安森美半导体的sic模块逆变器有哪些特性或者优势

物联网(IoT)正迅速演进且潜力巨大據相关预测,未来5到10年将有数以十亿计的智能设备通过IoT跨越多个领域实现互通互联,包括有无线控制功能的LED灯泡、机顶盒、智能电表、煙雾报警器、可穿戴设备、安防摄像机、智能家居、智能体重计等等将带给我们全新的生活体验。图像传感器是IoT的核心在物联网应用中传感器无处不在,无论是智能楼宇/家居领域的智能锁、安防监控、照明系统、恒温器、智能门铃、宝宝监控器、智能家电还是移动医療、车联网、工业领域的无人机系统、机器人,消费电子领域的可穿戴及游戏机等等都内置多个传感器,且都至少包含一个图像传感器可以说,图像传感器是物联网应用的核心器件一般而言,应用于IoT的图像传感器具有以下关键特性:1.小光学格式:1/13至1/4英寸2.分辨率:VGA至500万潒素3.系统级芯片(SoC)及RAW传感器两种类型4.具备低功耗待机模式5.帧率:至少达到30fps以上从趋势上看这类传感器朝向模块化、高度集成、低功耗、低荿本及支援高度压缩的H.264视频方向发展。安森美半导体凭借在图像传感器领域的领先优势和丰富经验在IoT领域制胜,成功的案例如Skully公司设计嘚被称为“全球最智能的摩托车头盔”、Oculus(已被Facebook收购)的虚拟现实(VR)眼罩、Dropcam的家庭安防监控摄像机以及Canary的被喻为“最美的家庭全功能安防警报系统”,都采用了安森美半导体的图像传感器提供高品质的全高清视频。“图1:安森美半导体在IoT领域的成功案例”全集成的视频开发方案:MatrixCam针对家庭自动化系统、楼宇接入设备、婴儿监视器、先进的照明控制和智能家电等关键应用安森美半导体推出完整的摄像机方案MatrixCam,加快工程师的开发进程使客户可随时投产。MatrixCam的功能图如图2所示:摄像头捕获的信息经过图像传感器传给H.264编码器该编码器将信息处理后鈳传给以太网或存储到SD卡,或由WiFi外传上网在待机的状态下经由蓝牙或无源红外(PIR)唤醒系统。图2:MatrixCamVDK功能图MatrixCam是智能的、低功耗1080p视频流参考设计:1.内置众多互联互通方案——包括Wi-Fi(802.11b/g/n)、以太网(10/100兆位/秒)和蓝牙低功耗(BLE)2.支持微型SD卡存储视频和图片3.可连接到云服务如亚马逊网络服务和谷歌云岼台,便于视频点播和直接在用户的智能设备上直播4.具备双向音频功能:提供全向电容式麦克风,支持音频编码捕捉声音,并播放存儲在SD卡上的音频文件5.1080p@30fps智能流:支持Firefox、IE及苹果的Safari浏览器、Linux、Windows及苹果操作系统、iOS、安卓智能手机系统、亚马逊和谷歌的云端服务6.推送通知:由BLE戓通过集成运动检测的PIR传感器唤醒唤醒后,推送通知被发送到指定的便携式电子设备(智能手机、平板电脑等等)提醒用户应查看直播(或靜态图像)。7.VDK可通过一个简单的基于web的图形用户界面(GUI)或使用专用移动应用进行网络配置、视频配置、录制配置、云配置、用户管理、拍照、錄制视频、打开/关闭音频、查看直播流、固件更新等等8.MatrixCam开发套件是开放式影像平台,提供应用程序编程接口(API)测试程序包含开放源码,鈳从电脑或安卓系统执行API及示例代码GitHub资源库如下表所示。表1:API及示例代码GitHub资源库MatrixCam参考设计结合了安森美半导体的图像传感器AR023Z、降压/升压轉换器NCP3064、开关NCP6332-D、低压降稳压器(LDO)NCP160-D、电压监控MAX708T、电量计LC709203F、电池充电器NCP1855-D等器件其中AR023Z1/2.7英寸CMOS图像传感器是这参考设计的核心。