smic 18nm mos管mos阈值电压公式是多少

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-04-22 10:41 标签： mos阈值电压公式
在razavi中文版478页，VTH随L的减小而变小。
但是在EECS240的lecture中，VTH随L的减小而增大。
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现在的MOS，VTH与L的关系不是单调的。
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在razavi中文版478页，VTH随L的减小而变小。
但是在EECS240的lecture中，VTH随L的减小而增大。
helianalog 发表于
& & 先谢谢了，我通过仿真得到的结果是vth随L的减小而增大，用的是smic0.18的工艺。今天看的论文中默认的是Vth随L的减小而变小，然后得到了一系列的结论。也没给参考依据。
现在到底是应该怎么理解这个东西呢？是正比趋势还是反比趋势呢？还是有条件限制的呢？
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影响阈值电压变化的因素很多& &不能单看栅长& &要全面考虑。。。
没有负担的生活着……
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可以看阈电压的完整表达式就知道了
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在EECS240 lecture中，随着L的增大，VTH是先上升，然后下降，其中有考虑到holo作用。
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这个需要具体问题具体分析了 影响的因素不是单一的
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helianalog
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& & 按照DIBL效应VTH是随L增大而增大的，但是现在的小尺寸工艺中一般都会采用halo结构，这样VTH和L的关系就不是那么确定了，有时候甚至随L增大而减少了
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一款高精度基准电压源的设计方案
2 基准电压的设计
对于一个工作在饱和区的二极管连接NMOS晶体管，如图4所示，它的Vgs=Vds流过它的饱和漏电流为：
对于MOS管的阈值电压Vth,它的一阶近似表达式可以表示为：
式中：Vth0为MOS管工作在绝对零度时的阈值电压;aVT为一个与温度无关的常数;T-T0为温度变化量。对于一个MOS管的迁移率&n:它的大小可以表示为：
&n=&n0(T/T0)-m (19)
式中：&n0为绝对温度时MOS管的迁移率值;T0为绝对零度;T为温度变化量;m为比例变化因子，它的典型值为1.5.
令式(10)中I1为式(17)中的Id,即：I1=Id,将式(10)、式(18)和式(19)代人式(17)整理可得：
从式(21)可看出，如果适当调节晶体管的宽长比W/L,使得зVgs/зT=0,即：
便可以得到一个高精度、与温度无关的Vgs,即Vref=Vgs=Vds.此思想设计的具体实现电路如图5所示。
对图5进行分析，NMOS晶体管M1和M2通过Vgs1和Vgs2产生漏电流Id1,再通过电流源M3和M7,使得它流入二极管连接的NMOS晶体管 M12,产生一个基准电压源Vref.在图5中，M3~M7五个晶体管尺寸相同，M1和M2晶体管的宽长比比例为1:m.式(21)中的W/L为图5中二极管连接M12管的宽长比。
3 仿真结果与分析
对图3PTAT产生电路进行仿真，可以得到图6仿真结果。
从图6仿真结果可以看出，流过M1管的漏电流与绝对温度成正比，&I/&T△0.6.
对图5基准电压源电路进行仿真，可得如图7所示结果。通过对图7分析可知，在25℃时，基准电压源的电压约为1.094.04 V,在整个温度范围(-40~80℃)内，其温度漂移系数为6.12 ppm/℃，满足高精度基准电压源的设计要求。
在此，基于SMIC 0.18&m CMOS工艺，采用一阶温度补偿作为基准电压补偿，提出一种新颖的PTAT电流产生电路结构，以对二极管连接的NMOS晶体管的阈值电压进行补偿，得到一个高精度基准电压源。该电路占用芯片面积小，精度高，可移植性强，非常适用于当今高精度的A/D,D/A和高精度运放偏置电路。此电路已成功应用于某款高速DAC芯片中。
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带隙基准源是模拟集成电路中一个重要的单元。它为其它功能模块，比如偏置电路，参考电路
提供高精度的电压基准，或由其转化的高精度电流基准。基准源输出的基准信号稳定，与电源电压、
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工艺设计适合于DAC芯片中应用的带隙基准电压源是本文的主要研究内容。
本文介绍了带隙基准源的发展动态，分析了带隙基准源的基本工作原理。通过比较各种经典的
CMOSI艺，可以工作在
带隙基准源结构，针对设计的指标以及创新性要求设计了一款采用0．181ma
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下正常工作，为DAC提供稳定的电压参考。
【关键词】带隙基准源电源抑制比温度系数Rail．to．Rail运算放大器
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