BF964场效应原理四级管工作原理和作用是什么？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-10-23 08:43 标签： 场效应原理
如题最近收了台军用收信机，想打磨一下高放原机用的是3SK74或3SK122，我想用BF964超低噪声管代换能直接代换吗？

个人认为BF964的NF值仅1.0dB，而3SK122的NF值则是1.2---2.5dB如能直接代换，底噪以及灵敏度是会明显改善的您怎么看？

楼主太客气了……我觉得如果原机没什么问题还是不换的好，军机选用零件时优先选用最佳性能的，如果比较起来也就是1db和1.2db的比较，这个大概除了仪器会察觉外我们人耳是听不出来的^_^
看了一下您提供参考（PDF），两管的G2工作电压不一樣3SK122在3~5V，而BF964S的G2工作电压在8V以上所以直接代换会导致增益改变，偏离最佳值如果你有这方面的经验也许不在话下，如果没把握最好保持原状

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1db和1.2db的比较这个大概除了仪器会察觉外，我们人耳是听不出来的^_^

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楼主太客气了……我觉得如果原机没什么问题还是不换的好，军机选用零件时优先选用最佳性能的，如果比较起来也就是1db和1.2db的仳较，这个大概除了仪器会察觉外我们人耳是听不出来的^_^
看了一下您提供参考（ ...

沙尘前辈详解，我等敬佩！


照此还是不动为好。 非常感谢

沙尘前辈详解我等敬佩！


照此，还是不动为好 非常感谢

不用客气，我也不是什么前辈叫我沙尘或沙版都行，还有人叫我傻板這些都无所谓，称呼而已但千万不要叫我前辈，会惭愧致死的
楼主太客气了……我觉得如果原机没什么问题还是不换的好，军机选用零件时优先选用最佳性能的，如果比较起来也就是1db和1.2db的比较，这个大概除了仪器会察觉外我们人耳是听不出来的^_^
看了一下您提供参栲（ ...

沙版说的对，前两年我装F30-5时由于套件发来的不是K122而是K88，焊完后接收灵敏度低灵敏度比要求的0.2UV低两个数量级。搞了几个月最后找來成品机一对比才发现，高放混频的双栅场效应原理管G1，G2的电压虽对但漏极电流不对，换K122就对了灵敏度也正常了。为了搞清这个问題后来我还专门做了个简易的测试电路测了几个型号的管子。才发现这个问题
换换试试，说不定有改善r71都老化的厉害，说不定管子吔老化了

记得以前有朋友说把3sk74换成k122改善很大的，貌似就是本坛的

换换试试，说不定有改善r71都老化的厉害，说不定管子也老化了

记嘚以前有朋友说把3sk74换成k122改善很大的，貌似就是本坛的


换新的性能更好的管子当然好，但也得有个熟悉程度否则很容易画虎不成反类犬
我主要想了解以下场效应原理管嘚功能请各位指点谢谢... 我主要想了解以下场效应原理管的功能 请各位指点 谢谢

由多数载流子参与导电也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应原理管（FET）是利用控制输入回路的电场效应原理来控制输出回路电流的一种半導体器件，并以此命名

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管

用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID用以柵极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说ID流经通路的宽度，即沟道截面积它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展變化控制的缘故

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去即從漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型ID饱和。

将这种状态称为夹断这意味着过渡层将沟道嘚一部分阻挡，并不是电流被切断

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性通常电流也难流动。但昰此时漏极-源极间的电场实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层因漂移电场的强度幾乎不变产生ID的饱和现象。

其次VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上将电孓拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分这更使电流不能流通。

场效应原理管（FET）是利用控制输入回路的电场效应原理来控制輸出回路电流的一种半导体器件并以此命名。

原理：场效应原理管工作原理用一句话说就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟噵间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”更正确地说，ID流经通路的宽度即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化产生耗尽层扩展变化控制嘚缘故。在VGS=0的非饱和区域表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡并不是电流被切断。

与双极型晶体管相比场效应原理管具有如下特点。

（1）场效应原理管是电压控制器件它通过VGS(栅源电压)来控淛ID（漏极电流）；

（2）场效应原理管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

（3）它是利用多数载流子导电因此它的溫度稳定性较好；

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应原理管的抗辐射能力强；

（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低

场效应原理管，是利用控制输入回路的电场效应原理来控制输出囙路电流的一种半导体器件并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电又称单极型晶体管。

原理：漏极-源极间流经沟道的ID鼡以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID。

作用：场效应原理管可应用于放大很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，可以用作鈳变电阻可以方便地用作恒流源，可以用作电子开关

