各位大神,固态硬盘主控哪个好闪存和主控哪个更重要?

原标题:从固态硬盘主控哪个好拆解看门道 深入解读闪存编号和主控容量

一篇固态硬盘主控哪个好的评测是否有水平不光是看测试跑分是否详细,更应有针对成绩的解讀以及硬件拆解和结构上的分析毕竟跑分大家都会跑,必须拿出其他人不知道的内存才能真正吸引读者

因为大多数固态硬盘主控哪个恏拆解会失去保修,所以拆解是网友们喜闻乐见的热闹环节存储极客就从东芝TR200固态硬盘主控哪个好的拆解开始,带大家从热闹开始看门噵

TR200使用了卡扣固定的金属外壳,相比过去螺丝固定方式节省了工时而在稳固程度上也并没有短板。打开外壳后可以看到PCB板同样是卡扣形式固定在其中一侧的外壳上。四颗闪存颗粒使用了TSOP封装对于SATA固态硬盘主控哪个好来说,TSOP封装节省成本的同时也不会产生性能瓶颈(SATA3.0)是一个相对理性的选择。

PCB的正面是一颗主控和另外四颗闪存颗粒这颗编号为TOSHIBA TC58NC1010GSB的主控源于群联PS3111方案,但采用了独有的东芝定制固件主控的上方覆盖有导热垫,可将主控高速工作时产生的热量快速传导至金属外壳上发散这是大多数非原厂固态硬盘主控哪个好所没有的增强稳定性设计。

PS3111为双通道、无外置缓存方案所以在PCB板上我们看不到独立的DRAM缓存芯片。因为主控闪存通道数量不高每颗粒只能引出一個通道的TSOP封装在这里并不会成为短板。

下面来看闪存颗粒特写这是一颗东芝原厂BiCS3闪存,编号为TH58TFT0T23TA2H产地日本,生产周期为18年第六周东芝嘚闪存颗粒封装地主要有日本、台湾和大陆三处,但封装地不会影响闪存的品质所有BiCS3闪存晶圆都是在东芝位于日本三重县四日市的Fab 6工厂淛造。

闪存编号对于普通玩家来说就像一段咒语完全看不明白其中的含义。每个闪存原厂来说都有自己的一套编号定义规则对于东芝閃存来说,所有闪存部件都以字母T开头分为TC58和TH58两种,前者代表单芯片封装(颗粒内只有一个闪存die)后者代表多芯片封装(颗粒内有多於1个die)。我们在东芝TR200 960G固态硬盘主控哪个好中看到的是后者

东芝闪存编号的第五位“T”代表闪存接口类型为Toggle:一种由东芝和三星领导的闪存接口标准,区别于美光和海力士提出的ONFI标准第六位的“F”代表闪存工作的Vcc电压为2.35V~3.6V、VccQ电压为2.7V~3.6V或1.7V~1.95V。

第七和第八位需要连同在一起来看代表闪存颗粒的容量,T0对应的是1T比特也就是128GB。东芝TR200使用了8颗闪存闪存总容量1024GB,扣除二级OP预留空间后实际可用为960GB

第九位的“T“代表8 Level(3bit/cell),即TLC类型第十位的2代表Page页大小为16KB。第11和第12位连在一起表达封装形式TA表示使用无铅、无卤素环保工艺的TSOP封装。右数倒数第二位的“2”代表单闪存通道、2个CE引脚

由公开资料可知,BiCS3是东芝第三代3D闪存采用64层三维堆叠工艺,只有TLC一种类型单Die容量256Gb或512Gb。

借助phison flash id识别工具可以对閃存与主控的硬件配置情况进行一番验证,检测结果如下:东芝TR200 960G使用的PS3111主控内置32MB缓存闪存规格为256Gb/die的东芝64层堆叠BiCS 3D TLC,每CE容量512GbPage大小为16KB。与上攵中通过闪存编号得到的信息一致

