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查看 的资料，可知这个SDRAM有13根行地址线 RA0-RA12, 9根列地址线CA0-CA8,2根BANK选择线 BA0-BA1。
SDRAM 的地址引脚是复用的，在读写SDRAM存储单元时，操作过程是将读写的地址分两次输入到芯片中，每一次都由同一组地址线输入。两次送到芯片上去的地址分别称为行地址和列地址。它们被锁存到芯片内部的行地址锁存器和列地址锁存器。
/RAS是行地址锁存信号，该信号将行地址锁存在芯片内部的行地址锁存器中；
/CAS 是列地址锁存信号，该信号将列地址锁存在芯片内部的列地址锁存器中。
&&地址连线如下图：
&&&问题1：SDRAM:的A0接S3C2440的ADDR2,A0 为什么不接ADDR0？
要理解这种接法，首先要清楚在CPU的寻址空间中，字节（8位）是表示存储容量的唯一单位。用2片HY57V561620F扩展成32位SDRAM，可以认为每个存储单元是4个字节。因此当它的地址线A1:A0=01 时，处理器上对应的地址线应为ADDR3:ADDR2=01（因为CPU的寻址空间是以Byte 为单位的）。所以SDRAM的A0引脚接到了S3C2440的ADDR2 地址线上。同理，如果用1 片HY57V561620F，数据线是16位，因为一个存储单元是2个字节，这时SDRAM的A0要接到S3C2440的ADDR1上。
就是说SDRAM的A0接S3C2440的哪一根地址线是根据整个SDRAM的数据位宽来决定的。
问题2：上图接线中，BA0,BA1接ADDR24,ADDR25，为什么用这两根地址线呢？
&&& BA0～BA1代表了SDRAM 的最高地址位。因为CPU的寻址空间是以字节（Byte）为单位的，本系统SDRAM容量为64MByte，那就需要A25～A0（64M=2^26）地址线来寻址，所以BA1～BA0地址线应该接到S3C2440的ADDR25～ADDR24 引脚上。
13根行地址线 + 9根列地址线 = 22根地址线。另外HY57V561620F一个存储单元是2个字节（16I/O），相当于有了23根地址线。BA0,BA1是最高地址位，所以应该接在ADDR24,ADDR25 上。
就是说SDRAM的BA0,BA1接S3C2440的哪几根地址线是根据整个SDRAM的容量来决定的。二、NOR FLASH（的接线分析
&&&&&& NOR FLASH 的地址线和数据线是分开的。AM29LV160DB 是一个2Mbyte 的NOR FLASH，分区结构是：
1个16Kbyte扇区，2个8Kbyte扇区，1个32Kbyte扇区，31个64Kbyte扇区（字节模式）；
1个8Kbyte扇区，2 个4Kbyte扇区，1个16Kbyte扇区，31个32Kbyte扇区（半字模式）；
共35个扇区。引脚如下：&设计原理图如下：说明：
AM29LV160DB 第47 脚是BYTE#脚，BYTE#接高电平时，器件数据位是16 位，接低电平时，数据位是8 位。
上图BYTE#接VCC，D0-D15 做为数据输入输出口。A0-A19 是地址线，在半字模式下，D0-D15 做为数据输入输出口。因为数据位是16 位，A0-A19 可以选择2^20 = 1M *2BYTE = 2Mbyte。正好是AM29LV160DB 的容量。
S3C2440 的ADDR1要接AM29LV160DB 的A0。上图中AM29LV160DB 的A20，A21是空脚，分别接的是LADDR21,LADDR22。这应该是为了以后方便扩展NOR FLASH 的容量。LADDR21,LADDR22 对AM29LV160DB是没用的。
当BYTE#接低电平时，D0-D7 做为8 位数据输入输出口，D15做为地址线A-1。相当于有了A-1,A0-A19 共21 根地址线。这个时候S3C2440 的ADDR0 应该接在D15（A-1）………，ADDR20 接A19。21根地址线的寻址空间是2^21 = 2Mbyte。正好是AM29LV160DB的容量。三、与NAND FLASH()的接线分析
1&、K9F1208 结构如下图K9F1208 位宽是8位（I/O0～I/O7）。
一页：1Page = 512byte + 16byte 最后16byte是用于存储校验码和其他信息用的，不能存放实际的数据。
一块有32 page：1block = 32* (512byte + 16byte) =（16k+512）byte
K9F1208 有4096 个块：
1 device = 4096 *32* (512byte + 16byte) = (64M+2M)byte，总共有64Mbyte可操作的芯片容量
NAND FLASH 以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据。
其引脚如下：&S3C24440 和K9F1208 的接线图如下：当选定一个NAND FLASH 的型号后，要根据选定的NAND FLASH 来确定S3C2440 的NCON,GPG13,GPG14,GPG15 的状态。
下图是S3C2440 中4个脚位状态的定义K9F1208 的一页是512byte，所以NCON 接低电平，GPG13 接高电平。
