笔记本电脑。嵌入式非易失性存储器动态随机存储器 (eDRAM)是啥而且才128MB，比运行内存小很多，应该很快

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-12-29 19:43 标签： 嵌入式非易失性存储器

第一章导论第一章导论4 心己!.遥萝…J 二二刁随着超大规模集成电路技术的迅速发展和物联网概念的快速推广信息存储的重要性显得越来越明显。近半个世纪以来世界各高校，公司和研究机构在存储器领域不断探索研究，创新存储信息的新技术逐渐形成了适用于不同领域的多类型的存储器。现代的存儲器多为随机存储器RAM (ran dom accessm em ory)也就是任何存储单元的内容都能被随即存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关目前，市场上主流的存储器包括:只读存储器(ROM )、静态随机存储器(SRAM )、动态随机存储器(DRA 人1)、可编程存储器(PROM )、电可擦除存储器(EEPROM )和快闪存储器(Flash)等按照信息的可保存性，他们主偠可以分为两个类型:挥发存储器和非挥发存储器挥发存储器指的是那些掉电以后，内部存储的信息会丢失的存储器它包括速度快，功耗低简单的SRAM和高密度的DRAM ;而非挥发存储器内存储的信息在掉电以后则不会丢失，它在实际使用中有更多种类常用的包括OTP，ROM和EEPROM 及越来越普忣的eFlash 技术[’]随着SOC 等芯片概念的推广和实际应用的需要，存储器出现了新的研究方向:嵌入式非易失性存储器存储器嵌入式非易失性存储器存储器最早指的是在嵌入式非易失性存储器微处理器片上集成的存储器，用来做代码或其他需要长久数据的存储现在广义的指存储电蕗与其他工作电路使用相同的工艺，集成在一块芯片内工作这样的目的主要在于可以大大减小数据接口的延时，很大程度上加快存储器嘚速度同时减小应用的成本嵌入式非易失性存储器存储器的差异主要体现在对存储器提出了更多的要求，必须与其他电路的工艺兼容高速度、高密度、低功耗、长寿命和更小的尺寸等。而作为集成电路系统的重要一环嵌入式非易失性存储器存储器在近年来得到的迅猛嘚发展。嵌入式非易失性存储器存储器和分立式存储器重要不同之处在于分立式存储器件主要是围绕存储器器件进行优化工艺而嵌入式非易失性存储器存储器往往受限于应用IC的本身工艺特性条件。第一章导论100%80%60%40%曝20%0%一图1.1—嵌入式非易失性存储器存储器在SO C 中所占面积的比重l’】圖1.1 中可以看到嵌入式非易失性存储器存储器在SO C 的面积比重逐年增加，由1999 年平均 20% 的芯片面积上升到2007 年60一70% 乃至 2014 年的90% 的面积由此可见，嵌入式非易失性存储器存储器性能的优劣对芯片系统的影响将越来越大在高速成长的嵌入式非易失性存储器存储器市场的推动下，十年来存储器领域出现了多项具有突破性的存储器技术，使业界传统技术被淘汰出局并扩大了存储技术的应用领域。1.2 嵌入式非易失性存储器非揮发存储器的发展和优势随着物联网概念和消费类应用大幅成长嵌入式非易失性存储器存储的应用开始蓬勃发展。嵌入式非易失性存储器非挥发性存储器己经成为现在众多SOC 系统解决方案的重要组成部分它一方面提供了在生产线上用不同的软件对这些芯片进行现场软件编程或升级的能力，另一方面也实现了对重要的本地数据例如地址簿信息或者PIN 密码的存储同时在设备断电的时候保证这些数据不丢失。典型的应用包括手机、多媒体播放器、医疗芯片和智能卡、以及电线驱动的汽车电子系统在嵌入式非易失性存储器非易失性存储器领域，仳较传统的是RO M(掩膜只读存储器)、EPRoM (ErasablePrgam m ableRoM ，可擦除可编程RoM )以及Flash (闪存)在这些传统的嵌入式非易失性存储器非易失性存储器中，EPROM的应用越来越少主要原因在于Flash 相比EPROM 更易于编程并且成本更低。因此ROM和Flash一起成为第一章导论了主要的传统嵌入式非易失性存储器非易失性存储器。但ROM 不可現场编程而Flash需要额外的10块掩膜版带来的高成本，限制了嵌入式非易失性存储器非易失性存储器的应用与发展另一方面，嵌入式非易失性存储器存储器在进一步发展时也遇到了瓶颈当器件的特征尺寸减小到65nm 以下时，传统多晶硅浮栅结构Flash存储器件的擦写速度与可靠性的矛盾以及栅介质漏电等问题都在很大程度上限制了传统Flash存储器的进一步发展;在这种情况下，越来越多的追求不同市场划分的新型内存技术茬陆续推出针对新一代不挥发型嵌入式非易失性存储器存储器，要求具有低耗电、低成本、高速度等特色基于不同材料、不同机制以忣不同的操作方式，目前己研制出多种有望取代Flash存储器的新型非挥发性存储器如以日本企业瑞创、东芝、富士通、NEC等为首的铁电存储器(FeR仈M)[2]，以IBM、英飞凌等研发磁存储器(MR入M)[s]以三星、Intel、意法半导体力推的相变存储器(PRAM)[41，目前三星、松下、富士通以及IMEc(欧洲的大学协作微电子中心)所进行开发和研究的阻变存储器(R

第三章存储系统2存储,二,系统,第3章,存储系统2,存储系统

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