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何红宇,郑学仁.非晶IGZO薄膜晶体管开启区电流的解析模型[J].Journal of Semiconductors,):
Analytical drain current model for amorphous IGZO thin-film transistors in above-threshold regime
Author NameAffiliation&,,,;,,,&&,,,&
Abstract:&An analytical drain current model is presented for amorphous In–Ga–Zn–oxide thin-film transistors in the above-threshold regime, assuming an exponential trap states density within the bandgap. Using a charge sheet approximation, the trapped and free charge expressions are calculated, then the surface potential based drain current expression is developed. Moreover, threshold voltage based drain current expressions are presented using the Taylor expansion to the surface potential based drain current expression. The calculated results of the surface potential based and threshold voltage based drain current expressions are compared with experimental data and good agreements are achieved.
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全文下载次数:&&2767一种电流放大型自旋晶体管--《上海大学学报(自然科学版)》2003年02期
一种电流放大型自旋晶体管
【摘要】：该文提出了一种电流放大型自旋晶体管设计思想,并对其电流放大系数作了一定的分析讨论.自旋晶体管中的电流放大系数主要取决于注入基区的自旋极化电子的极化程度,基区中自旋的驰豫时间及基区的宽度.
【作者单位】：
【关键词】：
【分类号】：TN32【正文快照】：
　　1993年MarkJohnson提出了一种全新的晶体管[1],全金属自旋晶体管.该晶体管主要具有开关特性,可用于制造NRAM(Nonvolatilerandomaccessmemory),它具有一些优点,如:无需电源维持能永久保存数据;单元件尺寸可小至纳米量级且性能更优;其集成度可突破半导体集成电路的极限等[2]
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3秒自动关闭窗口使开关稳压IC输出电流增大到12倍的双极晶体管--《电子设计技术》2002年01期
使开关稳压IC输出电流增大到12倍的双极晶体管
【摘要】：正 图1所示电路采用最少的外部元件,就可使0.5A补偿型开关稳压集成电路的最大输出电流提高到6A以上。该电路适用于15V～60V输入电压,根据所选开关稳压集成电路的不同,可提供3.3V、5V或12V三种输出电压。图2是在高达60V的输入电压范围内绘制的三种标准输出电压的转换效率曲线。该电路适用于要求输出电流、输入电压比标准集成电路高,或
【作者单位】：
【关键词】：
【分类号】：TN32【正文快照】：
图l所示电路采用最少的外部元件,就可使。.SA补偿型开关稳压集成电路的最大输出电流提高到6A以上。该电路适用于15V一60V输入电压,根据所选开关稳压集成电路的不同,可提供3.3V、SV或12V三种输出电压。图2是在高达60V的输入电压范围内绘制的三种标准输出电压的转换效率曲线。
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