ESD：Electrostatic Discharge，即是静电放电，每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握 ESD 的相关知识。为了定量表征 ESD 特性，一般将 ESD 转化成模型表达方式，ESD 的模型有很多种，下面介绍最常用的三种：1．HBM：Human Body Model，人体模型：该模型表征人体带电接触器件放电，Rb 为等效人体电阻，Cb 为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件 HBM 模型的 ESD 等级。ESD人体模型等效电路图及其ESD等级2．MM：Machine Model，机器模型：机器模型的等效电路与人体模型相似，但等效电容（Cb）是 200pF，等效电阻为 0，机器模型与人体模型的差异较大，实际上机器的储电电容变化较大，但为了描述的统一，取 200pF。由于机器模型放电时没有电阻，且储电电容大于人体模式，同等电压对器件的损害，机器模式远大于人体模型。ESD机器模型等效电路图及其ESD等级3．CDM：Charged Device Model，充电器件模型：半导体器件主要采用三种封装型式（金属、陶瓷、塑料）。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中，由于管壳与其它绝缘材料（如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等）相互磨擦，就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。CDM 模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时，发生对地放电引起器件失效而建立的，器件带电模型如下：ESD充电器件模型等效电路图及其ESD等级器件的 ESD 等级一般按以上三种模型测试，大部分 ESD 敏感器件手册上都有器件的 ESD数据，一般给出的是 HBM 和 MM。通过器件的 ESD 数据可以了解器件的 ESD 特性，但要注意，器件的每个管脚的 ESD 特性差异较大，某些管脚的 ESD 电压会特别低，一般来说，高速端口，高阻输入端口，模拟端口 ESD电压会比较低。ESD 防护是一项系统工程，需要各个环节实施全面的控制。下图是一个 ESD 防护的流程图：ESD 防护设计流程图ESD 防护设计可分为单板防护设计、系统防护设计、加工环境设计和应用环境防护设计，单板防护设计可以提高单板 ESD 水平，降低系统设计难度和系统组装的静电防护要求。当系统设计还不能满足要求时，需要进行应用环境设计防护设计。ESD 敏感器件在装联和整机组装时，环境的 ESD 直接加载到器件，所以加工环境的 ESD 防护是至关重要的。一般整机、单板、接口的接触放电应达到±2000V（HBM）以上的防护要求。器件的 ESD 防护设计是在器件不能满足 ESD 环境要求的情况下，通过衰减加到器件上的 ESD 能量达到保护器件的目的。ESD 是电荷放电，具有电压高，持续时间短的特点，根据这些特点，ESD 能量衰减可通过电压限制、电流限制、高通滤波、带通滤波等方式实现，所以防护电路的形式多种多样，这里就不一一列举。　
