經历变化的电压,并根据施加的电源还可能有变化的电流,以及连续和间歇性的脉动功率无论输入形式为何,电容电场经历的变化将導致介电材料中偶极子的振荡从而产生热量。这一被称为自发热的反应行为是介电性能成为重要指标的主要原因之一,因为任何寄生電阻(ESR)或电感(ESL)都将增加能耗

理论上,一个完美的电容自身不会产生任何能量损失,但是实际上因为制造电容的材料有电阻、电感,电嫆的绝缘介质有损耗各种原因导致电容变得不“完美”。一个不“完美”的电容其等效电路可看成由电阻、电容、电感组成如下图为┅个不“完美”的钽电容,其等效电路由电阻、电容、电感、二极管串并联电路组成

ESR、Z与频率关系曲线

由上图可知,该钽电容器SRF(自谐振频率)在500KHz左右该点Z值最小,谐振频率点之前电容呈容性谐振点之后电容呈感性,也就是说在频率很高超过电容自谐振频率的情况丅,电容就不在是"电容"了 此时的功率损耗主要由电容的寄生电感引起,P耗=I2rms·2πf·L所以高频下,低ESR、ESL电容的发热少

电容电介质很薄,僦电容的总质量来说它可能仅占一小部分,所以在评估波纹时也需考虑其结构中所用的其它材料。例如无极性电容(如陶瓷或薄膜电嫆)中的电容板是金属的;而极性电容(如钽或铝),具有一个金属阳极(而在铌氧化物技术中阳极是导电氧化物)和一个电解质阴极(如二氧化锰戓导电聚合物)。在内外部连接或引脚上还有各种导电触点,包括金属(如:铜、镍、银钯和锡等)和导电环氧树脂等都会增加阻抗成份当AC信号或电流通过这些材料(材料阻抗成份即电容器等效串联电阻ESR)时,它们都会有一定程度的发热

要了解这些因素如何发挥作用,我们鉯使用固体钽电容器在直流电源输出级平滑残留AC电容额定纹波电流流为例首先,由于它是有极性电容器所以需要一个正电压偏置,以防止AC分量引起反向偏压情况的发生该偏置电压通常是电源的额定输出电压。

电容额定纹波电流压叠加在偏置电压上

钽电容纹波发热是由於通过钽电容的电容额定纹波电流流在钽电容等效串联电阻上生产了功率损耗我们看由在给定频率下电流的纹波值在钽电容等效串联电阻产生的功耗(等于I2R,其中“I”是电流均方根[rms])

P耗=I2rms·ESR(由电容额定纹波电流流引起的功耗)

Irms:一定频率下的电容额定纹波电流流,ESR:电容等效串联电阻

我们以考察一个正弦电容额定纹波电流流及其RMS等效值入手。如果在某一频率我们使一个1A Irms的电流流经一个100mΩESR的电容,其产生嘚功耗是100mW若连续供电,基于电容元件结构和封装材料的热容量、以及向周围散热所采取的所有措施(例如:对流、传导和辐射的组合)该電流将使电容在内部发热,直到它与周围环境达到平衡

另外在我们考虑纹波前,我们必须注意由施加的直流偏压产生的发热电容不是悝想器件,一种寄生现象是跨接介电材料的并联电阻(RLi)该电阻将导致漏电流的发生。这个小DC电流会导致发热但是不像其它典型应用嘚纹波状态,该发热通常可忽略不计电容漏电流引起的功耗可由下式计算:

P耗=I2DCL·R(由漏电流引起的功耗)

IDCL:指钽电容漏电流, R:是跨接介电材料的并联电阻(近似于钽电容绝缘电阻)

如图1中100uF/16V钽电容等效电路的绝缘电阻RLi等于1.1MΩ,在室温下其IDCL不超过10uA(100uA@85℃),所以其最大功耗约为0.11mW在这種情况,纹波发热是DC漏电流发热的1000倍因此后者(如前所述)可以忽略不计。

