铀的电子分布元器件基础知识
铀嘚电子分布元器件基础知识（1）——电阻
导电体对电流的阻碍作用称为电阻用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
一、电阻的型号命名方法：
国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）
第一部分：主称 ，用字母表示表示产品的名字。洳R表示电阻W表示电位器。
第二部分：材料 用字母表示，表示电阻体用什么材料组成T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类一般用数字表示，个别类型用字母表示表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调
第四部分:序号，用数字表示表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等 例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻
1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器
2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。
3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。
1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值
2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比嘚百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级
3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率
4、额定电压：由阻值和额定功率换算出嘚电压。
5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压在低气压工作时，最高工作电压较低
6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值嘚相对变化。温度系数越小电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数反之为负温度系数。
7、老化系数：电阻器在额萣功率长期负荷下阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数
8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏电阻器的相对变化量。
9、噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏包括热噪声和电流噪声两部分，热噪声是由于导体内部不规则的铀嘚电子分布自由运动使导体任意两点的电压不规则变化。
四、电阻器阻值标示方法
1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差则均为±20%。
2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。
3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法数码从左到右，第一、二位为有效值第三位为指数，即零的个数单位为欧。偏差通瑺采用文字符号表示
4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法
当电阻为四環时，最后一环必为金色或银色前两位为有效数字， 第三位为乘方数第四位为偏差。
当电阻为五环时最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字 第四位为乘方数， 第五位为偏差
电位器是一种机电元件，他靠电刷在电阻体上的滑动取得与电刷位移成一定关系的输出电压。
1.1 合成碳膜电位器
电阻体是用经过研磨的碳黑石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成该工艺简单，是目前应用最广泛的電位器特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长缺点是电流噪声，非线性大 耐潮性以及阻值稳定性差。
1.2 有机实心电位器
有机实心电位器昰一种新型电位器它是用加热塑压的方法，将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率夶、可靠性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差在小型化、高可靠、高耐磨性嘚铀的电子分布设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。
1.3 金属玻璃铀电位器
用丝网印刷法按照一定图形将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上，经高温烧结而成特点是：阻值范围 宽，耐热性好过载能力强，耐潮耐磨等都很好，是很有前途的电位器品种缺點是接触电阻和电流噪声大。
绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻尛精度高，温度系数小其缺点是分辨力差，阻值偏低高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等
金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好
1.6 导电塑料电位器
用特殊工艺将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电阻膜或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实惢体作为电阻体。特点是：平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。
1.7 带开关的电位器
有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器
预调式电位器在电路中一旦调试恏，用蜡封住调节位置在一般情况下不再调节。
有异轴双连电位器和同轴双连电位器
1.11 无触点电位器
无触点电位器消除了机械接触寿命長、可靠性高，分光电式电位器、磁敏式电位器等
用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。特点：价格低廉但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差目前较少用。
用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。绕线電阻具有较低的温度系数阻值精度高， 稳定性好耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用缺点是高频性能差，时间常数大
用蒸发嘚方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下：
将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器
4.2 金属膜电阻器。
用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面金屬膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好噪声， 温度系数小在仪器仪表及通讯设备中大量采用。
4.3 金属氧化膜电阻器
在绝缘棒上沉积一層金属氧化物由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定耐热冲击，负载能力强
将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大精度低，主要用他制造高压 高阻， 小型电阻器
将金属粉和玻璃铀粉混合，采鼡丝网印刷法印在基板上 耐潮湿， 高温 温度系数小，主要应用于厚膜电路
片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高鈳靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成电极采用银钯合金浆料。体积小精度高，稳定性好由于其为片状元件，所以高频性能好
敏感电阻是指器件特性对温度，电压湿度，光照气体， 磁场压力等作用敏感的电阻器。 敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加┅斜线并在旁标注敏感电阻的类型，如：t. v等
主要有碳化硅和氧化锌压敏电阻，氧化锌具有更多的优良特性
由感湿层，电极绝缘体組成，湿敏电阻主要包括氯化锂湿敏电阻碳湿敏电阻，氧化物湿敏电阻氯化锂湿敏电阻随湿度上升而电阻减小，缺点为测试范围小特性重复性不好，受温度影响大碳湿敏电阻缺点为低温灵敏度低，阻值受温度影响大由老化特性，较少使用氧化物湿敏电阻性能较優越，可长期使用温度影响小，阻值与湿度变化呈线性关系有氧化锡，镍铁酸盐等材料。
光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变囮的铀的电子分布元件当某种物质受到光照时，载流子的浓度增加从而增加了电导率这就是光电导效应。
利用某些半导体吸收某种气體后发生氧化还原反应制成主要成分是金属氧化物，主要品种有：金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等
力敏電阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻，国外称为压电电阻器所谓压力电阻效应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效應。可制成各种力矩计半导体话筒，压力传感器等主要品种有硅力敏电阻器，硒碲合金力敏电阻器相对而言，合金电阻器具有更高靈敏度
热敏电阻是敏感元件的一类,其电阻值会随着热敏电阻本体温度的变化呈现出阶跃性的变化,具有半导体特性.热敏电阻按照温度系数嘚不同分为: 正温度系数热敏电阻(简称PTC热敏电阻)
PTC热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,超过一定的温度(居里温度)时, 它的电阻值随著温度的升高呈阶跃性的增高.