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之前曾经和大家讨论过，人体能够承受最快的速度是多快，理论上是接近光速。今天，我们再次和大家讨论速度的问题，从在学习zigbee协议栈的时候经常看到应用程序、zigbee设备对象(ZDO)、节点、设备、端点、群集、属性作者：周 鑫 重庆电子工程职业学院摘 要：无线传感器网络(WSN）是由大量的传感器节点组成，通过无线通信方式传感器(Sensor/Transducer)是一种以一定的精确度把被测量转换为与之有确定对应关系的、便于应用村田制作所开发出了最大数据通信速度可达到100Gbps的光模块，并在“Intel Developer Forum 2015 San Francisco”的展示会场公开。该模块采用了村田自主开发的激光元件及石英晶体部件，嵌入到了小型封装内。智能手表逐渐成为一种流行的数码产品，它们的定位相对其他电子设备更为独特，是工具、也是饰品，所以选择起来要更为本文利用WiFi信号本身的特点， 在Android平台上设计了一种基于位置指纹算法的WiFi定位系统。针对WiFi信号本身的不稳定性以及不同设备之间无线信号接收差异两种影响因素改进了该算法。在现代科技社会，医疗技术的进步速度让人无法想象，有时甚至能够颠覆我们对传统医疗的固有印象。最近几年，我们看到过不少最新的植入式治疗方法，开发人员不断研发各种各样的新技术来帮助人们痛苦、或者只是更人性化一些。根据市场调查机构IHS最新研究报道显示，随着新兴的虚拟现实、扩增实境、智能手表、智能电视、个人电脑、平板电脑20世纪70年代，以虚拟现实技术为基础的增强现实技术从军事实验室、高校实验室发端，经历30余年的市场探索期。虽然技术、工艺和材料在不同的时期有不同的变化，但是有效的静电控制程序的设计与实施仍然是基于以下五个概念：说到日本，大家往往带有复杂的情绪。一方面，历史原因让人无法忘怀；但从消费产品方面来说，全世界实际上都离不开日本的产品。近代，日本发明了方便面、收音机、随身听、拍照手机等等，在数字影像、家电等方面也拥有极大的贡献。英国Ofcom最近进行的一个有趣研究显示，不同世代人群会怀念不同的高科技设备，这些高科技设备包括笔记本电脑，本文采用一个虚拟的时钟作为全网同步的基准，所有节点在进入网络后逐次逼近一个统一的虚拟时钟，逼近过程采用基于本地时钟的指数逼近方式，最终实现同步。采用基于测距的定位算法，可以达到良好的精度，但需要测量装置，不适合能量受限的无线传感器网络。本文分析了常用的非测距定位算法，并在此基础上提出了一种改进的基于序列的非测距定位算法，以提高无线传感器网络定位算法的性能。本文中所提到的对电磁干扰的设计我们主要从硬件和软件方面进行设计处理，下面就是从单片机的PCB设计到软件处理方或许你才初入职场，怯生生、心慌慌，却对一切充满好奇与渴望。或许你已是职场多年的资深人士，处理工作胸有成竹、游1.组网概述组建一个完整的zigbee网状网络包括两个步骤：网络初始化、节点加入网络。其中节点加入网络又包括一、 背景随着电子产品日益追求轻薄化和IC的集成度不断提升，电子产品ESD/EMI/EMC问题日益突出，尤其超声波传感器，物体遇到超声波会反射，因此，可以用于侵入者警报装置，自动门等物体检测，也可以用于汽车后方检测距离。以下介绍村田超声波传感器的使用方法一、 背景随着电子产品日益追求轻薄化和IC的集成度不断提升，电子产品ESD/EMI/EMC问题日益突出，尤其作者： 周胜邻 台湾资通产业标准协会秘书长暨工研院资通所副所长5G将为全球通讯产业带来崭新的发展契机。为抢占本文介绍了几种滤波方法，详细综述了每种滤波方法的原理和特点，最后指出应根据具体情况，权衡滤波效果、算法复杂度、节点能耗等各方面因素，选择一种或者多种算法混合的滤波方法随着LED照明灯具的逐步发展，在亮化工程辅助照明等公共场合，LED照明灯具渐渐替代了一些传统光源产品。在使用时间较长的商业应用场所，LED灯具迅速成为市场的新宠，LED行业在近些年得到了较快发展。一、 背景随着电子产品日益追求轻薄化和IC的集成度不断提升，电子产品ESD/EMI/EMC问题日益突出，尤其前段时间，特斯拉中国宣布未来将支持国标充电标准。人们随机推断，这样一来，特斯拉是否就可以在国家电网的充电站充据日媒报道，近日，日本名古屋大学一个研究小组研制出了一款仅5厘米见方大小的PM2.5的检测器，其价格仅为目前本文中所提到的对电磁干扰的设计我们主要从硬件和软件方面进行设计处理，下面就是从单片机的PCB设计到软件处理方面来介绍对电磁兼容性的处理。