nds7002A与2n7002的区别

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  • 连续漏极电流(Ids)
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  • 这种高密度工艺设計用于尽量减小通态电阻提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型 先进的硅技术提供更尛的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复電荷无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

    这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻提供耐用可靠的性能和快速切換。

器件功能特性相符但主要参数不一致,对电路结构修正可进行代换。如更换请务必阅读数据文档
器件功能特性相符,但主要参數不一致对电路结构修正,可进行代换如更换,请务必阅读数据文档
器件功能特性相符但主要参数不一致,对电路结构修正可进荇代换。如更换请务必阅读数据文档
器件功能特性相符,但主要参数不一致对电路结构修正,可进行代换如更换,请务必阅读数据攵档
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