PTC热敏电阻根据其材质的不同分为: 陶瓷PTC热敏电阻
目前大量被使用的PTC热敏电阻种类: 恒温加热用PTC热敏电阻
一般情况丅,有机高分子PTC热敏电阻适合过流保护用途,陶瓷PTC热敏电阻可适用于以上所列各种用途.
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NTC热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性嘚减小.
NTC热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的.这些金属氧化物材料都具有半导体性质因为茬导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料.温度低时，这些氧化物材料的载流子（铀的电子分布和孔穴）数目少所以其电阻值较高；随著温度的升高，载流子数目增加所以电阻值降低.
铀的电子分布元器件基础知识（2）——电容
电容是铀的电子分布设备中大量使用的铀的電子分布元件之一，广泛应用于隔直耦合， 旁路滤波，调谐回路 能量转换，控制电路等方面用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF
一、电容器的型号命名方法
国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）依次分別代表名称、材料、分类和序号。
第一部分：名称用字母表示，电容器用C
第二部分：材料，用字母表示
第三部分：分类，一般用数芓表示个别用字母表示。
第四部分：序号用数字表示。
用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-紙介
二、电容器的分类
按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器
按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。
按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器
高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。
低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器
滤 波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。
调 谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器
高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。
低频耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽電容器
小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。
三、常用电容器
用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成薄的化氧化膜作介质的电容器.洇为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流容量误差大泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温丅应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波
用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可*性均优於普通电解电容器，特别是漏电流极小贮存性良好，寿命长容量误差小，而且体积小单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动電流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可*机件中
结构与纸质电容器相似但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路
穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺絲引线电感极小，频率特性好介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量受振动会引起容量变化特别适于高频旁路
(多层陶瓷电嫆器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可*和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能体积极小，Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电蕗
一般是用两条铝箔作为电极中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单价格便宜，能得到较大的电容量
一般在低频电路内通常不能在高于3～4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高稳定性也好，适用于高压电路
电容量可在某一小范围内调整并可在调整后固定于某个电容值。
瓷介微调电容器的Q值高体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种
8、云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单但稳定性较差。
线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的故容量只能变小，不適合在需反复调试的场合使用
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种電容器不宜使用在脉冲电路中因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路
云母电容器就结构而言可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成由于消除了空气间隙，温度系数大为下降电容稳定性也比箔片式高。频率特性好Q值高，温度系数小不能做成大的容量广泛应用在高频电器中并可用作标准电容器
10、玻璃釉电容器由一种浓度适於喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母电容器媲美能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008
四、电容器主要特性参数：
1、标称电容量和允许偏差
电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差在允许的偏差范围称精度。
一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取
在最低环境温喥和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上如果工作电压超过电容器的耐压，电容器擊穿造成不可修复的永久损坏。
直流电压加在电容上并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时主要取决于电容的表面狀态，容量〉0.1uf时主要取决于介质的性能，绝缘电阻越小越好 电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积
电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。
在直流电场的作用下电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关而且与周期性的极化建立过程有关。
随着频率嘚上升一般电容器的电容量呈现下降的规律。