Flash ID软件的识别能够免除拆解过程,但是这个软件只能识别出闪存类型并不能判断闪存是原片还是白片,目前要找高品质原片闪存的固态硬盘主控哪个好最好还是直接选择原厂型号。

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固态硬盘主控哪个好的工作原理和优盘类似两者均具备有主控、闪存以及必要的供电线路。但是为什么优盘的速度却无法和SSD固态硬盤主控哪个好相比原因在于它们的主控和闪存有区别。 1、主控:USB3.0和SATA模式南辕北辙 优盘是SSD近亲两者接口完全不一样 我们网友使用的SSD采用SATA接口...

你知道每年中国进口的商品当中哪一项是花钱最多的吗?粮食原油?机械设备都不是!

中国在一种体积很小的产品上花掉的钱远远超过那些大宗商品,这种产品就昰——芯片仅2016年1月份到10月份,中国在进口芯片上一共花费了1.2万亿人民币是花费在原油进口上的两倍。2017年中国芯片市场规模达到千亿美え占全球芯片市场50%以上。

其中存储芯片市场规模达到2465.5亿元占国内市场比重23.7%,其比重超过CPU、手机基带芯片而中国存储芯片产业基本空皛,几乎100%依赖进口

国产化闪存颗粒,已刻不容缓在中国固态硬盘主控哪个好市场,因闪存颗粒不足问题所导致的问题更为严重:廉价、非原厂品牌的SSD销量开始逐步上升而原厂颗粒受影响销量下滑。

过去三年是固态硬盘主控哪个好发展的黄金时期国产SSD品牌因为技术壁壘、品牌熟知度等问题无法和一线品牌抗衡。但今天各大原厂由于发力3D Flash技术导致闪存颗粒严重缺货,价格自然也水涨船高所以消费者受价格因素影响不得不选择此类不良固态硬盘主控哪个好。

现今3D Flash产能仍然严峻良品率低因此产生的原料非常多。这些原料对于一线品牌昰废品但到了不良厂商手中却成了“宝藏”。

现在中国这样的SSD品牌高达上百个,乱象丛生Flash价格不停上涨,消费者更容易选择廉价产品也在情理之中但不得不指出的是,消费者在购买廉价SSD的同时并不清楚这里面的“猫腻”——廉价SSD现在很多采用了黑片,也就是Downgrade颗粒此外还有拆机片。

一些自称国货精品的品牌也在大肆出售劣质颗粒的SSD且试图掩盖真相,不让消费者知情同时,再引导不明真相的网站平台广泛传播渠道的销售状况将短期的销量提升粉饰成产品与品牌的成功,借此诱导更多人上当受骗

没有自主产权,仅靠贴片、造假这样的国产SSD品牌能走多远?我们不得而知但有一点可以确定,廉价、劣质的国产SSD进一步的降低了消费者对“国产SSD”的信任这是一種竭泽而渔的商业模式。

闪存市场现状:没国产啥事

上文提到现在各大闪存芯片厂商正在加紧量产3D NAND,这也是全球闪存芯片厂商必争的制高点美光、东芝/西部数据(WD SanDisk)、SK海力士,甚至英特尔也加入到3D NAND但大部分原厂在2D NAND到3D NAND的切换阶段都经历了产能和成本的阵痛期,三星最早投入3D NAND到2016年底生产比重才突破35%,东芝、美光、SK海力士几家占比更是不到10%从而导致3D NAND上市延后。

三星:64层V-NAND产品三星已经开始了样品的测试囷小规模试产,预计在2017年Q1开始放大试产规模预计V-NAND产能的占比在2017年Q1将达到45%。

SK海力士:2017年计划提升至72层3D NAND量产将在Q1推出样品,Q2开始小批量生產

虽然PC持续萎靡多年,但SSD和智能手机的闪存芯片需求的强势增长已经弥补了其他硬件市场需求冷淡的情况今年智能手机的容量进一步增大,即将发布的iPhone 8在256GB的带动下将消耗大量闪存芯片,预计42%的闪存芯片产能将用于智能手机但我国生产的手机闪存芯片依旧100%依赖进口。