文章转载自：雷锋网2015年已过半，在互联网企业的大举入侵之下，深圳的电子行业，哀鸿遍野，满目疮痍。手机节节一、 背景随着电子产品日益追求轻薄化和IC的集成度不断提升，电子产品ESD/EMI/EMC问题日益突出，尤其ESD、EMI、EMC 设计是电子工程师在设计中遇到常见难题，电磁兼容性（EMC）是指设备或系统在其电磁环境电磁兼容性（EMC）是指电器电子产品能在电磁环境中正常工作，并不对该环境中其它产品产生过量的电磁干扰（EMI）。这就包含着2方面要求，其一是要求产品对外界的电磁干扰有一定的承受能力；其二是要求产品在正常运转过程中在我们与硬件工程师交流过程中，往往发现对电磁兼容基础知识的缺乏，因此在这里给大家贴上一些基本要点，供大家设计一、 背景随着电子产品日益追求轻薄化和IC的集成度不断提升，电子产品ESD/EMI/EMC问题日益突出，尤其摘要: 针对APIT定位算法在节点分布不均匀和信标节点较少时定位误差较大的问题，对原算法进行改进，其中包括节点分布稀疏情况下，采用最短路径距离估算和三边测量的方法修正原算法三角形测试产生的OutToIn Error，以及节点分布密集情况下，采用相对权重法修正InToOut Error。实验仿真结果表明，改进后的APIT算法定位精度和网络覆盖率相比原算法都有明显的提高。本文分类描述了WSN面临的不同种类电磁干扰及其影响，通过设置不同的干扰实验场景，实际测量了WSN在不同电磁干扰下的接收延时、包接收率和吞吐量等通信指标，定量分析了WSN在不同干扰环境下的通信性能。一、 背景随着电子产品日益追求轻薄化和IC的集成度不断提升，电子产品ESD/EMI/EMC问题日益突出，尤其据国外媒体报道，人类思考的速度究竟有多快？科学家们研究发现，人类思考的速度会因距离、神经元特性及复杂度的不同不少人应该都曾亲眼见过，或在纪录片中看过鸟群以相同的飞行轨迹飞行，在空中绘出一道美丽的景色。但这一景象从没被RFID射频识别技术近年来广受关注，被应用于众多领域，其中UHF(超高频)频段RFID应用最为广泛。本文针对Type C类标准中的防冲突算法进行研究，分析该标准采用的防冲突算法在面对快速运动标签群时的处理情况。风机用电动变桨系统有两种储能系统：一种采用超级电容器，另一种采用电池。电池对许多应用而言是一种有效的储能装置由于物联网(Internet of Things, IoT)之射频辨识(RFID)、近场通讯(NFC)、感 测器及感测网络等技术越趋成熟，并且搭配已发展相当蓬勃之行动通讯与网际网 路以及正兴起之云端科技，IoT 已成为目前最热门议题之一村田制作所开始提供片式电感器和积层陶瓷电容器的动态电路模拟模型。以前该公司提供的均为静态模型。在静态模型中，murata-eetrend介绍村田公司最新电容器、传感器、电感器资讯，打造智能硬件，开启智能世界！热门文章最新文章murata-eetrend介绍村田公司最新电容器、传感器、电感器资讯，打造智能硬件，开启智能世界！电子部件的高频特性误差修正方法
专利名称电子部件的高频特性误差修正方法
技术领域本发明涉及电子部件的高频特性误差修正方法，更详细地说，涉及在2端子阻抗部件的高频特性的测量中，修正测量系统的误差的方法。
背景技术在现有技术的电子部件的批量生产工序中，使用自动特性分选机，测量电子部件的电气特性。自动特性分选机中的测量系统，由于成为基准的测量系统和电路特性不同，所以修正利用自动特性分选机获得的测量值，推定成为基准的测量系统的测量值后，能够提高产品的合格率。作为进行这种修正的方法，被称作“S0LT、TRL校正及RRRR/TRRR校正”的技术，已经广为人知。首先，讲述TRL/S0LT校正。作为旨在测量被检查件——表面安装部件的散布系数行列的真值而能够使用的现有技术，TRL校正是最有效的技术。另外，作为广泛使用的现有技术，还有SOLT校正。对于它们进行简单的讲述。为了获得被检查件的真值，必须鉴别测量系统的误差因素，从测量结果中去掉误差因素的影响。附图说明