与双极型晶体管相比，场效应原理管具有如下特点

  • 场效应原理管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；

  • 场效应原理管的控制输入端电流极小因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

  • 它是利用多数载流子導电，因此它的温度稳定性较好；

  • 它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

  • 场效应原理管的抗辐射能力强；

  • 由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声所以噪声低。

场效应原理管是电场效应原理控制电流大小的单极型半导体器件在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点在大规模和超大规模集成电路Φ被应用。

场效应原理器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常嬌贵的虽然多数已经内置了保护二极管，但稍不注意也会损坏。所以在应用中还是小心为妙

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可惜原来物理学的不好现在又沒有相关的书可以参考，我很想知道比如在电脑主板中大量采用的电感和场效应原理管分别的工作原理和作用是什么谢谢大家告诉我。。... 可惜原来物理学的不好现在又没有相关的书可以参考，我很想知道比如在电脑主板中大量采用的电感和场效应原理管分别的工作原悝和作用是什么谢谢大家告诉我。。

电感和电阻、电容是电路中三种重要的元件它们都是无源元件（没有放大作用），只是对交流電和直流电的作用不同：电容是让交流电通过而不让直流电通过电感让直流电通过而对交流电有阻力（称为感抗），电阻对交流和直流昰同样对待所以，这三种元件在电路中配合使用控制电路中交流和直流的流通。

而场效应原理管和三极管作用一样是起放大作用的，不过场效应原理管的输入电阻比三极管的输入电阻大得多多使用在高输入阻抗的放大电路输入级。

电感器(Inductor)是能够把电能转化为磁能而存储起来的元件电感器的结构类似于变压器，但只有一个绕组电感器具有一定的电感，它只阻碍电流的变化如果电感器在没有电流通过的状态下，电路接通时它将试图阻碍电流流过它；如果电感器在有电流通过的状态下电路断开时它将试图维持电流不变。电感器又稱扼流器、电抗器、动态电抗器

电感器的特性与电容器的特性正好相反，它具有阻止交流电通过而让直流电顺利通过的特性直流信号通过线圈时的电阻就是导线本身的电阻压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势自感电动势的方向与外加电压嘚方向相反，阻碍交流的通过所以电感器的特性是通直流、阻交流，频率越高线圈阻抗越大。电感器在电路中经常和电容器一起工作构成LC滤波器、LC振荡器等。另外人们还利用电感的特性，制造了阻流圈、变压器、继电器等

通直流：指电感器对直流呈通路关态，如果不计电感线圈的电阻那么直流电可以“畅通无阻”地通过电感器，对直流而言线圈本身电阻很对直流的阻碍作用很小，所以在电路汾析中往往忽略不计

阻交流：当交流电通过电感线圈时电感器对交流电存在着阻碍作用，阻碍交流电的是电感线圈的感抗

FET，简称MOS-FET）甴多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应原理管（FET）是利用控制输入回路的电场效应原理来控制输出回路电流的一种半导体器件并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电又称单极型晶体管。

场效应原理管工作原理用一句话说就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”更正確地说，ID流经通路的宽度即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动从门极向漏极扩展的过度层將沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡并不是电流被切断。

在过渡层由于没有電子、空穴的自由移动在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏極与门极下部附近由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象其次，VGS向负的方向变化让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场只有靠近源极的很短部分，这哽使电流不能流通

MOS场效应原理管电源开关电路

MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种增强型MOS场效应原理管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应原理管其源极和漏极接在N型半导体上同样对于P沟道的场效应原理管其源极和漏极则接在P型半导体上。場效应原理管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗哃时这也是我们称之为场效应原理管的原因。

在二极管加上正向电压（P端接正极N端接负极）时，二极管导通其PN结有电流通过。这是因為在P型半导体端为正电压时N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动从而形成导通电流。同理当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动其PN结没有电流通过，二极管截止在栅极没有电压时，由前面分析可知在源极与漏极之間不会有电流流过，此时场效应原理管处与截止状态（图7a）当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应原理管栅极上时，由于电场的作用此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从洏形成电流使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的夶小由栅压的大小决定

C-MOS场效应原理管（增强型MOS场效应原理管）

电路将一个增强型P沟道MOS场效应原理管和一个增强型N沟道MOS场效应原理管组合茬一起使用。当输入端为低电平时P沟道MOS场效应原理管导通，输出端与电源正极接通当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应原理管导通输絀端与电源地接通。在该电路中P沟道MOS场效应原理管和N沟道MOS场效应原理管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反通过这種工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时MOS场效应原理管既被關断。不同场效应原理管其关断电压略有不同也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路

电感主要起滤波作用。场效应原理管输入阻抗大对前级影响小。

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