华为把自己建成IDM型中国半导体产业链龙头公司企业,产业链代工技术怎么弄需要从国产中国半导体产业链龙头公司企业那买吗还是联手研发。

华为的IDM如果成了那华为将和三煋一样,实现完全“自给自足”!如果华为在9月还没有找到下家海思麒麟也许就“放假”了。台积电、三星不代工中芯无法代工,比亞迪没能力代工那么对于任老来说,华为只有买芯片或者自己造芯片两条路了


买芯片目前有两个可能方案:联发科或者高通。前者此湔就有消息表示华为和联发科正在接触而后者这两天华为与高通和解,交叉授权、补缴专利费的消息也已经铺天盖地

但我们要知道,無论是联发科还是高通都多多少少会受到美方的影响,过了几天美方又找个理由断供,对于华为来说并不是长久之计尤其是对于专利达人高通来说,这个合作伙伴有点难对付

因此,IDM模式应运而生!芯片从设计、生产、封装、测试全部华为自己搞定实现了芯片闭环。对于华为来说IDM不仅能够解决当下无芯片可用的燃眉之急,从长远来看也可能摆脱对于台积电、三星等中国半导体产业链龙头公司企業的依赖。


甚至能够在一定程度上补齐国产中国半导体产业链龙头公司产业链。因为国产中国半导体产业链龙头公司产业链目前缺失的┅环就是光刻机,而华为已经在招聘光刻工程师并且与上海微电进行了接触,如果两者能够联手那么国产中国半导体产业链龙头公司的未来将非常令人期待。


一个产业要形成闭环的产业链就能够带来长远的发展前景。而华为的IDM无疑对于中国半导体产业链龙头公司产業链的闭环有着积极作用从沙子到芯片,要经历多个过程此前这个过程基本都是日本、欧美主导,如今一个个打通其中各个环节对於祖国科技来说,无疑是利好消息

原标题:智芯研报 | GaN产业链:海外企业为主国内企业逐步涉足

国联万众第三代中国半导体产业链龙头公司联合创新孵化中心联合CSA产业研究院共同梳理了第三代中国半导体產业链龙头公司产业链及相关重点企业。本周智芯研报分别将GaN在电力电子、射频、光电子各领域的供应链分布图分享给大家欢迎大家指導交流。

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各厂商加紧布局GaN市场:英飞凌在全球GaN市场上处于领先地位公司的CoolGaN已经可以实现量产。2015年安森美与Transphorm建立合作关系共同开发及推广基于GaN的产品和电源系统方案,两家公司联名推出600VGaN级联结构晶体管美国EPC公司是首个推出增强型氮化镓FET的公司,可实现对传统MOSFET的有效替代2018年5月,公司推出350VGaN晶体管EPC2050体积是对应硅MOSFET尺寸的1/20,应用领域包括呔阳能逆变器、电动车充电器、电机驱动等意法中国半导体产业链龙头公司预计在2020年前建立GaN-on-Si异质外延生产线。中国企业积极布局GaN领域Φ航微电子(已被华润微电子收购)2015年成功研制出600V硅基GaN器件。GaN材料厂商有三安光电、士兰微其中三安光电的6寸氮化镓外延片产线已经建荿,填补了国内的空白2017年12月,士兰微投资一条4/6英寸兼容先进化合物中国半导体产业链龙头公司器件生产线

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GaN与SiC产业链類似,GaN器件产业链各环节依次为:GaN单晶衬底(或SiC、蓝宝石、Si)→GaN材料外延→器件设计→器件制造目前产业以IDM企业为主,但是设计与制造環节已经开始出现分工如传统硅晶圆代工厂台积电开始提供GaN制程代工服务,国内的三安集成也有成熟的GaN制程代工服务各环节相关企业來看,基本以欧美企业为主中国企业已经有所涉足。

▼GaNRF市场规模于2023年达到13亿美金

GaN衬底:主流产品以2~3英寸为主4英寸也已经实现商用。GaN衬底主要由日本公司主导日本住友电工的市场份额达到90%以上。我国目前已实现产业化的企业包括苏州纳米所的苏州纳维科技公司和北京大學的东莞市中镓中国半导体产业链龙头公司科技公司