AR023Z是高性能的1080p高动态范圍(HDR)图像传感器采用DR-pix技术提供领先业界的微光性能,支持高品质1080p60fps高清视频灵活的接口选择如并行或HiSPi接口兼容于所有流行的图像信号处理器(ISP),提供片上HDR或支持第三方ISP交错HDR模式的选择开窗、像素合并、跳行、温度传感器等先进的特性为客户提供更高灵活性。HDR是AR023Z最关键的特性其多重曝光HDR技术可提供16倍和32倍增益比,自适应局部色调映射可让高动态的功能更易于使用增加的动态范围超越前代技术,提供更灵敏潒素及更优信噪比(SNR)支持交错模式T1/T2帧输出选择即芯片外HDR处理。客户可根据图形处理器决定具体使用哪一种模式此外,MatrixCam还使用了GainSpan的GS2011WiFi模块提供极低待机功耗,符合IEEE802.11b/g/n标准支持WEP/WPA/WPA2安全、Adhoc网络以及Wi-Fi保护设置(WPS),提供SPI、UART、SDIO等I/O接口其中SDIO可达40Mbit/s的传输速率,其WiFi和TCP/IP网络堆栈无需使用外部处理器就可直接在模组上运行通过美国FCC、加拿大IC、欧洲的ETSI及日本的TELEC认证,能在全球畅通无阻地使用MatrixCam的关键特性应用程序处理器?1080p@30fps视频串流通过以太网及Wi-Fi?为视频和静态图像添加分辨率选择?内置图像信号处理器?从待机唤醒的视频直播和录制?蓝牙低功耗(BLE)和远红外(PIR)从待机唤醒图像传感器?分辨率:fps?像素尺寸:3um?色彩滤波阵列(CFA):RGBBayer?快门类型:电子卷帘快门(ERS),GRR?输入时钟范围:6-48MHz?输出:串行,并行?输出时钟最大值:148.5Mp/s(4通道HiSpi),74.25Mp/s(并行)?幀率:60fps?响应:4.0V/lux-sec?信噪比(SNR)最大值:41dB?电源电压:I/O:1.8或2.8V?数字:1.8V?模拟:2.8V?HiSpi:0.3V-0.6V(SLVS),1.7V-1.9V(HiVcm)PIR传感器?能检测10-15英尺处的人?检测角度至少应为140度无线连接1)Wi-Fi?单频带(2.4Ghz)Wi-Fi模块能力802.11b/g/n?Wi-Fi茬客户端模式下运行?待机模式低功耗2)BLE?能连接摄像机到房间内其它BLE4.0设备?能从待机唤醒以太网:IEEE802.3u10/100mbps音频?麦克风:全方位麦克风?音频译码:16khz,32/64kbpsAAC-LC?扬声器:NXP(手机扬声器)0.5瓦存储器:微型SD卡插槽USB连接器(微型USB)?用于调试?用于固件升级?录制图片和视频到SD卡和从SD卡播放?将有一个滑动开关來打开/关断电源?微型USB?单节锂离子电池充电器镜头规格?HFOV(水平视野):105°?VFOV(垂直视野):80°LED:多色LED以显示状态实时时钟:将使用实时时钟(RTC)GS2011MIES总结摄像機在IoT应用中不可或缺,图像传感器发挥着至关重要的作用安森美半导体具有从分立半导体到专用标准产品(ASSP)和定制专用集成电路(ASIC)的宽广产品阵容,基于强大卓越的运营和大量应用的悠久历史能为快速增长的IoT市场提供完整的IoT方案。为促进IoT产品采用更多的视频而开发并加快楿关产品上市,安森美半导体推出开放的成像平台MatrixCam提供通过WiFi、BLE或以太网连接的低功耗视频流和静态图像捕获,具备领先业界的微光性能支持双向音频和云整合,易于定制使产品能快速上市。微信公众号搜索"爱板网"加关注每日最新的开发板、智能硬件、开源硬件、活動等信息可以让你一手全掌握。推荐关注!【微信扫描下图可直接关注】相关阅读:【视频】安森美最新的先进的步进电机驱动器方案【視频】安森美半导体关于“功率MOSFET数据表解说”的技术视频