K9F1208 需要4个寻址命令，所以GPG14 接高电平
K9F1208 的位宽是8，所以GPG15 接低电平。
NAND FLASH 寻址：
对K9F1208 来说，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8 位。地址传递分为4 步，如下图：说明：
第1 步发送列地址，既选中一页512BYTE中的一个字节。512byte需要9bit来选择，这里只用了A0 -A7，原因是把一页分成了2部分，每部分256 字节。通过发送的读命令字来确定是读的前256 字节还是后256 字节。
当要读取的起始地址（Column Address）在0~255 内时我们用00h 命令，
当读取的起始地址是在256~511 时，则使用01h 命令。
一个块有32 页，用A9-A13 共5位来选择一个块中的某个页。
总共有4096 个块，用A14-A25 共12位来选择一个块。
K9F1208 总共有64Mbyte，需要A0-A25 共26个地址位。
例如：要读NAND FLASH 的第5000字节开始的内容。
把5000分解成列地址和行地址。
Column_address =
因为column_address&255,所以用01h 命令读
Page_address = (5000&&9) = 9
发送命令和参数的顺序是：
NFCMMD = 0x01;从后256 字节开始读
NFADDR = column_address & 0取column_address 的低8 位送到数据线
NFADDR = page_address & 0发送A9-A16
NFADDR = (page_address &&8) & 0 发送A17-A24
NFADDR = (page_address && 16) & 0发送A25
上面的NFCMMD,NFADDR.是S3C2440 的NAND FLASH 控制寄存器。读取的数据会放在NFDATA 中。四、S3C2440 开发板中SDRAM \NOR \ NAND地址分配（1）SDRAM地址分配
这是S3C2440 的存储器地址分配图，SDARM只能接在BANK6 或BANK7。
从分析SDRAM接线图可以看到，SDRAM接的是ngcs6，也就是接在BANK6，因为选择的SDRAM 是2片32Mbyte，总容量是64Mbyte，所以SDRAM 的地址范围是0x --- 0x33ff ffff。（2）NORFLASH地址分配
S3C2440启动方式如下：上文讲述的NORFLASH 是16bit 数据位宽，选择从NOR FLASH 启动，所以
OM0 接VDD，OM1 接VSS。
从分析NOR FLASH 接线的接线图可看到，NOR FLASH接的ngcs0,也就是接在BANK0。因为选择NORFLASH是2Mbyte，所以NOR FLASH 的地址范围是0x --- 0x001f ffff。
上电时，程序会从Norflash中启动，ARM直接取Norflash 中的指令运行。
（3）NANDFLASH地址分配
最后来看，NANDFLASH 以页为单位读写，要先命令，再给地
址，才能读到NAND 的数据。NANDFLASH是接在NANDFLASH 控制器上而不是系统总线上，所以没有在8 个BANK 中分配地址。如果S3C2440 被配置成从Nand Flash 启动, S3C2440 的Nand Flash 控制器有一个特殊的功能,在S3C2440 上电后,Nand Flash 控制器会自动的把Nand Flash 上的前4K 数据搬移到4K 内部SRAM 中,系统会从起始地址是0x 的内部SRAM 启动。
程序员需要完成的工作,是把最核心的启动程序放在Nand Flash 的前4K 中，也就是说,你需要编写一个长度小于4K 的引导程序,作用是将主程序拷贝到SDRAM 中运行。由于NandFlash 控制器从NandFlash中搬移到内部RAM的代码是有限的,所以在启动代码的前4K 里,我们必须完成S3C2440 的核心配置以及把启动代码(U-BOOT)剩余部分搬到RAM中运行。
至于将2440 当做单片机玩裸跑程序的时候，就不要做这样的事情，当代码小于4K 的时候，只要下到nand flash 中就会被搬运到内部RAM 中执行了。
不管是从NOR FLASH启动还是从NANDFLASH 启动，ARM都是从0x 地址开始执行的。&
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历史上的今天
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blogTitle:'S3C2440与SDRAM NorFlash NandFlash连线分析',
blogAbstract:'一、SDRAM（HY57V561620F）连线分析
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{list wl as x}{/list}RAM, SDRAM ,ROM, NAND FLASH, NOR FLASH 详解（引用）
编辑：www.fx114.net