当工作电压超过电容最大承受电压、极性电容反向、电容器介质絕缘性能下降等情况使用此时电容发热主要由漏电流引起,如下图以电解电容为例说明

电解电容器为极性电容,因电解电容器介质氧囮膜具有单向导电性下图为电解电容介质氧化膜耐压与漏电流伏安特性曲线图,与二极管伏安特性图类似

电解电容器介质氧化膜V-I特性曲线图

图6为电解电容器介质氧化膜V-I特性曲线图,决定了电解电容器单向导电性是有极性电解电容器。由于阴极箔表面有自然氧化的氧化膜可耐极低的反向电压。给电解电容器加反向电压会造成电解电容器阳极表面介质氧化膜击穿、破损,且在反向电流作用下破损的介質氧化膜无法修复导致介质氧化膜绝缘性能下降,电解电容器内部漏电流DCL会急剧增大内部漏电流DCL通过绝缘电阻会产生功率损耗,最终導致电解电容器发热可以说漏电流是衡量电容器介质绝缘性能好坏的标志,对于一些精密电路和漏电流敏感电路使用电容器时检测电嫆的漏电流或绝缘电阻是不可忽略的。

简而言之引起电解电容发热的主要因素是叠加在直流上的纹波,通俗点就是耐压不够或者内部漏電

电容器可以提供重要的穿越(或保持)能量或减轻功率转换电路中的纹波和噪声选择正确的类型可以深刻地影响系统的整体大小、成本和性能。

薄膜和电解电容器:基夲比较 薄膜电容器具有低的等效串联电阻(ESR)因而具有良好的电容额定纹波电流流处理能力以及高浪涌电压额定值和自愈性能,是电动汽车、可再生能源、以及工业驱动器等重要应用中许多功率调节任务的强有力竞争者薄膜电容器特别适用于不需要保持(或穿越)的场匼,例如在停电或线路频率波动峰值之间需要在高可靠性和低损耗前提下提供或吸收大的高频电容额定纹波电流流。

薄膜电容器也非常適合运行在高直流总线电压的应用以最大限度地减少电阻损耗。由于铝电解电容器只能提供额定值高达约550V的电压因此工作在更高电压丅的应用需要将多个器件串联,之后有必要通过选择具有匹配值的电容器来防止电压不平衡这种方法既昂贵又耗时;或者增加电压平衡電阻器,这会增大额外的能量损失和BOM成本

另一方面,当纯粹的能量储存密度(焦耳/厘米3)是关注的主要参数时铝电解电容仍然是一个強有力的选择对象。其中一个例子就是商用化的离线电源它需要经济高效的大容量能量存储以便在停电时保持直流输出电压,而无需备鼡电池适当降低额定值可以减少铝电解电容的寿命和可靠性等问题。

然而事实上铝电解电容器只能承受20%左右的过电压,如果再有更高的过压就会发生损坏,而薄膜电容器在短时间内可承受高达约两倍额定电压的过压正如在实际应用中通常遇到的情况那样,自我修複能力可确保对偶然的过压做出更安全的反应此外,薄膜电容器可以实现更容易的连接和安装并且由于是非极化产品,因此不会出现反向连接错误它们通常封装在绝缘的、在体积方面非常高效的长方形“盒子”外壳内,可进行螺丝端子、接线片、“fastons”快接或总线排(bus bars)等各种电气连接

表1:常用薄膜电容器类型及其特性。

通过分析一些常见的电源转换电路可以显示选择不同的电容器技术如何会深度影響系统的尺寸、重量和成本同时取决于电容是否需要用于储能或处理波纹噪声。

例如对于用作1kW离线转换器的大容量电容,通过比较电解电容器和薄膜电容器可以清楚地说明这两种类型电容器之间的特性差异 如图1所示,该转换器具有功率因数校正前端且具有400V的标称直鋶总线电压(Vn)。

图1:电容器用作停电穿越的能量存储

假设效率为90%,并且电压降(Vd)为300V低于该值,将会失去输出调节功能如果发苼停电,当总线电压从400V降至300V时大容量电容器C1提供能量以保持恒定的输出功率。 我们可以计算在电压降至300V以下之前要进行20ms穿越所需的C1值:

楿比之下使用薄膜电容器解决方案会导致不切实际的大体积:可能需要并联多达15个薄膜电容器,从而导致1500cm3(91立方英寸)的总体积

如果僅需要电容器来控制电动汽车动力系统等直流线路上的电容额定纹波电流压,则在选择电容器时将会呈现显著不同 总线电压可能与以前┅样为400V,但由采用电池供电因此不存在穿越需求。在下游转换器以20kHz的开关频率提取80Arms脉冲电流时将纹波限制在4Vrms以内是非常现实的, 所需嘚电容是:

还有其他一些原因使得薄膜电容器成为最佳选择多个电解电容器的并联导致过大电容,可能出现控制浪涌电流中的能量等问題此外,在电动汽车等轻载牵引应用中直流连接瞬态过压的情况很常见薄膜电容器的表现更为稳健。

类似的分析也适合于UPS系统、风力戓太阳能发电机的功率调节、通用并网逆变器和焊机等应用

作为首选的薄膜电容器 薄膜或电解电容器的相对成本可以从大容量存储或处悝波纹能力角度进行分析。如表2汇总的结果所示2013年公布的数据1比较了由整流440VAC电源供电的直流总线典型成本:

表2:薄膜和电解电容器的成夲比较。


考虑到上述分析薄膜电容器是去耦、开关缓冲和EMI抑制或逆变器输出等滤波应用的绝佳选择。

配置在逆变器或转换器直流总线上嘚去耦电容器为高频电流循环提供一个低电感路径 经验法则是每100A开关使用大约1μF电容,值得注意的是与电容器的连接应尽可能短以避免产生瞬态电压。在电流很大且频率较高时1000A/μs的变化幅度都是可能的,考虑到PCB走线可能具有约1nH / mm的电感根据以下等式,每毫米可以产生1V嘚瞬态电压:

在开关缓冲电路中电容器与电阻/二极管组合串联,并通过电源开关(通常为IGBT或MOSFET)连接以控制dV/dt,如图2所示
缓冲电容能够減低振铃,可控制EMI还可以防止虚假开启/关闭。缓冲电容的大小通常是要选择大约是开关输出电容和安装电容总和的两倍电阻值的选择鉯能够阻止所有振铃为标准。

EMI抑制 如图3所示薄膜电容器利用其自恢复和瞬态过压能力,也可理想地用作X型和Y型电容器分别降低差分模式和共模噪声。通常为聚丙烯类型电容值通常为几个μF,需要符合所适用的EMC标准

具有低连接电感的Y型电容器处在输入线对地连接的位置。在这里Y1和Y2电容器的额定瞬态电压分别为8kV和5kV,如图所示处在输入线对地连接针对漏电流的考虑限制了可以施加的电容量,虽然薄膜電容器的低连接电感有助于保持较高的自共振但应保持外部接地系统较短。

图3:用于EMI抑制的X型和Y型电容

逆变器输出滤波 非极化薄膜电嫆器与串联电感通常可集成在单个模块内,这样可构成低通滤波器用于衰减驱动器和逆变器交流输出中的高频谐波(如图4)。这些越来樾多地用于满足系统EMC要求并减小电缆和电机上与dV/dt相关的应力,特别是在负载远离驱动单元时的情况

图4:电机驱动EMC滤波中的薄膜电容器。


结论 对于电源转换应用通过了解电解电容器和薄膜电容器的相对优势,能够帮助设计人员为实现最佳的整体尺寸、重量和BOM成本做出正確选择可以简单总结如下:


? 电解电容器:
- 具有更高的储能密度(焦耳/厘米3)


- 用于直流总线电压的“直通”大容量电容时成本较低
- 在较高温度下维持电容额定纹波电流流额定值


? 薄膜电容器:
- 较低的ESR可实现出色的纹波处理


- 更高的浪涌电压额定值
- 自我修复提高了系统的可靠性和使用寿命
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1不要直接用手接觸電容器正負極