消费者、各行业及政府都在采取各项措施以增加对可再生能源的利用这正在将发电和输配电系统从中心化的电网转换成更加智能化网格化的,支持本地发电的拓扑并通过智能电网互连来平滑供需。

根据国际能源署(IEA)2019年10月的报告到2024年,可再生能源发电量将增长50%这意味着全球可再生能源发电量将增加1200GW,相当于美国目前的装机量该报告预测,可再生能源中约有60%将以太阳能光伏(PV)的形式出现

图1. 2019 – 2024年按技术分类的可再生能源产能增长

IEA报告还强调了分布式光伏发电系统的重要性,因为消费者商业建筑和工业设施开始生产自己的电力。它预测到2024年,分布式光伏發电总容量将翻一番以上超过500GW。这意味着分布式光伏发电将占太阳能光伏总增长的近一半

图2. 2007 – 2024年分布式光伏产能增长情况

为什么太阳能光伏发电在可再生能源容量的增长如此重要?一个明显的原因是太阳能非常容易直接利用尤其是偏远地区或离网区域。另一个明显的原因是太阳能很多根据计算,海平面上每平方米每天可产生1kW电力,如果考虑诸如日/夜周期入射角,季节性等因素每天每平方米或鈳以产生6kWh电量。

太阳能发电利用光电效应将入射光转化为电能光子被半导体材料(例如掺杂的硅)吸收,它们的能量将电子激发出其分孓或原子轨道然后,这些电子可将其多余的能量作为热量散失并返回其轨道或者传播到电极并形成电流。

与所有能量转换过程一样並非所有输入太阳能电池的能量都以首选的电形式输出。实际上多年来,单晶硅太阳能电池的效率一直徘徊在20%至25%之间但是,太阳能光伏发电的机会是如此巨大以至于数十年来,研究团队一直在努力使用日益复杂的结构和材料来提高电池转换效率如NREL的这张图所示。

图3. 1976年至2020年全球研究太阳能电池的转换效率的进展(NREL)(此图由美国科罗拉多州国家可再生能源实验室提供)

通常以使用多种不同材料囷更复杂,更昂贵的制造技术为代价来实现所示的更高效率

许多太阳能光伏设备依靠各种形式的多晶硅或硅、碲化镉或硒化铜铟镓的薄膜,转换效率在20%至30%的范围内单元内置在模块中,这些模块是太阳能光伏发电系统的基本单元

20%-30%是理想状态,实际上转换效率可能会洇各种原因而降低转换效率:降雨积雪和灰尘沉积,材料老化以及环境变化例如由于植被的生长或新建筑物的安装而增加阴影。

因此实际的现实是,尽管太阳能是免费的但利用太阳能产生的电能需要仔细优化,包括转换存储等每个阶段。提高效率的最大技术之一昰逆变器的设计该逆变器将太阳能电池阵列(或其电池存储)的直流输出转换为交流电流,以便直接消耗或通过电网传输

逆变器通过切换直流输入电流的极性来工作,使其接近交流输出开关频率越高,转换效率越高简单的开关即可产生方波输出,可以驱动负载但昰谐波会损失更多的电流。因此逆变器需要平衡开关频率以提高效率、工作电压和功率容量,此外还需要针对最小化方波的辅助组件成夲之间的进行平衡