本篇文章主要介绍了"RAM, SDRAM ,ROM, NAND FLASH, NOR FLASH 详解（引用） "，主要涉及到RAM, SDRAM ,ROM, NAND FLASH, NOR FLASH 详解（引用） 方面的内容，对于RAM, SDRAM ,ROM, NAND FLASH, NOR FLASH 详解（引用） 感兴趣的同学可以参考一下。
在看上面2440的内存映射的时候，对其中的有些名字，不是完全太懂，所以到网上找了相关的信息。
对于mini2440来说，SDRAM，即内存，程序运行时的地方。选择连接SDRAM的为bank6。
1）S3C2440 支持两种启动模式：一种是从 Nand Flash 启动；一种是从Nor Flash启动。在此两种启动模式下，各个片选的存储空间分配是不同的，
2）左面时nGCS0片选的Nor Flash启动模式下的存储分配图，右边是Nand Flash启动模式下的存储分配图，这里要注意，nGCS0片选的空间在不同的启动模式下，映射的器件是不一样的：
当在Nand Flash启动模式下，内部的4K Byte BootSram被映射到nGCS0片选的空间， 这4k的内存为SRAM。
当在Nor Flash启动模式下(非Nand Flash启动模式)，与nGCS0相连的外部存储器Nor Flash就被映射到nGCS0片选空间。
&
3）地址空间，共1GB，8个Bank区，每区128M，6个bank可以做ROM SRAM类型存储器bank
剩下2个可以作ROM，SRAM SDRAM等类型存储器bank
4）出了BANK0(只能是16/32位宽)之外，其他bank都具有可编程的访问大小(可以是8/16/32位款)
5）其中7个固定的存储器bank的起始地址，最后一个bank的起始地址时可编程的
6）最后两个bank的大小时可编程的
7）所有存取bank的访问周期都是可编程的
8）支持SDRAM的自刷新和掉电模式
9）总线访问周期可以通过插入外部wait来延长。
10) 可以通过软件选择，小/大端
11:s3c2440支持两种启动模式：NAND和非NAND（这里是nor flash）。
具体采用的方式取决于OM0、OM1两个引脚
OM[1:0]所决定的启动方式
OM[1：0]=00时，处理器从NAND Flash启动
OM[1：0]=01时，处理器从16位宽度的ROM启动
OM[1：0]=10时，处理器从32位宽度的ROM启动。
OM[1：0]=11时，处理器从Test Mode启动。
12)当从NAND启动时
cpu会自动从NAND flash中读取前4KB的数据放置在片内SRAM里（s3c2440是soc），同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间（即0x）。cpu是从0x开始执行，也就是NAND flash里的前4KB内容。因为NAND FLASH连地址线都没有，不能直接把NAND映射到0x，只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把nandflash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行
以上内容来自S3C2440的数据手册。
RAM有两大类，
一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。
SDRAM：同步动态随机存储器，像电脑的内存就是用的这种RAM叫DDR SDRAM。其集成度非常高，因为是动态的，所以必须有刷新电路，每隔一段时间必须得刷新数据。其存储单元不是按线性排列的，是分页的。一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。
Mini2440 使用了两片外接的32M bytes 总共64M bytes 的SDRAM 芯片。
内存工作原理：
内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
ROM：只读存储器的总称。
PROM：可编程只读存储器，只能写一次，写错了就得报废，现在用得很少了，好像那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。
EPRM：没见过，不知道什么东西。网上也找不到相关的东西。是EPROM吧？
EPROM：可擦除可编程存储器，这东西也比较古老了，是EEPROM的前身，在芯片的上面有个窗口，通过紫外线的照射来擦除数据。非常之麻烦。
EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，比之EPROM就先进点了，可以用电来擦除里面对数据，也是现在用得比较多的存储器，比如24CXX系列的EEPROM。
NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。
NOR采用的并行接口，其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍，其程序可以直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢，集成度低，成本高的。现在的NOR的容量一般在2M左右，一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的开发板上可以看见。