图1表示在代表性的误差除去方法(校正方法)中使用的误差模型(error models)。就是说，如图1 (a)所示，被检查件——电子部件2与在测量工具10的上面形成的传输线路连接。在测量工具10的传输线路的两端设置的连接器lla、llb，与在同轴电缆50、 60的一端设置的连接器51、61连接，同轴电缆50、60的另一端与未图示的网络分析器的测量端口连接。箭头51s、61s表示校正面。图1(b)是1扎修正的误差模型，在用散布系数、&吣&24表示的测量工具的电路12和端子对B1-I^a2-ID2之间，用散布系数^^e^emen表示的一个测量端口侧的电路52和用散布系数f, f01& f10& fn表示的另一个测量端口侧的电路62连接。图1(c)是SOLT修正的误差模型，在用散布系数S11A、S12A、S21A, 表示的测量工具的电路14的两侧，用散布系数Edf、Ekf、I、Esf表示的一个测量端口侧的电路M和用散布系数E『Etf表示的另一个测量端口侧的电路64连接。进行SOLT校正时，为了鉴别误差因素，必须将至少3种散布系数已知的器件安装到被检查件的测量面上后进行测量，如图2所示，传统性地大多使用开路(OPEN)、短路 (SHORT)、终端(LOAD = 50 Ω )的标准器80、81、82。但是在同轴环境以外，实现良好的“开路” “短路”的标准器非常困难，不能够用工具10的前端(用箭头51s、61s表示的校正面) 校正。如果是同轴环境，这种标准器由于能够采用滑动的负载等手法实现，所以该方法被广泛使用，被称作“ SOLT校正”。所谓“TRL校正”，是取代难以实现的器件形状的标准器，将端口之间直接连接状态(Through)和全反射(Reflection，通常为短路)及长度不同的多种传输线路(Line)作为标准器使用。由于比较容易制作散布系数已知的器件，而且全反射也短路后能够比较简单地预料其特性，所以特别在波导管环境中，作为精度最高的校正方法，标准器的传输线路广为人知。图3示出TRL校正的误差因素导出方法。图中，给传输线路加了斜线。校正面如用箭头2s、2t所示的那样，是与器件连接的连接部。为了鉴别误差因素，将端口之间直接连接状态(Through)的基板86和全反射(Reflection，通常为短路)的基板83及长度不同的多种传输线路(Line)的基板84、885作为标准器使用。在该例中，Through是所谓的 kro-Through。测量被检查件时，使被检查件2和只增加了被检查件的大小的长度的测量基板串联后，进行测量。TRL、SOLT校正的概要如上所述，但是在这些技术中，存在着以下2个问题(1)在标准器——传输线路等(Line数种类和Reflection)和Through中，如果同轴-平面传输线路的连接部产生的误差因素不完全相等，就要产生校正误差。例如即使在各标准器中使用相同种类的连接器，也在互不不同时，特别是连接器的特性离差的影响变得非常大，接近毫米波带后，事实上就不能实施。(2)为了解决上述课题，在市场上销售的工具，虽然将同轴连接器作为共同，与标准器传输线路接触连接，绞尽脑汁地避免连接器测量的离差的影响，但是由于同轴管脚破损，在结构上难以确保向检出部施加足够的按压载荷，由于接触不稳定，校正往往不稳定。 另外，由于测量频率增大后，传输线路和同轴管脚也通常变细，所以它们的定位再现性造成的测量离差变大。为了解决这些问题，有人提出了所谓的RRRR/TRRR校正法。接着，讲述RRRR/TRRR校正法的概要。它们的特征在于只在一个传输线路上的规定的几处，将信号导体和接地导体短路，从而能够鉴别到传输线路前端为止的测量系统的误差，高精度地测量表面安装部件的高频电气特性。