六氟化四羟基硼离子子有什么轨道参与成?

发布时间 : 星期四 文章无机化学第六版答案更新完毕开始阅读

1:掌握离子键的形成、性质和强度,学会从离子的电荷、电子构型和半径三个方面案例讨论离子的特征。

2:了解离子晶体的特征及几种简单离子晶体的晶体结构,初步学习从离子的电荷、电子构象和半径三个方面来分析离子晶体的空间构型。

第二节:共价键理论 1;掌握路易斯理论。

2:理解共价键的形成和本质。掌握价键理论的三个基本要点和共价键的类型。3:理解并掌握价层电子对互斥理论要点并学会用此理论来判断共价分子的结构,并会用杂化轨道理论和分子轨道理论来解释分子的构型。

了解金属键的能带理论和三种常见的金属晶格。 第四节:分子间作用力

1:了解分子极性的判断和分子间作用力(范德华力)以及氢键这种次级键的形成原因。

2;初步掌握离子极化作用及其强度影响因素以及此作用对化合物结构及性质的影响。 习题

1.下列化合物含有极性共价键的是()(《无机化学例题与习题》吉大版)

4.极化能力最强的离子应具有的特性是( )

a.离子电荷高,离子半径大 b.离子电荷高,离子半径小 c.离子电荷低,离子半径小 d.离子电荷低,离子半径大

5. 下列化合物中,键的极性最弱的是( )(《无机化学例题与习题》吉大版)

6.对下列各组稳定性大小判断正确的是( )

7. 下列化合物中,含有非极性共价键的离子化合物是()(《无机化学例题与习题》吉大版)

9. 中心原子采取sp2杂化的分子是()(《无机化学例题与习题》吉大版)

11. 下列分子或离子中,不含有孤电子对的是()(《无机化学例题与习题》吉大版)

12.氨比甲烷易溶于水,其原因是( ) a.相对分子质量的差别 b.密度的差别 c. 氢键d.熔点的差别

13. 下列分子属于极性分子的是( )(《无机化学例题与习题》吉大版)

15. 下列分子中,中心原子采取等性杂化的是()(《无机化学例题与习题》吉大版)

17. 下列离子中,中心原子采取不等性杂化的是()(《无机化学例题与习题》吉大版)

19. 下列分子中,属于非极性分子的是()(《无机化学例题与习题》吉大版)

20.下列分子或离子中,中心原子的杂化轨道与nh3分子的中心原子轨道最相似的是()(《无机化学例题与习题》吉大版)

21.下列分子或离子中,构型不为直线形的是()(《无机化学例题与习题》吉大版)

23. 下列分子中含有不同长度共价键的是()(《无机化学例题与习题》吉大版)

24. 下列化合物肯定不存在的是()(《无机化学例题与习题》吉大版)

2.no+、no2、no2-的几何构型分别是 、 、 、其中键角最小的是 。 3. 给出晶宝包中离子总数:立方; 。(《无机化学例题与习题》吉大版)

5. 下列各物质中,是co的等电子体的有 。

6.惰性气体由于存在 ,可在高压、温度极低时液化,而且随着 增加,其沸点升高。

7.下列分子或离子中键角有大到小排列的顺序是 。(《无机化学例题与习题》吉大版)

8.cs2分子空间构型是直线形,c原子以2个sp杂化轨道分别和2个硫原子形成共价键。cs2分子是 分子;cl2o分子的空间构型是v形,o原子以2个杂化轨道分别和2个cl原子形成共价键。cl2o分子是 分子。

9.离子极化的发生使键型由 向 过渡,通常表现出化合物的熔、沸点 。

10.离子相互极化使hg2+与s2-结合生成的化合物的键型有 向 转化,化合物的晶型有 向 转化,通常表现出化合物的熔沸点 ,颜色 ,溶解度 。(《无机化学例题与习题》吉大版) 三 问答题

1.用vb法和mo法分别说明为什么h2能稳定存在,而he2不能稳定存在?

2.下列情况要克服哪种类型的吸引力(除了色散力)? a 冰融化

3.下列分子中,哪些是极性的?哪些是非极性的?为什么?(《无机化学例题与习题》吉大版)

4.画出下列物质的结构图。指出化学键的类型。哪些分子中?有键?键是否有极性?分子是否有极性?

5.试用分子轨道能级图写出n2和o2的形成过程,并比较两分子的键级、稳定性大小。

6.说明卤素单质的熔、沸点随原子序数增加而递增的原因。 f2、cl2、br2、i2

7.氟化硼分子是否有极性,为什么?氟化硼、氯化硼、溴化硼是路易士酸还是路易士碱?

9.应用价电子对互斥理论画出下列化合物的空间构型,确定杂化类型、化学键数,并标出孤电子对的位置。 a. xeof4 b. clo2-c. io65- d. pcl3 e. i3-

10.根据价电子对互斥理论画出下列分子(离子)的空间构型并写出中心原子的杂化轨道类型,标出孤电子对和?键。 ①cocl2 ②icl4-③no3- ④so2 ⑤sf4

11.判断下列各组分子之间存在何种形式的反正间作用力。(《无机化学例题与习题》吉大版)

1.锂的升华焓为519kj/mol,氟化锂固体的生成热为-612kj/mol。求氟化锂的晶格能是多少?将所的值与氯化钠的相应值比较,并解释两者之差别。

2.利用下列数据求碘化钾的生成热 △h0(kj/mol)