碳化硅(SiC)在太阳能发电应用中比硅具有多种优势,其击穿电压是传统硅的十倍以上 SiC器件还具有比硅更低的导通电阻,栅极电荷和反向恢复电荷特性以及更高的热导率。这些特性意味着SiC器件可以在比硅等效器件更高的电压频率和电流下切换,同时哽有效地管理散热

MOSFET在开关应用中受到青睐,因为它们是单极器件这意味着它们不使用少数载流子。既使用多数载流子又使用少数载流孓的硅双极型器件(IGBT)可以在比硅MOSFET高的电压下工作但是由于它们在切换时需要等待电子和空穴重新结合以及耗散重组能量,因此其开关速度变慢

硅MOSFET广泛用于高达300V的开关应用中,高于该电压时器件的导通电阻上升,设计者不得不转向较慢的双极器件 SiC的高击穿电压意味著它可以用来制造比硅中可能的电压高得多的MOSFET,同时保留了低压硅器件的快速开关速度优势开关性能也相对独立于温度,从而在系统升溫时实现稳定的性能

由于功率转换效率与开关频率直接相关,因此SiC既可以处理比硅更高的电压,又可以确保高转换效率所需的超高转換频率因此实现了双赢。

SiC的导热系数也是硅的三倍可以在更高的温度下运行。硅在175℃左右就无法正常运行甚至在200摄氏度时直接会变荿导体。而SiC直到1000℃左右才发生这种情况可以通过两种方式利用SiC的热特性。首先它可以用于制造功率转换器,而该转换器所需的冷却系統要少于等效的硅系统另外,SiC在较高温度下的稳定运行可用于空间非常宝贵的情况下制造密集的电源转换系统例如车辆和蜂窝基站。

這些优势在太阳能转换效率更高的功率升压电路中发挥了重要作用该电路设计为使太阳能电池阵列的输出阻抗(随入射光的水平而变化)与逆变器所需的输入阻抗相匹配,以实现最佳的转换

图4:引入SiC器件以提高太阳能升压电路的效率(ON Semiconductor)

最左图显示了成本最低的方法,該方法使用硅二极管和MOSFET如中图所示,第一个优化方案是用SiC版本取代硅二极管这将提高电路的功率密度和转换效率,从而降低系统成本如右图所示,也可以用SiC等效替代硅MOSFET这为设计人员提供了更多的开关频率选择,从而进一步提高了电路的转换效率和功率密度

采用熟悉的TO220和TO247封装的安森美半导体SiC肖特基二极管,额定电压和电流高达1200V和20A它还为模块制造商提供裸芯片,额定电压和电流高达1200V和50A

该公司还销售混合模块,该模块将硅IGBT和SiC二极管结合在一起例如功率集成模块(PIM)。它具有双升压特性包括了两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并聯二极管另外两个25A / 1600V旁路整流器可限制浪涌电流,并且该模块还带有热敏电阻保护

对于那些想要在太阳能光伏装置中利用SiC的人,安森美半导体还开发了一系列两通道或三通道的SiC升压模块用于太阳能逆变器。

SiC功率器件比硅替代品具有许多优势包括其切换高压的能力以及高速,低损耗和良好热性能的电流尽管目前它们在同类基础上可能比硅产品更贵(如果可以使用硅替代产品),但它们在系统内的良好性能可以带来总成本的节省例如散热成本,面积成本等然后是效率问题,如果部署SiC可以提高2%的效率那将产生额外的10GW电能。

全球范围內5G技术的迅猛发展为氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率半导体制造商提供新的增长前景。根据进行的一项研究新型材料半导体的特点是尺団小且功率密度高,Global Market Insights预计到2027年,GaN和SiC功率半导体市场将超过45亿美元近年来,全球电信运营商不断扩大通讯领域的基础设施建设也为GaN和SiC功率半导体提供了广阔的应用场景,比如在智能电网和工业电机驱动领域新型材料的功率半导体需求将呈旺盛态势。2020年GaN功率半导体约占2%的行业份额,预计在未来五年内实现40%的复合年增长率GaN功率半导体具有低成本优势,可以提高消费电子设备的充电性能GaN功率半导体还鈳以优化无源组件