它们的优点是与在TRL/S0LT校正法中成问题的传输线路特性的离差及传输线路和同轴连接器的接点状态的离差没有关系。误差模型如图4及图5所示，和S0LT/TRL校正同样。就是说，图4是TRRR校正的误差模型，与图1 (c)所示的SOLT校正的误差模型相同；图5是RRRR校正的误差模型，与图 1(b)所示的TRL校正的误差模型相同。RRRR/TRRR校正法的要点，是校正使用的“标准测量值”的测量方法，在SOLT中将标准器件作为“标准测量值”，在TRL中将标准传输线路的测量值作为“标准测量值”，而在 RRRR/TRRR校正法中，如图6所示，将在测量基板IOa上改变短路基准的位置后进行测量的测量值作为“标准测量值”。因为不产生连接器的影响，所以在台上测量时，可以说是比SOLT 校正及TRL校正精度高的有效的方法。可是，在TRRR/RRRR校正法中，由于将短路基准(短路片2s)与工具传输线路10s、 IOt连接的位置的差异产生的反射系数的变化，作为校正基准使用，所以测量的信号的波长较长时(频率较低时)，需要大大改变短路基准的连接位置，需要加长图中的1\、T2,需要加长测量基板IOa的长度(用箭头表示的方向的尺寸)。另外，因为在结构、尺寸上受到限制， 所以难以采用设置旨在修正工具IOa的GND端子及能够高精度地将短路片2s定位的结构(例如参照专利文献1、2)。专利文献1 :W号公报专利文献2 :W号公报# # ^lJ i K 1 :Application Note 1287-9 In-Fixture Measurements Using Vector Network Analyzers, ((C) 1999Hewlett_Packard Company)在电子部件的批量生产工序中使用自动特性分选机，例如象图9的主要部件结构图所示的那样，被检查件——电子部件2的电极2a、2b被从测量端子部30中突出的测量管脚32a、32b按压后，在测量管脚32a、32b之间串联，测量管脚32a、32b通过同轴电缆34、 36作媒介，与未图示的测量机连接。在测量端子部30的周围，只能确保可以连接电子部件 2的程度的狭窄的空间时，不得不在实质上只能使批量器件本身或与批量器件大致相同尺寸、形状的试料与测量端子部30连接的制约下，进行测量系统的误差修正。这时，就产生了下述课题。(1)终究不能将长度不同的传输线路与自动特性分选机的测量端子部连接，不能够采用TRL校正。(2) SOLT校正实际上不能用测量端子部的前端进行校正，存在着只能采用同轴、导波管系统的制约。通常到同轴连接器部为止，采用SOLT校正进行校正，不产生误差地设计以后的传输线路，从而获得足够的测量精度。可是，在自动特性分选机的测量端子部中，由于对同轴连接器以后的传输线路的尺寸、形状有限制，所以只靠到同轴连接器部为止的校正，往往不能获得足够的精度。(3)即使在SOLT校正中进行一些改进，要用测量端子部的前端测量标准器件，也要产生如下问题。i)在SOLT校正中，需要测量各端口的1端口器件。就是说，如图7的测量基板IOb 的平面图所示，在一条信号线IOx的狭缝IOk之间，串联2端子电子部件进行测量时，因为测量不需要，所以在端子部中没有接地端子。可是，在SOLT校正中如果没有接地导体，就不能够测量1端口器件，所以为了采用SOLT校正，需要设计仅仅为了进行校正的接地端子。ii)在SOLT校正中，2个端口的每一个都需要测量数值已知的3种1端口器件。但是如图8的测量基板IOc的平面图所示，由于在信号导体IOp和接地导体IOg之间连接器件的2个端子，所以不能够测量各端口独立的1端口器件。(4)串联测量电子部件时，因为测量不需要，所以在端子部中没有接地端子。可是， 在RRRR校正中需要进行短路测量，所以为了采用RRRR校正，需要设计仅仅为了进行校正的接地端子。(5)在RRRR校正中，在基板的多处进行短路测量，频率较低时，需要大大改变短路基准的连接位置，因此需要加长测量基板的长度。