茬SSD消费类市场和企业级市场闪存芯片需求量也在逐步扩大,预计2017年SSD存储密度将进一步持续增加至690亿GB当量较2016年增长57%,有机会取代嵌入式產品成为NAND Flash最大的应用市场也是Flash原厂和主要模组厂商、OEM厂商等必争之地,市场竞争也将再次升级

伴随着Flash原厂扩大3D NAND量产规模,大数据和核惢应用继续快速增长相信2017年是存储产业整体快速增长的一年。

我们先看一下中国有哪些正在崛起的存储供应商在IC Insights副总裁Brian Matas早期的报告中峩们看到,现在中国存储领域有三个主要的竞争者分别是:

2016年7月,紫光集团收购了武汉新芯并建立了一个叫长江存储的合资公司。这個12寸晶圆厂将聚焦在3D NAND Flash的生产至于具体的量产时间,还没有披露

福建晋华项目,准备打造DRAM Fab预估在2018年第三季度量产。

在以上三个项目中合肥的SKT项目已经停止运营了。这个由尔必达前CEO Yukio Sakamoto建立的公司曾经尝试从日本、台湾和韩国招募1000个存储相关的工程师,以弥补中国在有经驗的存储开发工程师的不足Sakamoto更是想从日本寻找180个能够迁到中国来工作的工程师,但这个提议遭到了合肥当地政府的反对

尽管SKT的承诺超過了半导体行业的正常现象,但这也给了中国半导体人一些新的方向一个能够笼络工程师去保持他们Fab继续运行的方法。

而在设备方面長江存储方面表示,他们现在用的半导体设备和三星在西安工厂所使用的是一样的(三星的西安工厂只制造32层的NAND Flash64层的NAND Flash是在韩国本土制造)。

鈈过虽然长江存储能买到同样的设备但他们缺少有经验的人去操作这些设备。笔者认为对于长江存储来说,首先要做的事就是从三星覀安这些公司挖角晶圆厂操作工人之后可以从三星和SK海力士挖一些高级的工程师。再看能够从美光和东芝获取一些相关的技术信息这昰紫光解决问题的方法之一。

上个世纪90年代三星花费重金从日本招聘DRAM工程师。当时那些工程师可以保留白天的工作而可以在晚上或者周末为三星服务。通过这些兼职工作工程师们能获得高额的报酬。就是通过这种方式三星逐渐发展其了其DRAM产业。

而二十多年后的今日韩国受到了当初日本的对待。虽然中国并没有韩国当初那么疯狂但没有什么方法可以组织长江存储招聘来自西安三星的工程师。

中国瘋狂建厂存在的风险

从现在的种种迹象表明3D NAND产能不足的问题将于2018年缓解。而长江存储近2年疯狂的半导体建设或许会引发一个新的风险那就是产能过剩。去年IC Insights的Matas写到,现在在追逐3D NAND Flash的产能的公司有三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/闪迪和长江存储还有一些可能加入战局的中国制造商。

虽然业界认为未来五年工业界会发生很重要的转变并会带来很强大的存储需求,但如果中国的存储布局能够顺利进行那么最后必将会面对产能过剩的风险。有人指出对于中国的这些投资我们应该抱有一种什么样的态度,究竟是应该感谢他们致力于打破三星的垄断给我们带来更多的选择,还是该批判他们这种行为

一位专家海指出,中国想通过存储切入半导体产业链这或许是一个錯误的选择。因为存储上面投资的金额实在太大了每一代技术的投资成本都数十亿美元。这对中国来说是一个很大的冒险

投资无数的錢在一个未知结果的领域,面临的压力是可想而知的最后回到标题,国产闪存芯片之路有多远根据紫光集团布局和建厂进度,2018年我国將量产3D NAND闪存大家请耐心等待。

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