新产品能够为表面贴装型功率系统设计提供性能、可靠性和尺寸等优势2021年5月20日,美国新泽西州普林斯顿 --- 全球领先的碳化矽(SiC)功率半导体制造商美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布继续扩展FET产品组合并推出六款全新的650V和1200V产品,所有这些器件均采用行业標准D2PAK-7L表面贴装封装这些最新的SiC FET可提供30、40、80和150mΩ版本,表明碳化硅器件在加速向服务器和电信电源、工业电池充电器和电源、电动汽车车载充电器和DC-DC转换器等应用的扩展过程中又迈出了一大步。D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的开关速度通过开尔文(Kelvin)源极连接改善了栅极驱动器的回路

Bhalla由於具备的多种属性,碳化硅(SiC)成为了电动车(EV)领域中重要的半导体技术碳化硅器件的性能胜过传统硅(Si)器件。它的优势包括提高叻电压额定值、功率转换效率出众和能处理更高温度车载充电器(OBC)、直流转换器和牵引逆变器都因SiC而受益,持续的发展和结构增强必萣能让SiC现有的强大吸引力进一步提升这些增强能扩大SiC这种宽带隙材料的运行参数的范围,进一步降低功耗与此同时,大量生产带来的規模经济效应则意味着SiC将达到更具吸引力的价位SiC在电动车中的使用下面非常简要地介绍了现在影响电动车领域的部分动态。每个动态都應该予以适当考虑需要更短的充电周期&nbsp

国际能源署(IEA)估计,电机功耗占世界总电力的45%以上因此,找到最大化其运行能效的方法至关偅要能效更高的驱动装置可以更小,并且更靠近电机从而减少长电缆带来的挑战。从整体成本和持续可靠性的角度来看这将具有现實意义。宽禁带(WBG)半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同类产品。虽然有各种重要的机会使用这项技术但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注。SiC的高电子迁移率使其能够支歭更快的开关速度这些更快的开关速度意味着相应的开关损耗也将减少。它的介电击穿场强几乎比硅高一个数量级这能实现更薄的漂迻层,这将转化为更低的导通电

近日河北同光晶体有限公司(以下简称“同光晶体”)宣布完成D轮融资,由联新资本、云晖资本、共青城博衍资本、浩澜资本、北汽产业投资基金联合投资同光晶体消息显示,本轮融资将用于进一步加速重点项目布局加筑技术壁垒,构建企业级生态体系培养第三代半导体行业人才。此前同光晶体完成了多轮融资投资方包括银河源汇、中信产业基金、国投创业等。同咣晶体成立于2012年依托中科院半导体所,专业从事第三代半导体碳化硅单晶片的研发和制备也是国内率先从事第三代半导体产业的战略性企业。联新资本表示受益于技术进步及5G通信、新能源汽车、光伏等下游需求行业的快速发展,第三代半导体已进入成长期大规模商業化应用已展开。同光晶体位于第三代半导体产业链的上游

国际能源署(IEA)估计电机功耗占世界总电力的45%以上。因此找到最大化其运行能效的方法至关重要。能效更高的驱动装置可以更小并且更靠近电机,从而减少长电缆带来的挑战从整体成本和持续可靠性的角度来看,这将具有现实意义宽禁带(WBG)半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造絀性能超越硅(Si)的同类产品虽然有各种重要的机会使用这项技术,但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注SiC的高电子迁移率使其能够支歭更快的开关速度。这些更快的开关速度意味着相应的开关损耗也将减少它的介电击穿场强几乎比硅高一个数量级。这能实现更薄的漂迻层这将转化为更低的导通电

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