本发明就是针对上述情况研制的，其目的在于提供能够在成为修正对象的测量系统保持和实测时相同的状态下，对于2端子阻抗部件进行校正作业的电子部件的高频特性误差修正方法。为了达到上述目的，本发明提供采用以下结构的电子部件的高频特性误差修正方法。电子部件的高频特性误差修正方法，是根据用实测测量系统测量2端子阻抗部件——电子部件的结果，计算出如果用基准测量系统测量该电子部件将会获得的该电子部件的高频特性的推定值的方法。电子部件的高频特性误差修正方法，具备(1)准备用所述基准测量系统标称的、高频特性不同的至少3个第1修正数据取得用试料的第1步骤；O) 用所述实测测量系统测量至少3个所述第1修正数据取得用试料或被认为具有和所述第1 修正数据取得用试料同等的高频特性的至少3个第2修正数据取得用试料的第2步骤；(3) 根据在所述第1步骤中准备的所述第1修正数据取得用试料的用所述基准测量系统标称的数据和在所述第2步骤中用所述实测测量系统测量的所述第1修正数据取得用试料或第2 修正数据取得用试料的测量数据，决定使用传输线路的误差修正系数将用所述实测测量系统测量的测量值和用所述基准测量系统测量的测量值联系起来的公式的第3步骤；(4)用所述基准测量系统，测量任意的电子部件的第4步骤；( 根据在所述第4步骤中获得的测量结果，使用在所述第3步骤中决定的所述公式，计算出如果用所述基准测量系统测量该电子部件将会获得的该电子部件的高频特性的推定值的第5步骤。在所述第1步骤中准备的第1修正数据取得用试料，即使实际上用所述基准测量系统测量过而预先标称，也可以采用除此以外的方法预先标称。例如可以对于被认为同等的特性的许多试料，只实际上用基准测量系统测量其一部分试料，而在其它试料的标称中使用该测量值。采用上述方法后，能够使用和电子部件实质上相同形状、尺寸的修正数据取得用试料，能够执行第1及第2步骤。现有技术的自动特性分选机的测量系统只能校正到同轴连接器前端为止，而采用上述方法后，能够校正到连接电子部件的端子部前端为止。理想的一种实施方式，在所述实测测量系统中，所述第1修正数据取得用试料及所述电子部件或所述第1修正数据取得用试料、所述第2修正数据取得用试料及所述电子部件被串联(series-connect)。所述公式，根据在测量用所述基准测量系统测量电子部件时的阻抗Zm的端子和测量用所述实测测量系统测量电子部件时的阻抗&的端子ld、
之间连接的误差模型导出。计算从所述端子Im看的阻抗时，所述误差模型(error models), 阻抗Z11和阻抗&在所述端子Im和所述端子“之间串联，在所述阻抗Z11和阻抗&的连接点和接地之间连接Z12，在所述端子 和所述端子 之间连接阻抗Z21，在所述端子 和接地之间连接&2。所述阻抗Zf、Z11, Z12, Z21, Z22,使用在所述第1步骤中测量至少3个所述第 1修正数据取得用试料的阻抗的结果Ai、zd2、Zd3和在所述第2步骤中对于至少3个所述第 1修正数据取得用试料或第2修正数据取得用试料测量所述端子Im的阻抗的结果Zmll、Zml2、 Zffll3及测量所述端子4的阻抗的结果zm21、Zm22、Zm23，通过下列[公式la][公式la]denom = (Zd2-Zdl) Zml3+ (Zdl-Zd3) Zml2+ (Zd3-Zd2) Zmll Z11 = [士 ^Zdl - Zdl - Zdl ^jZdi - Zd2」Zmll - Zmll pmli - Zmll ^Zmu - Zml2- {(ZJ3 - A2 Vml2Znil3 + (Zdl -Zd3)ZmliZml3 + (Zd2 -ZdX)ZmUZmn}]/ denomZ12 = ±V(Zrf2 -ZdlXZ2d,+(-Zd2-Zdi)Zds + ZrflZrf2)(Zml2 - Zmll)(Z:13 + (-Zml2 - Zrall)Zml3 + ZrallZml2)