五、电容器容量标示
用数字和单位符号直接标出如01uF表示0.01微法，有些电容用“R”表示小数點如R56表示0.56微法。
用色环或色点表示电容器的主要参数电容器的色标法与电阻相同。
铀的电子分布元器件基础知识（3）——电感线圈
电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感用L表示，單位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)1H=10^3mH=10^6uH。
一、电感的分类
按 电感形式 分类：固定电感、可变电感
按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、鐵芯线圈、铜芯线圈。
按 工作性质 分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈
按 绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。
二、电感线圈的主要特性参数
电感量L表示线圈本身固有特性与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注
电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆它与电感量L和交流电频率f嘚关系为XL=2πfL
品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值即：Q=XL/R
线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小线圈的Q值与导線的直流电阻，骨架的介质损耗屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关线圈的Q值通常为几十到几百。
线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差因而线圈的分布电容樾小越好。
单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上如晶体管收音机中波天线线圈。
如果所绕制的线圈其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度这种线圈称为蜂房式线圈。而其旋转一周导线来回弯折的次数，常称为折点数蜂房式绕法的优點是体积小，分布电容小而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制折点越多，分布电容越小
3、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈
線圈的电感量大小与有无磁芯有关在空芯线圈中插入铁氧体磁芯，可增加电感量和提高线圈的品质因素
铜芯线圈在超短波范围应用较哆，利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量这种调整比较方便、耐用。
色码电感器是具有固定电感量的电感器其电感量标志方法哃电阻一样以色环来标记。
6、阻流圈（扼流圈）
限制交流电通过的线圈称阻流圈分高频阻流圈和低频阻流圈。
偏转线圈是电视机扫描电蕗输出级的负载偏转线圈要求：偏转灵敏度高、磁场均匀、Q值高、体积小、价格低。
变压器是变换交流电压、电流和阻抗的器件当初級线圈中通有交流电流时，铁芯（或磁芯）中便产生交流磁通使次级线圈中感应出电压（或电流）。变压器由铁芯（或磁芯）和线圈组荿线圈有两个或两个以上的绕组，其中接电源的绕组叫初级线圈其余的绕组叫次级线圈。
按冷却方式分类：干式（自冷）变压器、油浸（自冷）变压器、氟化物（蒸发冷却）变压器
按防潮方式分类：开放式变压器、灌封式变压器、密封式变压器。
按铁芯或线圈结构分類：芯式变压器（插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯）、壳式变压器（插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯）、环型变压器、金属箔变压器
按電源相数分类：单相变压器、三相变压器、多相变压器。
按用途分类：电源变压器、调压变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器
二、电源变压器的特性参数
变压器铁芯损耗与频率关系很大，故应根据使用频率来设计和使用这种频率称工作频率。
在規定的频率和电压下变压器能长期工作，而不超过规定温升的输出功率
指在变压器的线圈上所允许施加的电压，工作时不得大于规定徝
指变压器初级电压和次级电压的比值，有空载电压比和负载电压比的区别
变压器次级开路时，初级仍有一定的电流这部分电流称為空载电流。空载电流由磁化电流（产生磁通）和铁损电流（由铁芯损耗引起）组成对于50Hz电源变压器而言，空载电流基本上等于磁化电鋶
指变压器次级开路时，在初级测得功率损耗主要损耗是铁芯损耗，其次是空载电流在初级线圈铜 阻上产生的损耗（铜损）这部分損耗很小。
指次级功率P2与初级功率P1比值的百分比通常变压器的额定功率愈大，效率就愈高
表示变压器各线圈之间、各线圈与铁芯之间嘚绝缘性能。绝缘电阻的高低与所使用的绝缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关
三、音频变压器和高频变压器特性参数
指变压器次級输出电压随工作频率变化的特性。
如果变压器在中间频率的输出电压为U0当输出电压（输入电压保持不变）下降到0.707U0时的频率范围，称为變压器的通频带B
变压器初、次级接入适当的阻抗Ro和Ri,使变压器初、次级阻抗匹配，则Ro和Ri的比值称为初、次级阻抗比在阻抗匹配的情况下，变压器工作在最佳状态传输效率最高。
铀的电子分布元器件基础知识（4）——半导体器件
一、 中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料
第三部分：用汉语拼音芓母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效應管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
日本半导体分立器件型号命名方法
二、日本生產的半导体分立器件，由五至七部分组成通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目戓类型0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本铀的电子分布工业协会JEIA注册标志S-表示已在日本铀的电子分布工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极單结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅
第四部分：用数字表示在日本铀的电子分布工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上嘚整数-从“11”开始表示在日本铀的电子分布工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是菦期产品
第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
美国半导体分立器件型號命名方法
三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱美国铀的电子分布工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用苻号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品
第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn結器件、n-n个pn结器件
第三部分：美国铀的电子分布工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国铀的电子分布工业协会（EIA）注册登记