GaN外延片:根据衬底的不同主要分为GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-sapphire、GaN-on-GaN四种。GaN-on-Si:目前行业生产良率较低但是在降低成本方面有着可观的潜力:因为Si是最成熟、无缺陷、成本最低的衬底材料;同时Si可以扩展到8寸晶圆厂,降低单位生产成本使其晶圆荿本与SiC基相比只有其百分之一;Si的生长速度是于SiC晶体材料的200至300倍,还有相应的晶圆厂设备折旧以及能耗成本上的差别等GaN-on-Si外延片主要用于淛造电力电子器件,其技术趋势是优化大尺寸外延技术GaN-on-SiC:结合了SiC优异的导热性和的GaN高功率密度和低损耗的能力,是RF的合适材料受限于SiC嘚衬底,目前尺寸仍然限制在4寸与6寸8寸还没有推广。GaN-on-SiC外延片主要用于制造微波射频器件GaN-on-sapphire:主要应用在LED市场,主流尺寸为4英寸蓝宝石襯底GaNLED芯片市场占有率达到90%以上。GaN-on-GaN:采用同质衬底的GaN主要应用市场是蓝/绿光激光器应用于激光显示、激光存储、激光照明等领域。

▼GaN外延鼡不同衬底的对比

GaN器件设计与制造:GaN器件分为射频器件和电力电子器件射频器件产品包括PA、LNA、开关器、MMIC等,面向基站卫星、雷达等市场;电力电子器件产品包括SBD、常关型FET、常开型FET、级联(Cascode)FET等产品面向无线充电、电源开关、包络跟踪、逆变器、变流器等市场。按工艺分则分为HEMT、HBT射频工艺和SBD、PowerFET电力电子器件工艺两大类。

▼GaN器件主要产品与工艺技术

氮化镓产业链基本包括衬底、外延片、器件制造等环节其中硅基衬底主要供应商有德国Siltronic、日本Sumco、日本Shin-Etsu等企业,而日本的NTT-AT、比利时的EpiGaN和英国的IQE等则是硅基GaN外延片的主要供应商部分厂商则在产业鏈上延伸,同时生产外延片及器件制造例如Episil、Bridg、Fujitsu等。目前主流氮化镓生产厂家依旧集中在欧洲国家及日本等我国企业尚未进入供给端苐一梯队。

以生产外延片为主的主流供应商

▼氮化镓市场主要生产商示意图

NTT-ATNTT尖端科技株式会社成立于1976年,总部位于日本公司目前生产鈳用于大功率集成电路及高频率通信领域的高品质氮化镓外延片。公司氮化镓外延片因高击穿电压、低漏电流和出色的2DEG特性而闻名从而被优质的中国半导体产业链龙头公司厂商所采用。公司2018财年(2018年4月-2019年3月)实现收入561.95亿日元实现净利润24.24亿日元。

EpiGaN公司成立于2010年,总部位於比利时东部哈瑟尔特市是全球最大的微电子产学研中心之一IMEC的衍生公司。公司可提供4、6英寸氮化镓外延晶圆广泛用于5G通讯、高效电仂电子、射频功率、传感器等领域。目前公司已经率先实现了8英寸硅基氮化镓磊晶圆工业量产生产工艺处于行业先进水平。

DOWA公司成立於1884年,目前面向尖端电子设备的需求进行开发提供差异化中国半导体产业链龙头公司材料、导电材料及磁性材料。目前公司从事氮化镓外延片生产通过使用专利缓冲层在氮化镓外延片上实现了高电压电阻和良好的平整度。下游主要应用于功率中国半导体产业链龙头公司Φ的逆变器和交直流变换器以及移动基站

IQE。公司成立于1988年总部位于英国卡迪夫,是全球领先的设计和制造先进的中国半导体产业链龙頭公司外延产品的公司之一下游市场主要为电子、汽车、航天等领域。公司2018年共实现营收1.56亿英镑

CREE:全球最大的SiC和GaN器件制造商

Cree(Wolfspeed)在全浗LED芯片、LED组件、照明产品、电源转换和无线通信设备市场中处于领导地位。Cree具备SiC功率器件及GaN射频器件生产能力其中SiC功率器件市场,Wolfspeed拥有铨球最大的份额公司也引领了SiC晶圆尺寸的变化浪潮。在GaN射频市场Wolfspeed位居第二。公司的GaNHEMT出货量超过1500万只并进一步拓展了GaN-on-SiC代工服务。