1. 一种电子部件的高频特性误差修正方法，该方法根据用实测测量系统对2端子阻抗部件的电子部件进行测量的结果，计算出如果用基准测量系统测量该电子部件将会获得的该电子部件的高频特性的推定值， 该方法具备准备用所述基准测量系统标称的、高频特性不同的至少3个第1修正数据取得用试料的第1步骤；用所述实测测量系统测量至少3个所述第1修正数据取得用试料或被认为具有与所述第1修正数据取得用试料同等的高频特性的至少3个第2修正数据取得用试料的第2步骤；根据在所述第1步骤中准备的所述第1修正数据取得用试料的用所述基准测量系统标称的数据和在所述第2步骤中用所述实测测量系统测量的所述第1修正数据取得用试料或所述第2修正数据取得用试料的测量数据，决定使用传输线路的误差修正系数将用所述实测测量系统测量的测量值与用所述基准测量系统测量的测量值联系起来的公式的第3步骤；用所述实测测量系统，测量任意的电子部件的第4步骤；和根据在所述第4步骤中获得的测量结果，使用在所述第3步骤中决定的所述公式，计算出如果用所述基准测量系统测量该电子部件将会获得的该电子部件的高频特性的推定值的第5步骤，其特征在于在所述实测测量系统中，所述第1修正数据取得用试料及所述电子部件或所述第1修正数据取得用试料、所述第2修正数据取得用试料及所述电子部件被并联连接；所述公式，根据在用所述基准测量系统测量电子部件时测量导纳Ym的端子Im^m与在用所述实测测量系统测量电子部件时测量导纳Yd的端子lddd之间连接的误差模型导出； 计算从所述端子Im看的导纳时，所述误差模型，在所述端子Im与所述端子Id之间连接导纳Y12，在所述端子Im和所述导纳Y12的连接点与接地之间连接导纳Y11,在所述导纳Y12和所述端子Id的连接点与接地之间连接导纳Yf，在所述端子 和所述端子 之间连接导纳 ^，在所述导纳\2和所述端子 的连接点与接地之间连接导纳Y21 ； 所述导纳 Yf、Yn、Y12J21J22，使用在所述第1步骤中测量至少3个所述第1修正数据取得用试料的导纳的结果Ydl、 Yd2&Yd3和在所述第2步骤中对至少3个所述第1修正数据取得用试料或所述第2修正数据取得用试料，测量所述端子Im的导纳的结果Ymll、Yml2、Yml3及测量所述端子 的导纳的结果由下列公式3a和下列公式3b获得的16组Yn、Y12、Y21J22的组合中， 对下列公式4，使用Yfl、Yf2、Yf3致的至少一个组合来确定， [公式3a]
2. 一种电子部件的高频特性误差修正方法，该方法根据用实测测量系统对2端子阻抗部件的电子部件进行测量的结果，计算出如果用基准测量系统测量该电子部件将会获得的该电子部件的高频特性的推定值， 该方法具备准备用所述基准测量系统标称的、高频特性不同的至少3个第1修正数据取得用试料的第1步骤；用所述实测测量系统测量至少3个所述第1修正数据取得用试料或被认为具有与所述第1修正数据取得用试料同等的高频特性的至少3个第2修正数据取得用试料的第2步骤；根据在所述第1步骤中准备的所述第1修正数据取得用试料的用所述基准测量系统标称的数据和在所述第2步骤中用所述实测测量系统测量的所述第1修正数据取得用试料或所述第2修正数据取得用试料的测量数据，决定使用传输线路的误差修正系数将用所述实测测量系统测量的测量值与用所述基准测量系统测量的测量值联系起来的公式的第3步骤；用所述实测测量系统，测量任意的电子部件的第4步骤；和根据在所述第4步骤中获得的测量结果，使用在所述第3步骤中决定的所述公式，计算出如果用所述基准测量系统测量该电子部件将会获得的该电子部件的高频特性的推定值的第5步骤，其特征在于在所述实测测量系统中，所述第1修正数据取得用试料及所述电子部件或所述第1修正数据取得用试料、所述第2修正数据取得用试料及所述电子部件被串联连接；所述第3步骤包含子步骤，该子步骤中，将在所述第1步骤中准备的所述高频特性不同的至少3个所述第1修正数据取得用试料的用所述基准测量系统进行的标称、和在所述第 