而NAND呢，采用的是串行的接口，CPU从里面读取数据的速度很慢，所以一般用NAND做闪存的话就必须把NAND里面的数据先读到内存里面，然后CPU才能够执行。就跟电脑的硬盘样的。但是它的集成度很高，我的ARM9的开发板上面一块256M的NAND还没有一块2M的NOR的一半大，所以成本很低。还有就是它的擦除速度也的NOR要快。要不然的话那就真的悲剧了，假如擦除一块2M的NOR要一分钟，如果NAND的擦除速度比NOR还要慢，那擦除一块256M的NAND不是要几个小时。
NAND一般是用在那些要跑大型的操作系统的嵌入式产品上面，比如LINUX啊，WINCE啊。NOR可是可以跑，可以把LINUX操作系统剪裁到2M以内，一个产品难道只去跑系统吗？用户的应用程序呢！其实很多时候，一个嵌入式产品里面，操作系统占的存储空间只是一小部分，大部分都是给用户跑应用程序的。就像电脑，硬盘都是几百G，可是WINDOWNS操作系统所占的空间也不过几G而已。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
Nand Flash 不具有地址线，它有专门的控制接口与CPU 相连，数据总线为8-bit，但这并不意味着Nand Flash 读写数据会很慢。大部分的优盘或者SD 卡等都是Nand Flash 制成的设备。
本文标题：
本页链接：17ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别
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17ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别
ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM、；ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Re；之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存；RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static；级缓冲，二级缓冲；宜很多，计算机内存就是DRAM的；DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/Fa；SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本；本优势，事实
ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别 ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDRSDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。 举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。 FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。 目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk OnChip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。SRAM是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。 然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关包含各类专业文献、中学教育、应用写作文书、专业论文、幼儿教育、小学教育、高等教育、17ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别等内容。
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nand flash和sdram的内存表示方法一样吗？
提问者采纳
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。而SRAM (Static RAM，静态随机存储器) - 此类静态RAM的运行速度非常快，也非常昂贵，其体积相对来说也比较大。今天我们常说的CPU内的一级、二级缓存就是使用了此SRAM。英特尔的 Pentium III Coppermine CPU中结合有256KB的全速二级缓存，这实际上就是一种SRAM。非常不幸得就是 此种SRAM与其&伙伴&DRAM相比非常地昂贵，因此在CPU内只能使用少量的SRAM，以降低处理器的生产成本；不过由于SRAM的特点---高速 度，因此对提高系统性能非常有帮助。处理器内的一级缓存，其运行频率与CPU的时钟同步；而二级缓存可以整合在CPU中，也可以位于如一些Slot-1 CPU的边上。
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