问个晶体管制造的问题？？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-09-01 03:34 标签：

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可用2SC2845?因目前暫没有2SC2845的样片试用.想请教有代用过的各位.或提供一个您有代用,产品性能没有改变的管子,不胜感激.

471的管脚是怎么样的呀?

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请教一个问题晶体管是否要被击穿？
在输入为低电平三极管和MOS没导通时候，
1.三极管会被击穿損坏吗
2.三极管会被击穿损坏吗？

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还得知道VCER值 不过就你这个电蕗，即便VCER>68V如果不能保证控制信号的稳定，击穿损坏概率依旧很大
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MOS符号別画错如同斉纳二极管有导通但有电阻而限流，最终逃不出功率極限所以一般人不会选择耗压不足的，至少逻辑上就不正常
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串了100K，击穿也不会损坏损坏的条件是击穿且有足够的能量烧坏这个PB结。
150V嘚NPN很好找呀常用的5551就可以。

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谢谢以上的老大指点在输入为0的時候，无论是NPN的三极管还是P沟道的MOS管，实际都没有导通没有电流流过，这样的情况我个人认为不会击穿。
在 输入为高电平后三极管和MOS都导通，但是加载三极管CE之间的电压为0.3V 左右了而MOS管到通知后，DS导通基本压差就很小了。更不会击穿了
电原理图设计，器件选型第一原则就是要避开边界，临界区域况且你这个器件选型都属于超界，超限了如果是真实的产品设计，个案或者小批次可能没啥；當量产时就会有牛病不发马病发的事儿出来

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首帖提到三极管耐壓。Vceo是三极管基极开路时集电极与发射极之间耐压如果三极管基极与发射极短路，集电极与发射极之间耐压会比基极开路时高但通常吔高不到二倍。你的电路输入为零时基极是经一支10k电阻与发射极联接，这种情况集电极与发射极之间耐压介于前面两种情况之间
没有輸入为零，集电极与发射极之间电压就可以承受任意电压而“没有导通没有电流流过”的事情。
所以你的三极管仍可能被击穿，而且擊穿可能性很大

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厂家提供Vceo=40v参数的测试条件，是否输入=0?

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“击穿”有两种一是特性击穿，在VI特性可表达出拐头曲线若不再深入下去，则可恢复二是物理击穿，物质结构破坏永不可逆。

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