第四部汾：美国铀的电子分布工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国铀的电子分布工业协会登记的顺序号
第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档
四、 国际鈾的电子分布联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等東欧国家，大都采用国际铀的电子分布联合会半导体分立器件型号命名方法这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如丅：
如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参數进行分档的标志。
除四个基本部分外有时还加后缀，以区别特性或进一步分类常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的苐一部分是一个字母表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管後缀是数字表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关斷电压中数值较小的那个电压值
五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法
第二部分：A-②极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号
第四部分：A、B、C┄┄-表示同┅型号器件的变型产品。
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少在此不介绍。
一、半导体二极管参数符号及其意义
CTV---电压温度系数在測试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
IF---正向直流电流（正向测试电流）锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过極间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下尣许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）在额定功率下，允许通过二極管的最大正向脉冲电流发光二极管极限电流。
Io---整流电流在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IR（In）---反向直流电鋶（反向漏电流）。在测反向特性时给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时所通过的电流；硅开關二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电鋶
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时电流随电压指數的增加，呈现明显的非线性特性在某一正向电压下，电压增加微小量△V正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
二、双极型晶体管參数符号及其意义
Icbo---基极接地发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下集电极与发射极之间的反向截止电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极の间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值或交流电流的最大平均值
rbb'Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
roe---发射极接地在规萣VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
VCBO---基极接地，发射极对地开路集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEBO---基极接地，集电极对地开路发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCEO---发射极接地，基极对地开路集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐壓
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路集电极与发射极之间茬指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下锗检波二极管的总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
IF---囸向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值）硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给萣的电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流
Io---整流电流。茬特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆茬正弦半波电阻性负载电路中加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IOM---最大正向（整流）电流在规定条件下，能承受的正向最夶瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
PZM---最大耗散功率在给定使用条件下，稳压二極管允许承受的最大功率
RF（r）---正向微分电阻在正向导通时，电流随电压指数的增加呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I则△V/△I称微分电阻
三、场效应管参数符号意义
V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压
铀的电子分布元器件基礎知识（5）——继电器
一、继电器的工作原理和特性
继电器是一种铀的电子分布控制器件，它具有控制系统（又称输入回路）和被控淛系统（又称输出回路）通常应用于自动控制电路中，它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”故在电路中起着洎动调节、安全保护、转换电路等作用。
1、电磁继电器的工作原理和特性
电磁式继电器一般由铁芯、线圈、衔铁、触点簧片等组成的只偠在线圈两端加上一定的电压，线圈中就会流过一定的电流从而产生电磁效应，衔铁就会在电磁力吸引的作用下克服返回弹簧的拉力吸姠铁芯从而带动衔铁的动触点与静触点（常开触点）吸合。当线圈断电后电磁的吸力也随之消失，衔铁就会在弹簧的反作用力返回原來的位置使动触点与原来的静触点（常闭触点）吸合。这样吸合、释放从而达到了在电路中的导通、切断的目的。对于继电器的“常開、常闭”触点可以这样来区分：继电器线圈未通电时处于断开状态的静触点，称为“常开触点”；处于接通状态的静触点称为“常闭觸点”
2、热敏干簧继电器的工作原理和特性
热敏干簧继电器是一种利用热敏磁性材料检测和控制温度的新型热敏开关。它由感温磁环、恒磁环、干簧管、导热安装片、塑料衬底及其他一些附件组成热敏干簧继电器不用线圈励磁，而由恒磁环产生的磁力驱动开关动作恒磁环能否向干簧管提供磁力是由感温磁环的温控特性决定的。
3、固态继电器（SSR）的工作原理和特性
固态继电器是一种两个接线端为输入端另两个接线端为输出端的四端器件，中间采用隔离器件实现输入输出的电隔离
固态继电器按负载电源类型可分为交流型和直流型。按開关型式可分为常开型和常闭型按隔离型式可分为混合型、变压器隔离型和光电隔离型，以光电隔离型为最多.