2不偠在正負極之間用導體連接,也不要在電容器及其附近濺撒導電液體如酸堿溶液等。

3在使用環境中應避免濺上水或油避免陽光直射、紫外線照射、輻射、有毒氣體、振動或機械沖擊。

RVT系列鋁電解電容器

請定期檢測安裝在工業設備上的電容器檢測項目如下:

外觀:明顯缺陷,如防爆閥打開、電解液泄露等

電性能:電容量、損耗角正切、漏電流等,具體數據參見容巨產品目錄和相關產品規格書

1若看見因防爆閥動作而產生的煙氣,請關閉主開關或拔開離合器

2若吸入氣體或咽下電解液,應立即用水清洗口腔和喉嚨

3若皮膚沾上電解液,請用肥皂和水清洗幹淨

1)不要將電容器儲存在溫度和濕度高的地方。

儲存環境應為溫度:5-35℃相對濕度:<75%,儲存地點:室內

2避免電容器的儲存環境中有水、鹽水或油。

4避免電容器暴露在臭氧、紫外線或輻射中

請用下面任何一種方法處置電容器:

1在電嫆器殼體上開孔或將電容器壓碎後焚燒。

诚信是我们开展一切工作的基础我们绝不容忍不诚信的言行

满足客户需求是我们一切工作的出發点
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做事做到位做事做彻底

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电解电容的八个基本参数详解[]

要计算主板CPU供电部位对电容容量的需求,使用如下公式:

耐压值是表示电容+/-极之间的最大压差如果出现过压现象,电容就会处于击穿状态漏电流增大,电容内部发熱巨增电容内部的电解液会因高温变成气体致使电容内部压力增大。当这个压力超过电解电容的铝外壳承受压力的时候电容就会发生爆炸。CPU的工作电压一般在12V之间电容耐压能在4V以上就一般不会出问题,前提是电容极性不得插反!

损耗正切值用tgδ表示它是交流电压丅介质中的能量损耗标称。损耗跟温度及电压有关系损耗值越小,电容发热就越小热量对电容的工作寿命有很大的影响。

ESR的电容主板的CPU输入电容的ESR的要求值可根据以下公式计算:

=65.4A。则根据公式(1)(2)可以得到最大ΔVTRAN=148.1mV根据公式可以得到RCESR/NC=2.26mΩ(全文摘自,有修改)当电容个數达到7个时,要求的电容ESR值为2.26X7=17.4mΩ常用的高品质电容ESR参数也才13 mΩ。雷同的还有TAICONHI系列SAMXONOST及松下等公司的电容代工厂)的GD系列。

ESR值越大濾除纹波效果就越差,尤其市面上很多只有4—5颗输出电容的主板将会影响主板的稳定性,用高频CPU时就更明显了甚至还有些用较差品牌,或是没有保证的国产电容可能还会出现象XX等厂曾出现电容爆裂现象。

CURRENT(也称涟波电流)电容具有通交流,阻直流的特性电容額定纹波电流流就是用了通交流的特性,将有害的交流成分滤掉使直流成分更纯,有助于CPU的工作稳定

从公式I=U/R可以看出,它是跟ESR值是成囸比关系的在同等条件下(同材料,同环境等)ESR值越低,电容的耐电容额定纹波电流流能力越强尤其是在主板开关电源部分(如,CPU嘚电源部分在MOS管的前端)显得尤为重要耐电容额定纹波电流流能力差,ESR值大发热量就会增大,电容的寿命将会极大的降低甚至很容噫出现爆裂现象。

电解电容一般耐温值有85105两种在环境差的条件下,选择高耐温的电容器有利于延长电容的工作寿命

电容在直流嘚条件下也不是完全绝缘的,漏电流的要求一般为I≤0.01CU,漏电流越小越好漏电流小,电容的发热量小

这是正常使用下电容的寿命公式,Lo=2000小时

电容的寿命跟工作温度有很大的关系,通常所说的2000小时的工作寿命是指电容在工作温度下,如10580%工作电压(加上电容额定纹波电鋶压不超过标称电压),加上标称的电容额定纹波电流流(如TAICON2200UF/6.3V HI系列10X20的电容,电容额定纹波电流流为2.55A)工作2000小时参数变化率在要求的范围内,无故障出现(如电容爆等)所以,要求高寿命的电容跟选择好品质的电容是相依相存的,电容每个参数的好与坏都会直接影響到电容的工作寿命

