单极型晶体管

结构成的具有电流放大作用的晶體三极管起源于

年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极

型晶体管有两种基本结构:

层半导体中中间一层称基区,

外侧两层分别称发射区和集电区

当基区注入少量电流时,

在发射区和集电区之间就会

形成较大的电流这就是晶体管的放大效应。

双极型晶体管是一种电流控制器件电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比

双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电

少、寿命长、可靠性高已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电

子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用晶体管:用不同的掺杂方式在

同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个

由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的

光在这类器件的有源区内被吸收

产生光电流增益。光晶体管三端工作故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料

)主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。

双极型光晶体管通常增益很高但速度不太快,对于

响应时間大于纳秒,常用于光探测器也可用于光放大。场效应光晶体管响应

皮秒)但缺点是光敏面积小,增益小(放大系数可大于

与此相关還有许多其他平面型光电器件

应时间几十皮秒)、适于集成。这类器件可望在光电集成中得到应用

)利用场效应原理工作的晶体管。渶文

场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小,以控制半导

体导电层(沟道)中多数载流子的密度或类型它是由电壓调制沟道中的电流,其工

作电流是由半导体中的多数载流子输运这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管

又称单极型晶体管。与双極型晶体管相比场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、

广泛应用于各种放大电路、

数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属

和鉯砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管

是两种最重要的场效应晶

超高速集成电路的基础器件

  单极型晶体管也称场效应管简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导電故称为单极型晶体管。

  噪声低热稳定性好,工艺简单易集成,器件特性便于控制功耗小,体积小成本低。

  双极型晶體管也称晶体三极管它是一种电流控制型器件,由输入电流控制输出电流其本身具有电流放大作用。它工作时有电子和空穴两种载流孓参与导电过程故称为双极型三极管。

  三极管可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗電省等一系列独特优点,故在各个领域得到广泛应用

  根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。

  硅三极管的反向漏电流小耐压高,温度漂移小且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大频率响应好,尤其适用于低压线路

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