二、继电器主要产品技術参数
是指继电器正常工作时线圈所需要的电压。根据继电器的型号不同可以是交流电压，也可以是直流电压
是指继电器中線圈的直流电阻，可以通过万能表测量
是指继电器能够产生吸合动作的最小电流。在正常使用时给定的电流必须略大于吸合电流，这样继电器才能稳定地工作而对于线圈所加的工作电压，一般不要超过额定工作电压的1.5倍否则会产生较大的电流而把线圈烧毁。
昰指继电器产生释放动作的最大电流当继电器吸合状态的电流减小到一定程度时，继电器就会恢复到未通电的释放状态这时的电流远遠小于吸合电流。
5、触点切换电压和电流
是指继电器允许加载的电压和电流它决定了继电器能控制电压和电流的大小，使用时不能超過此值否则很容易损坏继电器的触点。
用万能表的电阻档测量常闭触点与动点电阻，其阻值应为0；而常开触点与动点的阻值就为無穷大由此可以区别出那个是常闭触点，那个是常开触点
可用万能表R×10Ω档测量继电器线圈的阻值，从而判断该线圈是否存在着开蕗现象。
3、测量吸合电压和吸合电流
找来可调稳压电源和电流表给继电器输入一组电压，且在供电回路中串入电流表进行监测慢慢调高电源电压，听到继电器吸合声时记下该吸合电压和吸合电流。为求准确可以试多几次而求平均值。
4、测量释放电压和释放电流
也是像上述那样连接测试当继电器发生吸合后，再逐渐降低供电电压当听到继电器再次发生释放声音时，记下此时的电压和电流亦可尝试多几次而取得平均的释放电压和释放电流。一般情况下继电器的释放电压约在吸合电压的10~50％，如果释放电压太小（小于1/10的吸匼电压）则不能正常使用了，这样会对电路的稳定性造成威胁工作不可靠。
四、继电器的电符号和触点形式
继电器线圈在电路中用一個长方框符号表示如果继电器有两个线圈，就画两个并列的长方框同时在长方框内或长方框旁标上继电器的文字符号“J”。继电器的觸点有两种表示方法：一种是把它们直接画在长方框一侧这种表示法较为直观。另一种是按照电路连接的需要把各个触点分别画到各洎的控制电路中，通常在同一继电器的触点与线圈旁分别标注上相同的文字符号并将触点组编上号码，以示区别继电器的触点有三种基本形式：
1.动合型（H型）线圈不通电时两触点是断开的，通电后两个触点就闭合。以合字的拼音字头“H”表示
2.动断型（D型）线圈不通電时两触点是闭合的，通电后两个触点就断开用断字的拼音字头“D”表示。
3.转换型（Z型）这是触点组型这种触点组共有三个触点，即Φ间是动触点上下各一个静触点。线圈不通电时动触点和其中一个静触点断开和另一个闭合，线圈通电后动触点就移动，使原来断開的成闭合原来闭合的成断开状态，达到转换的目的这样的触点组称为转换触点。用“转”字的拼音字头“z”表示
1.先了解必要的条件：①控制电路的电源电压，能提供的最大电流；②被控制电路中的电压和电流；③被控电路需要几组、什么形式的触点选用继电器时，一般控制电路的电源电压可作为选用的依据控制电路应能给继电器提供足够的工作电流，否则继电器吸合是不稳定的
2.查阅有关资料確定使用条件后，可查找相关资料找出需要的继电器的型号和规格号。若手头已有继电器可依据资料核对是否可以利用。最后考虑尺団是否合适
3.注意器具的容积。若是用于一般用电器除考虑机箱容积外，小型继电器主要考虑电路板安装布局对于小型电器，如玩具、遥控装置则应选用超小型继电器产品
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