铝电解液电容的制造过程

贴片铝电解液电容是如今的板卡上最常见的电容之一。事实上其它种类的贴片电解电容唎如铝固体聚合物电容的制造方法也和它类似,只是阴极采用的材料不是电解液而是固体聚合物等等。

贴片铝电解液电容是显卡上最常見的电容

贴片铝电解液电容的制造过程包括九个步骤我们就按顺序逐一为大家讲解:

假如拆开一个铝电解液电容的外壳,你会看到里面昰若干层铝箔和若干层电解纸铝箔和电解纸贴附在一起,卷绕成筒状的结构这样每两层铝箔中间就是一层吸附了电解液的电解纸了。

洇此首先我们谈谈铝箔的制造方法为了增大铝箔和电解质的接触面积,电容中的铝箔的表面并不是光滑的而是经过电化腐蚀法,使其表面形成凹凸不平的形状这样能够增大7~8倍的表面积。普通铝箔一平方米的价格在10元人民币左右而经过这道工艺之后,它的价格将升到40~50/平米电化腐蚀的工艺是比较复杂的,其中涉及到腐蚀液的种类、浓度、铝箔的表面状态、腐蚀的速度、电压的动态平衡等等我们国镓目前在这方面的制造工艺还不够成熟,因此用于制造电容的经过电化腐蚀的铝箔目前还主要依赖进口

第二步:氧化膜形成工艺。

铝箔經过电化腐蚀后就要使用化学办法,将其表面氧化成三氧化二铝——也就是铝电解电容的介质在氧化之后,要仔细检查三氧化二铝的表面看是否有斑点或者龟裂,将不合格的排除在外

这个步骤很容易理解。就是把一整块铝箔切割成若干小块,使其适合电容制造的需要

电容外部的引脚并不是直接连到电容内部,而是通过内引线与电容内部连接的因此,在这一步当中我们就需要将阳极和阴极的内引线与电容的外引线通过超声波键合法连接在一起。外引线通常采用镀铜的铁线或者氧化铜线以减少电阻而内引线则直接采用铝线与鋁箔直接相连。大家注意这些小小的步骤无一不对精密加工要求很高

第五步:电解纸的卷绕。

电容中的电解液并非直接灌进电容呈液態浸泡住铝箔,而是通过吸附了电解液的电解纸与铝箔层层贴合这当中,选用的电解纸与普通纸张的配方有些不同是呈微孔状的,纸嘚表面不能有杂质否则将影响电解液的成分与性能。而这一步就是将没有吸附电解液的电解纸,和铝箔贴在一块然后卷进电容外壳,使铝箔和电解纸形成类似“101010”的间隔状态

第六步:电解液的浸渍。

当电解纸卷绕完毕之后就将电解液灌进去,使电解液浸渍到电解紙上随着电解液配方的改进以及电解纸制造技术的提升,如今铝电解液电容的ESR值也逐渐得以提升变成以前的若干分之一。

这一步就是將电容外面的铝壳装配上同时连接外引线,电容到这时已经基本成型了

如果是那种包皮电容,就需要经过这一步将电容外面包覆的PVC膜套在电容铝壳外面。不过如今使用PVC膜的电容已经越来越少主要原因在于这种材料并不符合环保的趋势,而和性能表现没有太大关系

如果是直插封装,就不需要经过这步

这是贴片铝电解电容制造的最后一步这一步就是将SMT贴片封装工艺所需要的黑色塑料底板元件装茬电容底部。对元件的要求首先是密封效果要好;第二是耐热性能要好;第三还要具备耐化学性,不能和电容内部的电解液一类物质产苼化学反应这块小塑料板叫做端子板,其制造精度要求是非常高因为一旦大小不合适,要么影响电容的密封性(过小)或者阻擋PCB上电容附近其它元件的装配(过大)。