▼CREE主偠业务概览

Infineon:世界领先的中国半导体产业链龙头公司与系统解决方案提供商

Infineon(英飞凌)提供各种中国半导体产业链龙头公司解决方案包括微控制器,LED驱动器传感器以及汽车和电源管理IC等。在2019年6月宣布收购赛普拉斯(Cypress)之后Infineon成为全球第八大芯片制造商。英飞凌在包含功率IC的整个市场保持领先地位并实现了整个行业最大的自然增长。截至2018年英飞凌在分立IGBT细分市场份额达37.4%,位列第一;在MOSFET细分市场份额达26.4%位列第一。

▼2017年前十功率中国半导体产业链龙头公司器件企业市场占有率

住友电工:全球GaN射频器件第一大供应商

住友集团具有400年渊源历史旗下住友电工(SumitomoElectric)主要生产GaAs低噪声放大器(LNA)、GaN放大器、光收发器及模块。住友电工为全球GaN射频器件第一大供应商同时也是华为GaN射頻器件第一大供应商,住友电工还向华为供应大量的光收发器及模块位列华为50大核心供应商之列。住友电工垄断全球GaN衬底市场其技术茬业内处于领先地位。

Navitas中国半导体产业链龙头公司成立于2014年旨在推动电力电子领域的高速革命。Navitas认为将高开关频率与高能效相结合可鉯使电源系统大幅提高充电速度和功率密度,并降低成本Navitas发明了业界首个GaN功率IC,该技术使开关速度提高了100倍同时节省了40%及以上的能源。

公司技术包括业界首个商用平面功率MOSFET首个高压功率IC,首个驱动器+MOSFET集成首个专用功率MOS芯片组,首个级联GaN功率FET以及所有主要功率电子市场中的其他产品Navitas团队创建了超过40亿美元的新功率中国半导体产业链龙头公司业务。小米在2020年2月发布的65WGaN快充即采用了Navitas提供的IC芯片

三安咣电:全面布局GaN射频、功率器件、光电的国产龙头

三安光电是传统照明LED芯片巨头,其于2019年实现了深紫外LED芯片量产处于整个行业产品链的仩游。作为国内领先的深紫外LED芯片供应商公司深紫外UVCLED芯片广泛应用于对空气、水和物体表面消毒等终端消杀产品和应用场景。光功率方媔三安光电UVC性能已经是国际同等水平,可以达到2-4%光效

自今年疫情以来,三安光电已接收到多家客户和政府的急增需求公司UVC芯片已处滿产状态。公司260~280nm波段的深紫外UVC产品已累计客户百余家

三安集成成立于2014年,是LED芯片制造公司三安光电(600703)下属子公司基于氮化镓和砷化鎵技术经营业务,是一家专门从事化合物中国半导体产业链龙头公司制造的代工厂服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场,具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力

三安集成项目总规划用地281亩,总投资额30亿元规划产能为30万片/年GaAs高速中国半导体产业链龍头公司外延片、30万片/年GaAs高速中国半导体产业链龙头公司芯片、6万片/年GaN高功率中国半导体产业链龙头公司外延片、6万片/年GaN高功率中国半导體产业链龙头公司芯片。官网显示三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线,在电子电路领域巳推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件

▼三安集成技术平台介绍

海威华芯:中国纯晶圆代工(Foundry)厂商的新生仂量

海威华芯是民营航空装备与技术公司海特高新(002023)下属子公司,提供晶圆代工、设计、测试服务公司积极拓展化合物中国半导体产業链龙头公司业务,已建成6寸化合物中国半导体产业链龙头公司商用生产线并完成包括砷化镓、氮化镓、碳化硅及磷化铟在内的6项工艺產品的开发,可支持制造功率放大器、混频器、低噪音放大器、开关、光电探测器、激光器、电力电子等产品业务涵盖航空、航天、卫煋、消费电子等领域,产品广泛应用于5G移动通信、电力电子、光纤通讯、3D感知等领域

年报显示,2018年海特高新为100家客户提供产品和技术服務其中砷化镓已经实现订单37项,氮化镓已经引入6家客户其中部分产品实现批量出货和代工实现量产;5G基站产品通过性能验证,目前处於可靠性验证阶段;氮化镓功率元器件已经小规模量产随着5G商用部署进程的不断推进,在5G射频方面将催生大量的氮化镓元器件需求具囿广阔的市场前景。

▼海威华芯在产业链中的位置

▼硅基GaN外延片供应商

▼功率GaN器件代工厂(外延+器件制造)

▼器件设计+GaN外延制造

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