2步骤中获得的高频特性不同的至少3个所述第1修正数据取得用试料或被认为具有与所述第1修正数据取得用试料同等的高频特性的至少3个所述第2修正数据取得用试料的用所述实测测量系统测量的测量值，变换成为阻抗参数，进而导出其差动阻抗成分；所述公式，通过2端口误差模型作媒介，将用所述实测测量系统利用2个端口测量电子部件时的阻抗，与用所述基准测量系统测量电子部件时的阻抗关联，根据1端口误差模型导出，该1端口误差模型只有1个端口，该端口输入在用所述基准测量系统测量电子部件时测量阻抗的2个端口的差动信号。
3. 一种电子部件的高频特性误差修正方法，该方法根据用实测测量系统对2端子阻抗部件的电子部件进行测量的结果，计算出如果用基准测量系统测量该电子部件将会获得的该电子部件的高频特性的推定值，该方法具备准备用所述基准测量系统标称的、高频特性不同的至少3个第1修正数据取得用试料的第1步骤；用所述实测测量系统测量至少3个所述第1修正数据取得用试料或被认为具有与所述第1修正数据取得用试料同等的高频特性的至少3个第2修正数据取得用试料的第2步骤；根据在所述第1步骤中准备的所述第1修正数据取得用试料的用所述基准测量系统标称的数据和在所述第2步骤中用所述实测测量系统测量的所述第1修正数据取得用试料或所述第2修正数据取得用试料的测量数据，决定使用传输线路的误差修正系数将用所述实测测量系统测量的测量值与用所述基准测量系统测量的测量值联系起来的公式的第3步骤；用所述实测测量系统，测量任意的电子部件的第4步骤；和根据在所述第4步骤中获得的测量结果，使用在所述第3步骤中决定的所述公式，计算出如果用所述基准测量系统测量该电子部件将会获得的该电子部件的高频特性的推定值的第5步骤，其特征在于在所述实测测量系统中，所述第1修正数据取得用试料及所述电子部件或所述第1修正数据取得用试料、所述第2修正数据取得用试料及所述电子部件被并联连接；所述第3步骤包含子步骤，该子步骤中，将在所述第1步骤中准备的所述高频特性不同的至少3个所述第1修正数据取得用试料的用所述基准测量系统进行的标称、和在所述第 2步骤中获得的高频特性不同的至少3个所述第1修正数据取得用试料或被认为具有与所述第1修正数据取得用试料同等的高频特性的至少3个所述第2修正数据取得用试料的用所述实测测量系统测量的测量值，变换成为导纳参数，进而导出其同相导纳成分；所述公式，通过2端口误差模型作媒介，将用所述实测测量系统利用2个端口测量电子部件时的导纳，与用所述基准测量系统测量电子部件的导纳关联，根据1端口误差模型导出，该1端口误差模型只有1个端口，该端口输入测量用所述基准测量系统测量电子部件时的导纳的2个端口的同相信号。
4. 一种电子部件的高频特性误差修正装置，其特征在于，用于权利要求1 3任一项所述电子部件的高频特性误差修正方法的至少所述第5步骤中， 所述高频特性误差修正装置，具备存储部，该存储部存储在所述第3步骤中决定的所述公式和在所述第4步骤中获得的用所述实测测量系统测量任意的电子部件的测量值；和演算部，该演算部使用所述存储部存储的所述公式，进行修正所述存储部中存储的所述测量值的运算，计算用所述基准测量系统测量该电子部件将会获得的该电子部件的高频特性的推定值。
电子部件的高频特性误差修正方法，能够在成为修正对象的测量系统保持和实测时相同的状态下，对于2端子阻抗部件进行校正作业。用基准测量系统和实测测量系统测量高频特性不同的至少3个修正数据取得用试料，决定使用传输线路的误差修正系数将用实测测量系统测量的测量值和用基准测量系统测量的测量值联系起来的公式。用基准测量系统测量任意的电子部件，使用决定的公式，计算出如果用基准测量系统测量该电子部件将会获得的该电子部件的高频特性的推定值。
文档编号G01R27/28GKSQ
公开日日 申请日期日 优先权日日
发明者森太一, 神谷岳, 藤井直树 申请人:株式会社村田制作所