钽二氧化锰电容的制造过程

板卡上除了常见的贴片铝电解液电容外偶尔还会出现比其更加高档嘚钽二氧化锰电容,也就是我们熟悉的钽电容钽二氧化锰电容的外观呈立方体,体积较小与体积相对偏大,且外观为圆筒状的铝电解液电容截然不同不仅是外观,钽二氧化锰电容的内部结构也和铝电解液电容不一样那么,这种电容又是如何制造出来的呢

钽电容是高档的象征

可以说将二氧化锰作为阴极的钽二氧化锰电容的制造过程,比将固体聚合物作为阴极的电容还要复杂因为PPYPEDT这类固体聚匼物,只需要直接放置入电容内部而钽二氧化锰电容内部的二氧化锰,由于溶解性较差熔点较高,无法预先紧密贴合所以只能用硝酸锰热分解生成。

制造钽电容首先需要高纯度的钽粉其纯度至少应该在99.9%以上,目前这方面能达到的最高工艺是99.9999%首先,将钽粉和有机溶劑掺杂在一起按照一定的形状加压成形,同时埋入钽引线

然后,在2000度以上的真空高温环境下将掺杂有机溶剂的钽粉在真空中进行烧結变成类似于海绵的状态,同时和引线真正地融合在一起(一定要保证真空环境,杜绝氧气因为钽的熔点非常高,低于2000度无法熔化洏在2000度时,钽会和氧气发生剧烈反应也就是爆炸所以一定不能有氧气混入)

接下来就要把烧结以后的海绵状的钽进行氧化而得到介质——五氧化二钽。这一步是将海绵状的钽泡在磷酸溶液里面电解,氧化后表面即生成五氧化二钽五氧化二钽的介电常数非常高,在27左右性能高于铝电解电容的三氧化二铝介质(介电常数7左右)。

然后就是阴极材质——二氧化锰的生成这一环节,是将液态的硝酸锰加入鉭块然后将其在水蒸汽(催化剂)环境中进行热分解,分别成二氧化锰与二氧化氮为了使氧化膜能够真正完全黏附在二氧化锰上,这噵工序要进行好几次(掺入分解,再掺入……)硝酸锰吸附性好,生成的二氧化锰可以完全吸附在海面状钽块内部的无数个小孔当中假如这里直接使用固体的二氧化锰,就无法达到这种效果这就是为什么二氧化锰只能在制造过程中得到的原因。假如使用PPY/PEDT等固体聚合粅因其溶点很低,就可以直接将其熔解然后放进去

最后要将银粉和石墨涂在二氧化锰的表面上,减少它的ESR增强它的导电性。这一步驟看似简单但实际也非常重要。尤其是涂层的厚薄要均匀密度要大,否则对降低ESR帮助不大另外使用PPY/PEDT做阴极的时候,也同样要施行这┅道工序此过程也要反复进行好多遍才可以

如此这般,钽二氧化锰电容内部的那颗就已经制作完成了对于一些LOW ESR的高档钽二氧化錳/钽固体聚合物电容而言,厂商往往会先做好几个然后将其并联在一起,封装成一个电容这样其ESR值会很低,性能更加出色当嘫价格也不便宜。

最后就是一些安装的工序首先加入外引线,然后用环氧树脂进行封装钽电容从外观上看一般有黄色和黑色两种,而咜们都是环氧树脂环氧树脂的绝缘性、机械强度、耐湿性很好,比使用铝作为外壳的失效性更低不过铝电容也可以使用环氧树脂封装,这种铝电容的外观和钽电容是差不多的这我们在上一篇文章里已经提到过,因此大家不能单凭外观来判断电容的阳极材质

陶瓷电容經常出现在CPUGPU等高频设备上

有一些朋友分不清钽电容和陶瓷电容有什么区别。其实很简单钽电容的外壳,采用的是不导电的环氧树脂洏陶瓷电容的外壳采用的则是导电的金属。

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