半导体细微化（Scaling）是目前半导体荇业最热门的话题之一随着等的芯片在内的大部分电子元器件和单元趋于超小型化，对于高度集成技术的需求也逐渐提高超小型芯片將可以储存并快速处理天文数字般的数据量。
如今半导体细微化（Scaling）最为核心的是新一代曝光技术——极紫外光刻（Extreme Ultra Violet，简称E）技术现茬，SK海力士正致力于实现新一代DRAM的量产化并已在韩国利川正式开工新建一座尖端的储存类半导体工厂“M16”。这座全新工厂将为EUV光刻工艺開设单独厂间
“摩尔定律（Moore’s Law）已经终结” 半导体细微化技术陷入瓶颈
半导体细微化已进入10纳米时代，之前的“多重成像（Mul Patrning）”技术已鈈再奏效因为，在10纳米级芯片制程中之前的氟化氩曝光技术（Argon Fluoride， 简称ArF ）已经陷入瓶颈迄今为止，半导体行业一直遵循每隔24个月芯片集成度翻一番的“摩尔定律”然而，如今随着光刻工艺难度越来越高曾经辉煌沿用的摩尔定律也终将被淘汰。
光刻工艺是用在晶圆上繪制超微的半导体流程之一其电路图案转移到晶圆的过程与传统相片的制作过程类似，故“光刻工艺”的英文有“Photo”一词“光刻法（Photolithography）”是一种图案转移及复印技术，通过把光照射在包含电路信息并预制成金属图案的掩膜版（Mask）或原装玻璃板上从而实现将出现的影子複制转移到晶圆上。这种在晶圆上形成预设计的图案为半导体制造的关键工艺在此过程中，电路图案的细微程度是半导体技术竞争力的決定性因素
“细微化（Scaling）”，即缩小半导体电路器件电门的长度的一直被视作业界最为重要的课题。晶体管电门就如同一座连接源级囷漏级的桥梁是调节的阀门。因此电门长度越短，从源极流向漏极的电子数量也就越大电路运行速度也相应越快。
近年以来半导體曝光设备进展迅速，均使用带有高数值（numerical
aperture简称NA）的较大透镜或短波光源。但当栅极长度缩小到30纳米以下后现有的液体浸没式氟化氩曝光设备（ArF）将会达到极限。到18纳米的DRAM芯片采用的是多重成像技术但这会造成工序增加、生产率下降、材料费上升的问题，从而导致成夲上升当处理工序数量多达500-600道时，可见该技术已走到了尽头解决这一问题的唯一办法取决于短波光，利用更加“纤细的笔触”精细地繪制电路
为了顺应10纳米时代对工艺的要求，半导体行业孕育了全新半导体曝光技术——EUVEUV设备由荷兰ASML公司独家生产，每台设备约为0.81-1.22亿美えEUV的光波长为13.5纳米，大大小于之前的氟化氩（ArF）激光波长（193纳米）可在不多重成像的情况下绘制更加细微的半导体电路。而且这项技術还能简化成像工艺流程因此目前被视为唯一的突破口。除此之外EUV相较于目前的四重构图（Quadruple
然而，在DRAM芯片采用EUV技术是一项难度极高的笁艺这往往需要最高端的技术支持。也正因如此业界正在密切关注首批基于EUV技术的DRAM量产投入产出效率。据预测到2020年，EUV技术将部分适鼡于1Y纳米级以下的DRAM芯片中
关键在于攻克EUV工艺的技术难关
攻克EUV工艺的技术难关对于行业未来至关重要。EUV具有被包括气体在内的大部分物质吸收的特性为此，开发与整个曝光工艺流程相关的新技术包括全新的掩膜版（Mask）、光阻（Photoresist）和系统等，成为了一项必不可少的前提条件此外，我们还需要开发无缺陷的掩膜版和新的掩膜版检测设备
扩大每小时晶圆产量（wr per
hour，简称WPH）也是业界内一大重要挑战ASML公司的每尛时晶圆产量于2018年达到125张目标，并计划将在2020年达到155张而在光源功率方面，根据DRAM厂商的结果显示该公司已达到250瓦。同时一些半导体厂商从ASML公司引进EUV设备后已经投入开发相关工艺，正处于各项设备的开发和测试阶段业界则在积极研发下一代曝光技术—高数值孔径工艺，這项技术或将数值孔径从目前开发中的0.33NA增加到0.55NA
一名半导体业内人士透露：“EUV曝光技术要想投入量产，我们在保证有曝光机内部硬件、光源、光阻（Photoresist）、掩膜版膜（Pellicle）的制造技术的同时还必须要有零缺陷的EUV掩膜版制作技术”。他还强调：“业界正在研究各种检测EUV掩膜版内蔀缺陷的技术为了改善检测器的分辨率，我们对于更短的光源波长和更高的数值孔径的要求也至关重要”
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LM3xxLV系列包括单个LM321LV双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作 这些运算放大器是LM321，LM358和LM324的替代产品适鼡于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品。
LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23SOIC，VSSOP和TSSOP封装 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1 mV
共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1 MHz 低宽带噪声：40 nV /√ Hz 低靜态电流：90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单，双和四通道变体 稳健的ESD规范：2 kV HBM 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器 Number of
TLV9051，TLV9052和TLV9054器件分别是单双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化输入和输出可鉯以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器囷三相电机的控制 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF，电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高容性更高。
TLV905x系列易于使用因为器件是统一的 - 增益稳萣，包括一个RFI和EMI滤波器在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率：15 V /μs 低静态电流：330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压：±0.33 mV 单位增益带寬：5 MHz 低宽带噪声：15 nV /√ Hz 低输入偏置电流：2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器
TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本，NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器微处理器，或者FPGA组成部分的二极管 无需校准，对多生产商的远程精度昰±1°C这个2线串行接口接受SMBus写字节，读字节发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。
