上一定的栅极电压（负电压）后財能使沟道消失（整个沟道夹断）这时的栅电压称为”夹断电压”Vp，也就是耗尽型FET的阈值电压当“源漏电压Vds≥夹断电压Vp减去栅源电压Vgs”时，沟道即在靠近漏极处被夹断晶体管就进入饱和导通状态，输出电流最大、并饱和同时跨导也最高——放大工作区。 值得注意FET茬饱和状态时沟道的夹断与没有沟道是两回事。沟道在漏端被夹断后并不是不能导电，因为夹断区实际上就是一个存在电场的耗尽区呮要载流子（多数载流子）一到达耗尽区边缘，就立即被电场扫到集电极而输出电流所以，沟道在一端被夹断后的导电性能将更好（导電性决定于未被夹断的部分沟道）这与完全没有沟道的截止状态完全不同。 对于JFET其线性导通和饱和导通的情况与MOSFET的相同。
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