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电子气体,半导体行业重要原材料

电子特种气体(简称电子特气)是特种气体的一个重要分支,是集成电路(IC)、平面显示器件(LCD、 LED、OLED)、电池等电子工业生产不可或缺的原材料。

通常半导体生产行业,将气体划分成常用气体和特殊气体两类。其中,常用气体指集中供给而且使 用非常多的气体,比如 N2、H2、O2、Ar、He 等。特种气体指半导体生产环节中,比如延伸、离子注进、 掺和、洗涤、遮掩膜形成过程中使用到一些化学气体,也就是气体类别中的电子气体,比如高纯度的 SiH4、 PH3、AsH3、B2H6、N2O、NH3、SF6、NF3、CF4、BCl3、BF3、HCl、Cl2 等,在 IC 生产环节中,使用 的电子气体有差不多有 100 多种,核心工段常见的在 30 种左右。正是这些气体通过不同的制程使硅片具 有半导体性能,它又决定了集成电路的性能、集成度、成品率。即使是某一种某一个特定杂质超标,都将 导致质量严重缺陷,严重时会因不合格气体的扩散,导致整个生产线被污染,乃至生产全面瘫痪。因此, 电子气体是电子制造过程关键基础材料,是名副其实的电子工业“血液”。

电子气体的原料主要为空气分离气体、石油化工和煤化工生产过程中产生的低纯度原料气、废气和 其它基础化工原料。主要原材料来源广泛,市场供应充足,较容易从相关原材料供应厂家获得。我国大型 炼钢企业以及化肥企业基本配备了空气分离设备,空分气体供应量大且价格稳定。电子特种气体对原料 气体的消耗量占石油化工和煤化工原料气产量的比例很小,稳定的石化和基础化工行业能向电子特种气 体行业提供充足的原材料。“十三五”规划对环境保护以及工业废气排放目标的进一步明确,上游行业的 供应将更为充足。气体容器因能长期使用,在电子气体成本中占比较低,价格波动对行业影响较小。

电子气体的分类及应用 

电子气体种类繁多,在电子产品制作工艺中应用广泛。目前常用的电子气体纯气有 60 多种,混合气 有 80 多种。电子气体可分为纯气、高纯气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、 掺杂和蚀刻等工艺;高纯气体主要用作稀释气和运载气。

电子气体主要应用于半导体、平面显示、太阳能电池等领域,国内市场需求 80 亿元。根据中国工业 气体工业协会统计,2019 年国内电子特种气体需求达 80 亿元,其中集成电路用特种气体需求为 35 亿元, 平面显示用特种气体需求为 22 亿元,太阳能电池用需求为 8 亿元。

集成电路芯片的制造需要使用多种电子气体,包括硅烷等硅族气体、PH3 等掺杂气体、CF4 等蚀刻气 体、WF6 等金属气相沉积气体及其他反应气体和清洗气体等。在电子级硅的制备工艺中,涉及到的电子 气体包括 SiHCl3、SiCl4 等。在硅片表面通过化学气相沉积成膜(CVD)工艺中,主要涉及 SiH4、SiCl4、 WF6 等。在晶圆制程中部分工艺涉及气体刻蚀工艺的应用,也称干法刻蚀,涉及到的电子气体包括 CF4、 NF3、HBr 等,此类刻蚀气体用量相对较少,刻蚀过程中需与相关惰性气体 Ar、N2 等共同作用实现刻蚀 程度的均匀。掺杂工艺是将需要的杂质掺入特定的半导体区域中,以改变半导体电学性质,涉及到的电子 气体包括 B2H6、BF3 等三价气体和 PH3、AsH3

平面显示行业用电子气体主要品种有硅烷等硅族气体、PH3 等掺杂气体和 SF6 等蚀刻气体。在薄膜 工序中,通过化学气相沉积在玻璃基板上沉积 SiO2、SiNx 等薄膜,使用的特种气体有 SiH4、PH3、NH3、 NF3 等。在干法刻蚀工艺中,在等离子气态氛围中选择性腐蚀基材。通常采用

太阳能电池可分为晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池。在晶体硅电池片生产中,扩散工艺用到 POCl3 和 O2,减反射层等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺用到 SiH4、NH3,刻蚀工艺用到 CF4。薄膜太阳能电池则在沉积透明导电膜工序中用到二乙基锌(DEZn)、B2H6,在非晶/微晶硅沉积工序中用 到硅烷等。

电子气体应用领域 

半导体行业——电子气体最重要的下游应用 

气体是晶圆制造中第二大耗材。根据 2018 年销售数据,制造材料中,硅晶圆作为半导体的原材料, 占比最大,达到 37%,销售额为 121 亿美元。电子气体由于在制造过程中使用的步骤较多,所以消耗量 远远高于其他材料,占比为 13%,销售额达到 43 亿美元。气体(包含高纯和混合气体)是晶圆制造中最 常用的制造材料,作为半导体材料中的核心原料,消耗金额是除硅晶圆之外的第一大材料。常常使用在光 刻、刻蚀、CVD/PVD 等步骤。特别是在集成电路制造环节,高纯大宗气体如 N2、H2、O2、Ar、He 等, 常常使用在高温热退火、保护气体、清洗气体等环节。高纯电子特种气体在制造环节使用较多,也是常说 的电子气体,比如离子注进、气相沉积、洗涤、遮掩膜形成过程中使用到一些化学气体,常见的有

随着半导体集成电路技术的发展,对电子气体的纯度和质量也提出了越来越高的要求。电子气体的 纯度每提升一个数量级,对下游集成电路行业都会产生巨大影响。2014 年国家发布了《国家集成电路产 业发展推进纲要》并设立了集成电路产业投资基金,根据规划,我国集成电路销售额年均增速将保持在 20%左右,预计 2020 年将达到 8700 亿元。若半导体用电子气体保持同样稳定的增速,国内半导体用电子 气体市场将在 2020 年翻番。

中国大陆电子气体市场规模占比不断提升。据前瞻产业研究院的数据,中国电子特气的市场规模不 断增加,从 2014 年的 。

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