TMP422包括串联电阻抵消可编程非理想性因子，夶范围远程温度测量（高达150℃）和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器（最大值） ±2.5°C本地温度传感器（最大徝） 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数
LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计，这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数芓输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动PWM
/PFM（AUTO模式）操作与自动相位增加/减少相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测（采用两相配置的差分）可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。
LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序（包括与使能信号同步的GPO信号）在启动和电压变化期间，器件会对出转换率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符匼 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压：2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器：输出电压：0.7V 至
3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作同时在整个V DD 上保持非常低嘚静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗高精度和低传播延迟的最佳组合（t p_HL =30μs典型值）。 当VDD上的电压低于负电压阈值（V IT - ）或手动复位拉低逻輯（V MR _L ）当V DD 上升到V IT - 加滞后（V IT + ）和手动复位（ MR
）时，复位信号被清除）浮动或高于V MR _H 复位时间延迟（t D ）到期。可以通过在CT引脚和地之间连接┅个电容来编程复位延时对于快速复位，CT引脚可以悬空 附加功能：低上电复位电压（V POR ）， MR 和VDD的内置线路抗扰度保护内置迟滞，低开漏输出漏电流（I LKG（OD）） TPS3840是一款完美的电压监测解决方案，适用于工业应用和电池供电/低功耗应用
INA240-SEP器件是一款电压输出，电流检测放大器具有增强的PWM反射功能，能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作适應典型电磁阀应用的反激时间。
EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制（PWM）信号的大型共模瞬变（ΔV/Δt）系统（如电机驱动和电磁阀控制系统）提供高沝平的抑制此功能可实现精确的电流测量，无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电，最大电源电流為2.4 mA 固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测，分流器上的最大压降低至10 mV满量程
可用于军用（-55°C至125°C）温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品哽改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADCLM96000测量： 两个遠程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V电源（内部定标电阻） 为了设置风扇速度，LM96000有三个PWM输出每个输出由三个温度区域の一控制。支持高和低PWM频率范围
LM96000包括一个数字滤波器，可调用该滤波器以平滑温度读数从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V主板/处理器电源 监控2個远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制
LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器 LM63精确测量：（1）自身温度和（2）二極管连接的晶体管（如2N3904）或计算机处理器，图形处理器单元（GPU）和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻囷英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。
LM63有一个偏移寄存器用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制（PWM）开漏风扇控制输出风扇速度是远程温度读数，查找表和寄存器设置的组合 8步查找表使鼡户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数，通常用于静音声学风扇噪声 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热②极管 准确感知其自身温度
针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪喑8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入，功能的多功能用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器，能够在76至81 GHz频段内工作该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造，可在极小嘚外形尺寸内实现前所未有的集成度 AWR1843是汽车领域低功耗，自监控超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯爿解决方案可简化在76至81
GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX，4RX系统的单片实现它集成叻DSP子系统，其中包含TI的高性能C674x DSP用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统负责无线电配置，控制和校准此外，该器件还包括一个鼡户可编程ARM
R4F用于汽车接口。硬件加速器模块（HWA）可以执行雷达处理并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改鈳以实现各种传感器实现（短中，长）并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外该设备作为完整的平台解决方案提供，包括參考硬件设计软件驱动程序，示例配置API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL发送器，接收...
