请问这个是什么电子元器件啊是三极管,还是可控硅作用是什么?

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请问我这个IO控制电源开关电路还有的救吗? 可否用三极管替代双向可控硅?
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一粒金砂(中级), 积分 150, 距离下一级还需 50 积分
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&我用一块9板子, 供电是锂电池3.7V;目标:我有3个(电动机;蜂鸣器;AD),这些模块都要5v才能。于是我就加一个升压板(3v升5V);但是我想控制这些模块的通断。于是用了4个双向可控硅Z0409MF,并用4个GPIO口来控制。(图上没有AD模块)。升压板:3v-》5.5V,700mA;电动机: DC5V; 110mA; 供电在BELL上方的5V。GPIO口:低电平=接地;高电平=3.3V。现在的情况:我能控制升压板的,GPIO口工作都正常(不接直流电动机的情况下)。但是当我接上直流电动机后,我无法控制直流电动机的通断。,发现单片机的IO口变成5.5V了.
我觉得原因:当低电平有效时,感觉是A2脚的正向电压向G脚跑过去了,而不是回到A1脚。这是为什么呢? 在我不重新画板的情况下, 能解决这些问题吗?&解决办法:用三极管替代,我的PCB板已经做好了,3pin, 2.54间距,请问用什么规格的三极管比较好呢?,
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累,看了好久。
用8050就行,但GPG8、GPG11、GPA12都就串入一个电阻。
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GPG这些IO口: 不开机时,曾高组态。开机后,3.2V。 低电平=0v。
昨天买了8550, NPN型,试了一下,不行。
请问8050, 是在基极加串上电阻吗? 串多大的呢?
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8550是PNP型的。当然不行。
串多大的电阻,一般根据它的放大倍数决定。你可以串个4.7K的试试。一般要在1~10K中间调整。
看你的图,你买8050时,要买那个to92封装中间是发射极的,可以直接接上去
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回复 沙发 dontium 的帖子
我的ARM9的GPIO口属性:(GPG8)
关机时=0V,电阻好像是128K?
开机后=3.3V。电阻无穷大。
低电平=0V。电阻=0。
我就想, 关机时 开机时,他都不工作。只有低电平时工作
1. 因为昨天只买到8550. 我这种情况一定要用8050吗?
2. 请问1K的电阻起到什么作用呢?
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回复 4楼 dontium 的帖子
en , 我买的是TO-92封装的。方便接插。
左边的三极管是对升压板的负极进行开关。这个升压板是3V升5V。
其他2个三极管是对5V的负极进行开关。
请问这电阻如何计算啊?(我是写软件的,自己做个小东西,太菜了,不好意思!)
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NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同,说得“专业”一点,就是“极性”问题。
NPN 是用 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即 VC & VB & VE
PNP 是用 E→B 的电流(IB)控制 E→C 的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即 VC & VB & VE
1.如果输入一个高电平,而输出需要一个低电平时,首选择npn。
2.如果输入一个低电平,而输出需要一个低电平时,首选择pnp。
3.如果输入一个低电平,而输出需要一个高电平时,首选择npn。
4.如果输入一个高电平,而输出需要一个高电平时,首选择pnp。
NPN和PNP型传感器的区别就是在与输出的电平不同,NPN输出低电平,PNP反之。
N是英文单词native的缩写,P是positive的缩写,分别代表正、负。N材料中导电的东西是电子、P材料中导电的是空穴。
mark一下,慢慢读
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我应该符合第二条:
2.如果输入一个低电平,而输出需要一个低电平时,首选择pnp。
用低电平打开,输出是将负极进行开关。
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可控硅通常用于交流场合的控制,用于直流要有阻断机制才行,显然楼主的应用并不满足,用晶体管或MOS管即可,特别是MOS管。
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回复 6楼 vcxz_1982 的帖子
作开关的管子的基极电阻的选择原则是,使基极电流大于C极电流的(Ic/ beta)倍。使其饱和。
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回复 10楼 dontium 的帖子
感谢版主再次回复!
我昨天搜索了好多资料看,大部分推荐我用MOS管。
但是三极管和MOS管,都有人遇到关不死的问题。
我觉得三极管很容关不死。因为是饱和模式。MOS管是截断模式,不知道我理解的对不对?
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一粒金砂(高级), 积分 342, 距离下一级还需 158 积分
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没有看到公共地线
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原帖由 liufan 于
01:44 发表
没有看到公共地线 &他们是共电源的, 负极就是GND.& G& A1 A2 中间的就是负极GND.
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场效应管,可控硅分别是什么,跟三极管有什么区别
我有更好的答案
三极管是全控的,可以用小电流控制输出的电流大小。可控硅只能控制通断,可控硅接通后不能自动截断,必须有个负电压才能截断。场效应管不太清楚,这是网上的资料:场效应管与三极管的各自应用特点1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。2.场效应管是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此场效应管的放大能力较差;三极管是电流控制电流器件,由iB(或iE)控制iC。场效应管3.场效应管栅极几乎不取电流(ig&0);而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高。4.场效应管是由多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用场效应管。5.场效应管在源极金属与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大;而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,β值将减小很多。6.场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。7.场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路,但由于前者制造工艺简单,且具有耗电少,热稳定性好,工作电源电压范围宽等优点,因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。8.三极管导通电阻大,场效应管导通电阻小,只有几百毫欧姆,在现用电器件上,一般都用场效应管做开关来用,他的效率是比较高的。
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