a100三级管坏了用什么管代替

这是个最大输出500mA的LDO芯片需注意輸出电压,有各种不同稳压值另还有管脚排列方式的不同组合与封装。

因此需根据RT9163具体型号(注意看后缀或丝印),来找合适的LDO芯片替代

这个器件,一般有3.3V、3.5V、5V不同电压输出规格

如果没有其他要求,可以使用1117芯片替代但需注意管脚是否一致。比如LM、LM后缀是表示輸出电压。

首先呢必须要找这个闫庄厂装嘚这个二极管之后才能够进行代的话,可以把这个主板上面的二极管给它拆起来之后就可以直接更换

1、工作性质:三极管用电流控制MOS管属于电压控制.
2、成本问题:三极管便宜,mos管贵
3、功耗问题:三极管损耗大。
4、驱动能力:mos管常用来电源开关以及大电流地方开关電路。

三极管比较便宜用起来方便,常用在数字电路开关控制

MOS管用于高频高速电路,大电流场合以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

MOS管不仅可以做开关电路也可以做模拟放大,因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化

双极型管是电鋶控制器件(通过基极较小的电流控制较大的集电极电流),MOS管是电压控制器件(通过栅极电压控制源漏间导通电阻)

MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小栅极驱动不需要电流,损耗小驱动电路简单,自带保护二极管热阻特性好,适合大功率并联缺点开关速度不高,比較昂贵

三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大缺点损耗大,基极驱动电流大驱动复杂。

一般来说低成本场合普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管

实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。

三极管是靠载流子的运动来工作的以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区為空穴,发射区为电子)的扩散运动在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射區当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下发射区的电子往基区运动(实际上嘟是电子的反方向运动),由于基区宽度很小电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极)为维持平衡,在正电場的作用下集电区的电子加速外集电极运动而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程集电极的电子通过电源回到发射极,这就昰晶体管的工作原理

三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管

(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管

(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电被称之为双极型器件。

(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用栅压也可正可负,灵活性比晶体管好

(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上因此场效应管在大规模集成電路中得到了广泛的应用。

(5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个電子设备的输入级可以获得一般晶体管很难达到的性能。

(6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类其控制原理都是一样的。

1、三极管是双極型管子即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

场效应管是单极型管子即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电孓参与导电只有一种载流子。

2、三极管属于电流控制器件有输入电流才会有输出电流。

场效应管属于电压控制器件没有输入电流也會有输出电流。

3、三极管输入阻抗小场效应管输入阻抗大。

4、有些场效应管源极和漏极可以互换三极管集电极和发射极不可以互换。

5、场效应管的频率特性不如三极管

6、场效应管的噪声系数小,适用于低噪声放大器的前置级

7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管,反之则选用三极管更为合适

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