可控硅阴极和阳极是什么意思_百度知道
可控硅阴极和阳极是什么意思
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因此，反向电阻比正向电阻要大，并不能说明控制极特性不好阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，万用表应放在R*10或R*1挡。控制极与阴极之间是一个P-N结，而且方向相反，或阳极与控制极短路。可是控制极二极管特性是不太理想的，有时测得控制极反向电阻比较小。另外，反向不是完全呈阻断状态的，因此阳极和控制极正反向都不通），可以有比较大的电流通过，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围。若测得元件阴阳极正反向已短路，说明元件已损坏，在测量控制极正反向电阻时，防止电压过高控制极反向击穿，或控制极与阴极断路，或控制极与阴极反向短路，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结
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如何判断可控硅的三个极？如何判断可控硅是否损坏？
鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。
控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。
如何鉴别可控硅的三个极
1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流
两者缺一不可 维持导通1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流 两者缺一不可 从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流 任一条件即可 2、基本伏安特性 可控硅的基本伏安特性
答：简介如下：
（1）极性鉴定：
①将万用表的量程拨到R×10或×100档
②阳极—阴极之间的正向电阻在几百KΩ以上，反向电阻为∞。
③阳极—门极间的正向电阻在几百KΩ以上。
④门极—阴极间的正向电阻约在几十Ω范围内，一般反向电阻比正向电阻大，电阻在几百Ω范围内。
（2）损坏鉴定：
①方法同上。若测得阳极—阴极正反向电阻都很小，说明已经短路。若测得门极—阴极正反向电阻很大，说明可控硅损坏或短路。
②在测量门极正反向电阻时，不要用10K档，以防表内高压反向击穿门极。
非常好我支持^.^
不好我反对
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有关光耦可控硅控制中，一个不能理解的电阻问题
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用光耦可控硅驱动可控硅时，这个电阻的作用是啥？？一直没明白。
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G的触发极性是相对于T1来说的。当3041关断时，其微小的漏电流被并联在G和T1间的电阻所旁路，使得其上面的电压很低----近似等于0，远小于触发所需的电压。所以根 ...
预防MOC3041关断时的微弱漏电流而对可控硅产生的误触发。
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没有人解答一下吗？
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围观，我平时有时候不求甚解，用过也看过，但没注意到这个细节，楼主用心，必定能成为一个好的工程师。期待有人解答！
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谢谢楼上帮顶，期待能遇到高人讲解一下。
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是双向可控硅的门极电阻,当可控硅灵敏度较高时,门极阻抗也很高,并上 330 可提高抗干扰能力。
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预防MOC3041关断时的微弱漏电流而对可控硅产生的误触发。
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pspice仿真下就明白了
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330会不会太小了点，我一般都是用10K或者20K。
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感谢上面几位的解释，我的疑虑如下：
双向可控硅的触发有4种情况，
T2(或称阳极)+& & T1(或称阴极)-& && & G（或称触发极）+
T2(或称阳极)+& & T1(或称阴极)-& && & G（或称触发极）-
T2(或称阳极)-& & T1(或称阴极)+& && & G（或称触发极）+
T2(或称阳极)-& & T1(或称阴极)+& && & G（或称触发极）-
也就是说，无论双向可控硅两端是交流电的正半轴，还是负半周，触发极都可以通过高和低两种情况进行触发，
根据这条原理，图中在MOC3041关断时，如果遇到T2(或称阳极)-& & T1(或称阴极)+& && &正好满足 G（或称触发极）+
可控硅不是又触发了吗？也就是当MOC3041不工作时，双向可控硅会在负半周继续工作，相当于单向可控硅的功能了？？
不知道我的表达清楚了没有？
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G的触发极性是相对于T1来说的。当3041关断时，其微小的漏电流被并联在G和T1间的电阻所旁路，使得其上面的电压很低----近似等于0，远小于触发所需的电压。所以根本不会发生触发，不管是正半周还是负半周。
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本帖最后由 jinyitong 于
10:05 编辑
G的触发极性是相对于T1来说的。当3041关断时，其微小的漏电流被并联在G和T1间的电阻所旁路，使得其上面的电压很低----近似等于0，远小于触发所需的电压。所以根本不会发生触发，不管是正半周还是负半周。 ...
qzlbwang 发表于
终于搞明白了，“G的触发极性是相对于T1来说的”！
当交流负半周&&即T1+ T2-时，G极和T1等电位，不高于T1，也不会低于T1（在3041关断时），所以，不会有我理解的那样，出现负半周工作的情况。
而这个电阻正是10楼、6楼所说的那样，旁路掉3041的漏电流，很好的关断可控硅。
谢谢各位了。
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提高抗干扰能力&&防止误触发。
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我的360欧的电阻，为什么总烧毁呢？换成1w的也很热
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我的360欧的电阻，为什么总烧毁呢？换成1w的也很热
你这个电阻不是门级防止误触发的电阻
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非常感谢楼主及其他朋友的问题及解答。
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绝对官方回答：栅极电阻Rg仅在TRAIC或SCR的内部栅极阻抗较高时（敏感性栅极晶闸管就属于该情况）才是必须的。这些器件如果没有Rg,抗噪性能和热稳定性将会非常差。在该情况下，栅极电阻值的范围应当为100~500欧。电阻设计人员应当意识到，使用栅极电阻会增加所需的触发电流I(GT),因为Rg会吸走一部分的I(GT).栅极电阻与限流电阻R结合会造成零时刻与功率TRAIC触发时刻之间的非预期延迟或相移。
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正常的说吧硅有个小线尾巴对表笔，量身子的俩面一面表来一面不来就没事，也就是发射极对基极和集电极。
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