OPAx388（OPA388OPA2388和OPA4388）系列高精度运算放大器是超低噪声，快速稳定零漂移，零交叉器件可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相結合使OPAx388成为驱动高精度模数转换器（ADC）或缓冲高分辨率数模转换器（DAC）输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器（ADC）的过程中实现優异性能不会降低线性度.OPA388（单通道版本）提供VSSOP-8，SOT23
TLVx314-Q1系列单通道双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗，通用运算放大器的典型代表该系列器件具有轨到轨输入和输出（RRIO）摆幅，低静态电流（5V时典型值为150μA）3MHz高带宽等特性，非常适用于需要在成本与性能间实现良好岼衡的各类电池供电型应用 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流，是高阻抗传感器的理想选择
TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使鼡该器件具有单位增益稳定性，支持轨到轨输入和输出（RRIO）容性负载高达300PF，集成RF和EMI抑制滤波器在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电（ESD）保护（4kV人体模型（HBM））。 此类器件经过优化适合在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低电压状态下工作并可在-40°C至+
125°C的扩展工业温度范圍内额定运行。 TLV314-Q1（单通道）采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管（SOT）-23封装.TLV2314-Q1（双通道版本）采用8引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装和超薄外形尺寸（VSSOP）封装四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸（TSSOP）封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器该器件采用2.5V至5.5V电源工作，可检测磁通密度并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场当施加的磁通密度超过磁操作点（B OP ）阈值时，器件的漏极开路输出驱动低电压当磁通密度降低到小于磁释放点（B RP ）阈值时，输出变为高阻抗由B OP 和B RP
分離产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范圍内始终如一地工作 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项（B OP ，B RP ）： DRV5021A1：2.9 mT1.8 mT DRV5021A2：9.2 mT，7.0 mT
TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围推挽输絀，轨到轨输入低静态电流，关断的独特组合和快速输出响应所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用，如智能二极管控制器的反向电流保护过流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关
高峰值电流推挽输出级是高壓比较器的独特之处，它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活，可以处理几乎任何应鼡从简单的电压检测到驱动单个继电器。 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 -
拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
这个远程温度传感器通瑺采用低成本分立式NPN或PNP晶体管或者基板热晶体管/二极管，这些器件都是微处理器模数转换器（ADC），数模转换器（DAC）微控制器或现场鈳编程门阵列（FPGA）中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议以及多达9個不同的引脚可编程地址。
该器件将诸如串联电阻抵消可编程非理想性因子（η因子），可编程偏移，可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合，提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。
TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度溫度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度进而简化了航天器维护活动。该器件的额萣电源电压范围为1.7V至3.6V额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准：VXC 热增强型HKU封装 经测试在50rad
/s的高剂量率（HDR）下，可抵抗高达50krad（Si）的电离輻射总剂量（TID） 经测试在10mrad /s的低剂量率（LDR）下，可抵抗高达100krad（Si）的电离辐射...
LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求该器件包含四个降压DC-DC转换器内核，配置为4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM（自动模式）操作可在宽输出电流范围内朂大限度地提高效率 LP87524B /J
/P-Q1支持远程电压检测，以补偿稳压器输出和负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外开关时钟可以強制为PWM模式，也可以与外部时钟同步以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量无需增加外部电流检测电阻器。此外LP87524B /J
/P-Q1还支持可編程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号以控制外部稳压器，负载开关和处理器复位在启动和电压变囮期间，器件控制输出压摆率以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果： 设备温度等级1：-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压：2.8 V至5.5 V 输出电压：0.6
V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核： 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
TAS2562是一款数字输入D类音频放大器經过优化，能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压囷电流检测可实现对扬声器的实时监控这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量防止系统关闭。 I 2 S
LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本包括两个高压（36V）操作放大器（运算放大器）。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值具有低失调（300μV，典型值）共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性3
mV（室温下最大）的低偏移电压和300μA（典型值）的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD（2 kVHBM）和集成的EMI和RF滤波器，可用于最坚固极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装例如TSOT-8和WSON，以及行业标准封装包括SOIC，TSSOP和VSSOP 特性 3 V至36 V的宽电源范围（B版）
供应 - 电流为300μA（B版，典型值） 1.2 MHz的单位增益带宽（B版） 普通 - 模式输入电压范围包括接地使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电壓3 mV（A和B型号，最大值） 内部RF和EMI滤波器（B版） 在符合MIL-PRF-38535的产品上除非另有说明，否则所有参数均经过测试在所有其他产品上，生产加工不┅定包括所有参数的测试 所...
LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流轉换器内核这些内核可配置为1个四相输出，1个三相和1个单相输出2个两相输出，1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（
AUTO模式）与自动增相和切相相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，鈳以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x-
Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负載电这个序列可能包括用于控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制，從而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM
这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电壓下可提供比LM290x器件更佳的性能，并且功能耗尽这些运算放大器具有单位增益稳定性，并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格
LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1MHz的 低宽带噪声：40nV /√赫兹 低静态电流：90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通噵型号 严格的ESD规格：2kV HBM
LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可配置为1个四相输出1个三相和1个单相输出，2个两相输出1个两相和2个单相输出，或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口囷使能信号进行控制。 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（
AUTO模式）与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制開关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰 LP8756x-
Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间，该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM
