GTL201010位双向低电压转换www.ti.comSCDS221 - 2006年9月特点oooooooooo提供双向电压转换与无方向控制要求允许电压电平转换从1 V高达到5伏提供直接接口GTL ， GTL + ，LVTTL / TTL和5 V CMOS电平低导通电阻和输入之间输出引脚（SN / DN ）支持热插入无电源要求 - 不会锁存Up5 V容限输入低待机电流流通引脚排列，便于印刷的电路板走线的路由ESD保护超过JESD 22- 2000 -V人体模型（ A114-4 ）- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）GND 1SREF2S1 3S2 4S3 5S4 6S5 7S6 8S7 9PW包（ TOP VIEW ）24 GREF23 DREF22 D121 D220 D319 D418 D517 D616 D715 D814 D913 D10S8 10S9 11S10 12应用o双向或单向的应用要求电压电平转换从任何电压（ 1 V至5 V） ，以任何电压（ 1 V到5伏）低电压处理器I2端口C翻译3.3 -V和/或5 - V I2C总线信号电平GTL / GTL +转换为LVTTL / TTL信号水平oo描述/订购信息该GTL2010提供10 NMOS旁路晶体管（锡和Dn ）与一个共同的栅极（GREF）和一个参考晶体管（SREF和DREF） 。低通态电阻的开关可以连接到被制成最小的传播延迟。 ，无需方向控制引脚，该器件允许双向电压翻译任何电压（ 1 V至5 V ） ，以任何电压（ 1 V至5 V ） 。当Sn或DN口为低电平时，钳位电路在接通状态和之间存在低电阻的连接的锡和Dn端口。假设较高的电压是DN端口上，当DN口为高电平时，电压上Sn的端口被限制在电压由基准晶体管设定（SREF） 。当Sn的端口为HIGH时，将dn端口被拉至VCC通过上拉电阻。请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。PRODUCTION数据信息为出版日期。产品符合占德州条款规范仪器标准保修。生产加工过程中不不一定包括所有参数进行测试。版权所有(C) 2006年，德州仪器GTL201010位双向低电压转换SCDS221 - 2006年9月www.ti.com描述/订购信息（续）在GTL2010所有晶体管具有相同的电气特性，并有最小的偏差从一个输出到另一个电压或传播延迟。这提供了优越的配套在分立晶体管电压转换的解决方案，其中所述晶体管的制造是不对称的。所有的晶体管是相同，参考晶体管（SREF/DREF）可以位于任何匹配的Sn / DN晶体管的其他10 ，能够让您轻松电路板布局。译者晶体管集成ESD电路提供出色的ESD保护。订购信息TA-40 ° C至85°C(1)TSSOP - PW包(1)磁带和卷轴订购型号SN74GTL2010PWR顶部端标记GK2010包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在www.ti.com/sc/package 。引脚说明PIN号123–1213–222324名字GNDSREFSnDnDREFGREF接地（ 0 V ）参考晶体管的源港口S1-10端口D10 -D1参考晶体管的漏极参考晶体管的栅极描述2提交文档反馈www.ti.comGTL201010位双向低电压转换SCDS221 - 2006年9月功能表(1)ABC高到低的转换（假设DN是在更高的电压电平）GREF （2）HHHL(1)(2)(3)(4)(5)DREFHHHLSREF0VVTT(3)输入D10–D1XHLX输出S10–S1XVTTX(4)晶体管关闭OnOn关闭VTT0 – VTTL(5)H =高电平， L =低电压等级， X =无所谓GREF应该比S上至少1.5伏高REF最佳翻译操作。VTT是相等的SREF电压。Sn的未拉或下拉。锡遵循DN输入低电平。低到高的转换（假设DN是在更高的电压电平）(1)GREF （2）HHHL(1)(2)(3)(4)(5)DREFHHHLSREF0VVTT (3)VTT0 – VTT输入D10–D1XVTTLX输出S10–S1XH(4)L(5)X晶体管关闭几乎关闭On关闭H =高电平， L =低电压等级， X =无所谓GREF应该比S上至少1.5伏高REF最佳翻译操作。VTT是相等的SREF电压。的dn被拉至VCC通过一个外部电阻器。DN遵循锡输入低电平。CLAMP原理图DREFGREFD1D10SREFS1S10SA00647提交文档反馈3GTL201010位双向低电压转换SCDS221 - 2006年9月www.ti.com绝对最大额定值(1) (2) (3)民VSREFVDREFVGREFVSnVDnIREFKISKIDKI最大θJAT英镑(1)(2)(3)直流电源参考电压直流漏基准电压直流栅极电压参考直流电压端口锡直流电压端口DN在参考引脚的直流电流的二极管DC二极管电流端口锡DC二极管电流端口DN每通道直流钳形电流封装的热阻抗存储温度范围–65VI＆ LT ; 0 VVI＆ LT ; 0 VVI＆ LT ; 0 V在ON状态下渠道–0.5–0.5–0.5–0.5–0.5最大77777–50–50–50±12888150单位VVVVVmAmAmAmA° C / W°C超越那些在&absolute最大ratings&上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，而根据&recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作conditions&是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。的高性能的性能能力的集成电路结合其热环境可以创建结温度下，不利于可靠性。该集成电路的最高结温度不应超过150 ℃。如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。推荐工作条件民VI / OVSREFVDREFVGREFI通TAMB(1)输入/输出电压（SN ， DN）直流电源参考电压(1)直流漏基准电压直流栅极电压参考通过晶体管的电流工作环境温度范围内（在自由空气中）–400000最大5.55.55.55.56485单位VVVVmA°CVSREF= VDREF- 1.5 V的电平转换的应用达到最佳效果。4提交文档反馈www.ti.comGTL201010位双向低电压转换SCDS221 - 2006年9月电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）参数VOLVIKIIHC我（ GREF ）Cio的（OFF）的Cio的（上）低电平输出电压输入钳位电压门输入漏栅极电容关断电容在电容测试条件VDD= 3 V, VSREF= 1.365 V, VSn或VDn= 0.175 V,I钳= 15.2毫安II= -18毫安，VI= 5 V,VI= 3 V或0 VVO= 3 V或0 V ，VO= 3 V或0 V ，VGREF= 0 VVGREF= 3 VVGREF= 4.5 VVGREF= 3 VVI= 0 Vr对（2）导通状态电阻VI= 2.4 VVI= 1.7 V(1)(2)VGREF= 2.3 VVGREF= 1.5 VVGREF= 1.5 V,VGREF= 4.5 VVGREF= 3 VVGREF= 2.3 VIO= 15毫安IO= 30毫安IO= 64毫安VGREF= 0 VVGREF= 0 V567.418.63.54.45.56797585057910515108070Ohm民典型值(1)260最大350–1.25单位mVVuApFpFpF所有典型值是在T测AMB= 25°C.测得的由锡和DN终端之间的指示通过开关的电流的电压降。导通状态电阻由两个（ Sn或DN）的终端的最低电压来确定。提交文档反馈5GTL201010位双向低电压转换器牧师06 - 日产品数据表1.概述该发射接收逻辑 - 收发器电压钳位（ GTL - TVC ）提供高速电平转换，低导通电阻和最小传播延时。该GTL2010提供10个NMOS晶体管通（ Sn和DN ）与普通门（ GREF ）和参考晶体管（ SREF和DREF ） 。该设备允许双向无需使用方向引脚的1.0 V和5.0 V电压转换。当Sn或DN口为低电平时，钳位电路在接通状态和低电阻SN和DN端口之间的连接。假设较高的电压是对DN口，当DN端口为HIGH Sn的端口上的电压被限制在电压通过设置参考晶体管（ SREF ） 。当Sn的端口为HIGH时，将dn端口被拉至VCCby上拉电阻器。此功能允许的更高的无缝转换由用户选择较低的电压，而不需要定向控制。所有的晶体管具有相同的电特性，并有最小的偏离一个输出到另一个电压或传播延迟。这是一个好处科幻吨以上的离散晶体管的电压转换的解决方案中，由于晶体管的制造是对称的。因为在该装置中的所有晶体管是完全相同的， SREF和DREF可以位于任何其他10匹配的Sn / DN的晶体管，能够让您轻松板布局。译者的晶体管，更低的电压提供出色的ESD保护装置，并在同一时间保护较少的ESD抗设备。2.特点I10位双向低电压转换器I可以在1.0 V的电压电平转换， 1.2 V， 1.5 V， 1.8 V ， 2.5 V ， 3.3 V和5 V公交车，允许直接接口GTL ， GTL + ， LVTTL / TTL和5 V CMOS电平I提供双向电压转换没有了方向引脚I6.5低Ohm导通电阻（Ron）输入和输出引脚之间（SN / DN ）I支持热插入I无需外部电源：不会闭锁I5 V容限输入I低待机电流I流通引脚排列，便于印刷电路板走线的路由IESD保护超过每JESD22 - A114 2000 V HBM ， 200 V MM元JESD22 - A115 ，每JESD22 - C101 1000 V CDMI封装形式： TSSOP24 ， HVQFN24恩智浦半导体GTL201010位双向低电压转换器3.应用I需要双向或单向电压电平转换任何应用程序从1.0 V至5.0 V的任何电压为5.0 V的任何电压为1.0 VI漏极开路结构，无方向引脚是理想的双向低电压（例如， 1.0伏， 1.2伏， 1.5伏或1.8伏）处理器我2C总线端口转换到正常的3.3 V和/或5.0 V I2C总线信号电平或GTL / GTL +转换为LVTTL / TTL信号电平4.订购信息表1中。订购信息包名字GTL2010PWGTL2010BSTSSOP24HVQFN24描述塑料薄小外形封装; 24线索;体宽4.4毫米VERSIONSOT355-1类型编号塑料的热增强型非常薄四方扁平的封装; SOT616-1没有线索; 24个终端;体4×4×0.85 mm4.1订购选项表2中。订购选项上部MARKGTL20102010温度范围-40 °C+85°C-40 °C+85°C类型编号GTL2010PWGTL2010BS5.功能图DREFGREFD1D10SREFS1S10002aac059图1 。工作原理图GTL2010_6(C) NXP B.V. 2008保留所有权利。产品数据表牧师06 - 日2 20恩智浦半导体GTL201010位双向低电压转换器6.管脚信息6.1钢钉21 GREFSREFS1S2S3S4S5S6S72345678923 DREF22 D121 D220 D319 D418 D517 D616 D715 D814 D913 D10002aac057S2S3S4S5S6S7123456D10 10D9 11D8 1278919 D118 D217 D316 D415 D514 D613 D7002aac058GTL2010PW24 S11号航站楼索引区GTL2010BSS8 10S9 11S10 12S8S9透明的顶视图图2 。引脚CON组fi guration为TSSOP24图3 。引脚CON组fi guration的HVQFN246.2引脚说明表3中。符号GNDSREFS1至S10中D1至D10DREFGREF[1]引脚说明针TSSOP24123, 4, 5, 6, 7, 8, 9,10, 11, 12HVQFN2422[1]23接地（ 0 V ）参考晶体管的源描述24 ，1，2 ，3，4 ，5，6 ，端口S1至S10的端口7, 8, 922 ， 21 ， 20 ， 19 ， 18 ， 19 ， 18 ， 17 ， 16 ， 15 ，端口D1至D10港17, 16, 15, 14, 13 14, 13, 12, 11, 1023242021参考晶体管的漏极参考晶体管的栅极HVQFN24封装芯片电源地连接到两个GND引脚和裸露焊盘中心。 GND引脚必须连接到电源地进行适当的设备操作。为了改善散热，电气和板级性能，裸露焊盘必须焊接到使用相应的董事会在黑板上，并通过董事会适当的热传导散热垫，散热孔需在印刷电路板中的热焊盘区域并入。GTL2010_6S1022 GNDGND124 GREF(C) NXP B.V. 2008保留所有权利。产品数据表牧师06 - 日20 DREF23 SREF3 20恩智浦半导体GTL201010位双向低电压转换器7.功能描述另请参阅图1 “功能图” 。7.1功能选择表4 。功能选择，高电平到低电平转换假设Dn为在较高的电压电平。H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心GREF[1]HHHL[1][2][3][4]DREFHHHLSREF[2]0VVTVT0 V-VT输入DNXHLX输出锡XVT[3]L[4]X晶体管关闭onon关闭GREF应该比SREF最佳翻译操作的至少1.5伏以上。VT等于SREF电压。Sn的未拉或下拉。锡遵循DN输入低电平。表5 。功能选择，低到高的转换假设Dn为在较高的电压电平。H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心GREF[1]HHHL[1][2][3][4]DREFHHHLSREF[2]0VVTVT0 V-VT输入锡XVTLX输出DNXH[3]L[4]X晶体管关闭几乎关闭on关闭GREF应该比SREF最佳翻译操作的至少1.5伏以上。VT等于SREF电压。的dn被拉至VCC通过一个外部电阻器。DN遵循锡输入低电平。GTL2010_6(C) NXP B.V. 2008保留所有权利。产品数据表牧师06 - 日4 20恩智浦半导体GTL201010位双向低电压转换器8.应用设计信息8.1双向翻译对于双向夹紧CON连接的配置中，高电压，低电压，低电压更高的电压时， GREF输入必须连接到DREF ，并且两个引脚拉至高压侧VCC通过一个上拉电阻（通常为200千欧） 。上的滤波器电容DREF建议。该处理器的输出可以是图腾柱或漏极开路（拉可能需要电阻器）和芯片设定的输出可以是图腾柱或漏极开路（上拉电阻，需要拉DN输出到VCC） 。但是，如果任一输出是图腾柱，数据必须是单向或输出必须是三stateable和输出必须通过一些方向控制机构进行控制，以防止高电压到低争论在任一方向。如果两个输出为开漏，没有方向控制需要的。参考晶体管（ SREF ）的相对侧上被连接到所述处理器核心电源电压。当DREF通过一个200 kΩ的电阻连接以3.3 V至5.5 V VCC供给和SREF被设定在1.0 V至（ⅤCC-1.5伏）时，输出的每个锡具有最大输出电压等于SREF和每个DN具有输出的最大输出电压等于VCC.1.8 V1.5 V1.2 V1.0 VGNDVCORECPU的I / OS2SREFS15V200 kOhm图腾柱或漏极开路I / OGREFDREFD1芯片组I / OD2VCC增加位大小通过使用10位GTL2010或22位GTL2000VCCS3S4S5SnD33.3 V芯片组I / OD4D5Dn002aac060典型的双向电压转换。图4 。双向转换到多个更高的电压电平，如我2C总线应用GTL2010_6(C) NXP B.V. 2008保留所有权利。产品数据表牧师06 - 日5 20集成电路GTL201010位GTL处理器的电压钳位产品speci fi cation日飞利浦半导体飞利浦半导体产品speci fi cation10位GTL处理器的电压钳位GTL2010特点o直接接口与TTL电平o6.5Ω的导通口S之间的连接n和Dn描述该GTL2010是一个高速10位电压钳。低导通状态的夹具的电阻允许进行连接以最小的传播延迟。该设备被组织为一个10位的电压钳位。当S或D为低电平时，钳位电路在接通状态和低电阻连接在S和D端口之间是否存在。当S口和D口都很高，夹具是在断开状态和非常高的阻抗存在在S和D端口之间。当D口为高电平时，对电压S端子被钳在GREF所施加的基准电压端口。引脚配置GND 1SREF2S13S24S35S46S57S68S79S810S911S1012242322212019181716151413GREFDREFD1D2D3D4D5D6D7D8D9D10SA00527快速参考数据符号tPLHC关闭参数传播延迟锡以DN通道电容（ OFF状态）条件TAMB= 25°C ; GND = 0VVDD1= 3.3V; VDD2= 2.5V;VREF= 1.5V ;卸载VS= 1.5V典型1.57.5单位nspF订购信息套餐24引脚塑料TSSOP II型温度范围0 ° C至+ 85°C北美以外的地区GTL2010 PW北美GTL2010PW DHDWG号SOT355–1引脚说明引脚数123 – 1213 – 222324符号GNDSREFSnDnDREFGREF名称和功能地（ 0V ）引用来源晶体管口S1到左舷S10端口D1到端口D10参考漏晶体管参考门晶体管CLAMP原理图DREFGREFD1D10功能表SNLHH =高电压等级L =低电压等级Z =高阻抗“关闭”状态DNLHSREFS1S10SA00526日2853-飞利浦半导体产品speci fi cation10位GTL处理器的电压钳位GTL2010绝对最大额定值1, 2, 3符号VS_REFVD_REFVG_REFVSnVDnIREFKISKIDKI最大T英镑参数直流电源参考电压直流漏基准电压直流栅极电压参考直流电压左舷Sn直流电压端口Dn直流参考二极管电流DC二极管电流左舷SnDC二极管电流端口Dn每通道直流钳形电流存储温度范围VI＆ LT ; 0VI＆ LT ; 0VI＆ LT ; 0在ON状态下渠道条件等级-0.5到+7.0-0.5到+7.0-0.5到+7.0-0.5到+7.0-0.5到+7.0–50–50–50±35-65到+150单位VVVVVmAmAmAmA°C注意：1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作器件在这些或超出下标明的任何其他条件， “推荐工作条件”是不是暗示。接触绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。2.高性能集成电路的结合它的热环境可以创建结的性能能力温度，这是不利于可靠性。该集成电路的最高结温度不应超过150 ℃。3.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。推荐工作条件范围符号VS_REFVD_REFVG_REFVSnVSnVDnVDnISIITAMB参数直流电源参考电压直流漏基准电压直流栅极电压参考直流电压左舷Sn（OFF状态）直流电压左舷Sn（ ON状态）直流电压端口Dn（OFF状态）直流电压端口Dn（ ON状态）切换输入漏电流（OFF状态）局长n和DnI / OGREF输入漏电流工作环境温度范围VS, VD= 5VVG= 5V在自由空气0条件民1.0VS_REF+ 0.6VS_REF+ 0.6VS_REF0VS_REF0最大4.45550.250.4152.5+85VVVVVVVuAuA°C单位日3飞利浦半导体产品speci fi cation10位GTL处理器的电压钳位GTL2010DC特性VDD1= 3.0? 3.6V ; VDD2= 2.36至2.64V ; VREF= 1.365至1.635V范围在推荐的工作条件。电压都参考GND（地= 0V）。请参考测试电路图。范围符号参数测试条件TAMB= 0 ° C至+ 85°C民VOL低电平输出电压VS= 0.175V范围内;我钳= 15.2毫安典型值1260最大350mV单位注意：1.所有典型值是在V测DD1= 3.3V, VDD2= 2.5V, VREF= 1.5V和TAMB= 25 CAC特性VDD1= 3.0? 3.6V ; VDD2= 2.36至2.64V ; VREF= 1.365至1.635V范围GND = 0V ;吨r= tf≤3.0ns参考测试电路图。范围符号参数波形民tPLH2传播延迟SN到D DN来锡0.5TAMB= 0至+ 85°C典型值11.5最大5.5ns单位注意：1.所有典型值是在V测DD1= 3.3V, VDD2= 2.5V, VREF= 1.5V和TAMB= 25 C2.传播延迟保证的表征3. CON ， MAX30pF的和C的OFF ， MAX15pF的是通过设计保证AC波形VI输入GND测试电路VDD1200KOhmVDD2150OhmVDD2150OhmVDD2150OhmVMtPHLVMtPLHDUTVDD2产量HIGH到LOW低到高VOL00VMtPHLtPHL1DREFVMtPLHtPLH1GREFD1D10VDD2产量HIGH到LOW低到高VOLVMSREFVMS1S10SA00524VREF波形1.输入（Sn）到输出（Dn）传播延迟脉冲发电机SA00525波形2.负载电路日4飞利浦半导体产品speci fi cation10位GTL处理器的电压钳位GTL2010TSSOP24 ：塑料薄小外形封装; 24线索;体宽4.4毫米SOT355-1日5NXP双向低压翻译GTL20xx低成本的双向电压标题翻译无方向控制与电平转换总线开关，只有固定电压之间进行转换，这些双向low-voltage translators can translate any voltage between 1 and 5 V to any other voltage between 1 and 5 V. They also reduce ON-state resistance and minimize propagation delay.主要特点4 ?需要的方向控制N双向电压转换4
ow RON resistance (6.5 Ω) between L输入和输出引脚（锡/ DN）4 ropagation延迟： 1.5 ns（典型值）P4 hannel关断状态电容： 7.5 pF的C4
ery low (5 uA) standby currentV4 需要O电源 - 防止N锁存器窗口4 ERY小型QFN封装选项V应用4 NI-和双向翻译Uany voltage between 1 and 5 V4 低的idirectional翻译B电压和传统I2C总线信号4 hifting边带处理器的I / OSGTL和LVTTL / TTL之间的信号水平恩智浦家庭冈宁收发器逻辑（ GTL ）双向低电压translators includes the 22-bit GTL2000, the 2-bit GTL2002, the 8-bit GTL2003, and the 10-bit GTL2010. 每个提供高速的翻译不同的电压电平与之间低导通电阻和最小传播延迟。他们可以翻译之间的任何电压1 and 5 V to any other voltage between 1 and 5 V as long as there is at least 1 V 的电压电平之间的差别，所以他们提供了更大的设计灵活性比电平转换总线开关，它仅固定电压之间转换。Each GTL20xx device includes NMOS 传递晶体管（锡和Dn销）与一个公共栅极（GREF针）和一个参考晶体管（SREF和DREF引脚）。时的Sn或DN端口中的一个为低，夹具是在接通状态和Sn的和Dn端口通过一个低联导通电阻的连接。假设高电压被施加的DN端口上，当DN口为高电平时，电压上Sn的端口被限制在电压组用SREF。当Sn口为高电平，将dn端口由一个拉至较高电压上拉电阻。这种设置能够无缝转换用户选择的电压之间，而不需要对方向控制信号。所有的晶体管具有相同的电特性，从而从一个偏差输出到另一个电压和传播延迟被保持在最低限度。晶体管也提供了极好的的情况下，低电压的ESD保护那对ESD抗性较差的设备。译员可以在任何可以使用应用程序需要单向或双向电压转换为voltage levels between 1 and 5 V. 漏极开路建设，这省去了定向控制，使得翻译的理想designs that combine low-voltage (1.0 to 1.8 V) and legacy (3.3 and/or 5.5 V) I2C-总线信号。译者可以改变I2C-bus signal levels at speeds up to 3.4 兆赫。翻译者也可以在使用设计结合了GTL和LVTTL /TTL信号转换处理器的边带我的电压电平之间/ O信号。双向电压转换要配置译员双向夹紧，对GREF〔 INPUT 〕必须连接到DREF两者引脚必须拉到高端VCC通过一个上拉电阻（典型地200 kΩ). A filter capacitor on DREF is 推荐使用。CPU的输出可设置为图腾极或漏极开路（上拉电阻可需要），如可以在芯片组输出（上拉电阻，需要拉在DN输出到VCC） 。没有方向需要控制，如果两路输出都设置为漏极开路。如果任一输出被设置为图腾柱，但是，也可以是高到低的任一方向的争用。对避免这种情况，设置数据单向or use 3-stateable outputs with a 机制的方向控制。S的相对侧REF连接到CPU的电源电压。当DREF is connected through a 200-kΩ 电阻到VCC和SREF is set between 1.0 和VCC minus 1.5 V, the output of each 锡具有最大输出电压等于向SREF并且每个Dn之输出具有最大输出电压等于voltage of the pull-up resistor (3.3 and/or 5 V).单向电压转换相同的结构可以用于单向电平转换，或上或向下。对于下只有翻译，如果该芯片组的I / O是开漏，上拉电阻器。最多只翻译，一个上拉电阻上需要的高侧电压（DN）。这是因为转换器将只通过基准源电压（SREF) 作为高时，做了翻译。该上的低侧电压驱动器只需要一个上拉电阻，如果它被设置为开漏。关于使用的更多信息GTL20xx family, please refer to Application Note AN10145 at www.nxp.COM /接口。GNDSREFS1S2S3S4S5S6S712345678948474645444342414039GREFDREFD1D2D3D4D5D6D7D8D9D10D11D12D13D14D15D16D17D18D19D20D21D22S4S5SnD4D5DnS3D3通过增加位大小8位GTL2003或10位GTL2010或22位GTL20003.3 VVCORES REFS1CPU的I / OS2D2GTL2002GTL20031.8 V1.5 V1.2 V1.0 VGNDGREF?裁判D1芯片组I / OVCCGTL20025V图腾柱或漏极开路I / OGTL2010200 KS8 10S9 11S10 12S11S12S13S14S15S16S17S18S19S20S211314151617181920212223GTL20003837363534333231302928272625VCC芯片组I / OS22 24GTL20xx引脚排列图双向电压转换的典型配置订购信息包SOSSOPTSSOPHVQFNDHVQFNVSSOPXQFN集装箱管T&R管T&R管T&RT&RT&RT&RT&RGTL2000----GTL2000DLGTL2000DL-TGTL2000DGGGTL2000DGG-T--------GTL2002GTL2002DGTL2002D-T------GTL2002DP-T----GTL2002DC-TGTL2002GM-TGTL2003--------GTL2003PWGTL2003PW-T--GTL2003BQ-T----GTL2010--------GTL2010PWGTL2010PW-TGTL2010BS-T------注：在欧洲和亚洲，管订单，加上“ 112 ”（如GTL2010PW ， 112 ） ，以及磁带和卷轴的订单，将“ -T ”与“ 118 ”（如GTL2010PW ， 118 ） 。www.nxp.com(C) 2007恩智浦N.V。版权所有。严禁复制全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。该本文件并不构成任何报价或合同的一部分提供的信息，被认为是准确和可靠，恕不另行通知可能被改变。无责任将由发行人对其使用的任何后果所接受。其出版没有传达或暗示下，专利或者其它工业或知识产权的任何许可。发布日期： 2007年3月文档顺序号： 11美国印刷。为智能，简单的解决方案12个最常见的设计关注NXP我2C总线解决方案2H 2011I2C总线：串行革命通过更换复杂的并行接口与一个简单但功能强大的串行结构中，我2C总线革命性的芯片到芯片的通信。恩智浦（飞利浦），超过30年前发明的，我2C总线使用了一个简单的两线格式来进行数据的一个位的时间。它进行芯片间寻址，选，控制和数据传输。速度为400 kHz （快速模式） ， 1兆赫（快速模式加），3.4兆赫（高速模式） ，或5兆赫（超快速模式） 。在我2C总线收缩IC足迹，并导致降低IC成本。此外，由于少得多需要铜的痕迹，它使一个更小的PCB ，降低了设计的复杂性，以及降低系统成本。uCSDASCL并行接口I2C接口MCUI / OA / DD / A液晶显示RTCMCU1010A2A1A0读/写新的函数地址A0A1A2新功能1010011 R / W新的函数地址作为分配I2C总线器件提供了广泛的功能。每个从设备都有自己的我2C总线地址，可选择使用地址管脚设置为高电平（1）或低电平（0）。信息被发送一个字节一个字节，每个字节由接收器确认。可以存在在同一总线上的多个设备，和一个以上的集成电路可以作为主站。主角色通常扮演一个微控制器。写数据S从机地址WA数据＆ LT ;主A数据A＆ GT ;SDASCLSDASLAVE接收器P发射机n个数据字节读数据S从机地址RA数据A数据AP接收器发射机SCL主人总是发送时钟& n个数据&字节S =启动条件A =应答R / W =读/写A
- 非确认最后一个数据字节P =停止条件恩智浦的我2?外设组合被分为12个家庭，每一个最普通的日常设计的的关注。通用输入输出（ GPIO ）扩展器添加不同类型的输入和输出传感器和电压管理数字温度信息黑白LCD显示驱动器单色，字符，图形，点时钟/实时时钟数字时间及/或日历微小的串行通道ADC / DAC模拟控制和音频多路复用器和开关添加先进的I2?网络为了让更多的设备，备份热插拔总线缓冲器和电压转换器增量剂，集线器和中继器支持额外的设备，再距离，总线电压转换，或危险情况I2C-控拨码开关EEROMs / RAM结合通用输出智能步进电机控制器方便，灵活的控制电容式传感器开关动作不接触桥接芯片，总线控制器添加额外的，充分推荐我2C·马斯特斯眼罩，调光器，DRIVERS有关完整的LED控制，包括LCD背光更多信息www.nxp.com/interfaceI2C总线产品汇总GPIO扩展器PCA9536PCA9537PCA8574PCA8574APCA9500PCA9501PCA9502PCA9534+ PCA9538+ PCA95548-bitPCA9554APCA9557PCA9574PCA9621PCA9670PCA9672PCA9674PCA9674APCF8574PCF8574APCA6416APCA8575PCA9535PCA9535APCA9535C+ PCA9539PCA9539APCA9539RPCA955516-bitPCA9555APCA9575PCA9671PCA9673PCA9675PCA-L6416APCA-L9535APCA-L9539APCA-L9555APCF8575PCF8575CPCA950540-bitPCA9506PCA96984位I2?调频TP GPIO与PU4位I2?调频TP GPIO与INT和RST8位I2?调频QB GPIO与INT和PU8位I2?调频QB GPIO与INT和PU（备用地址）8位I C Fm的QB GPIO与PU和2 -K EEPROM2步进电机调节器1电机控制器PCA9629I2? FM +步进电机控制器与TPGPIO与INT和RST4-bit电容式传感器I2? FM触摸/接近传感器达28键8通道触摸开关+ PCA / PCF88858位I2?调频QB GPIO与INT ， PU和2 -K EEPROM8位I2? FM / SPI GPIO TP用INT和RST8位I2?调频TP GPIO与INT8位I2?调频TP GPIO与INT和RST8位I2?调频TP GPIO与INT和PU8位IC调频TP GPIO与INT和PU （备用地址）2温度传感器LM75ALM75B当地SE95SE98A本地和EEP-只读存储器SE97BNE1617A本地和远程SA56004本地，远程，和电压MONITORNE1619I2?调频TS当地具有± 2 ° C的精度I2?调频TS当地具有± 2 ° C的精度和SMBus超时I2?调频TS当地有± 1 ° C的精度I2? Fm的DDR TS当地有± 1 ° C的精度和的SMBus超时I2? Fm的DDR TS当地有± 1 ° C的精度， 2K SPD和SMBus超时I2?调频TS当地具有± 2 ° C的精度和远程在±3 ° C的精度I2?调频TS当地具有± 2 ° C的精度和远程以± 1 ° C的精度I2?调频TS当地具有± 2 ° C的精度和远程在±3 ° C的精度与电压监控器瓦特（12 ，图5， 3.3和2.5伏，VCCP和VDD)8位I2?调频TP GPIO，带有RST8位I2?调频LV VLT TP / OD GPIO与INT ， RST ，锁存器和PU / PD8位I2? FM + 65毫安OD GPO与RST8位I2? FM + QB GPIO，带有RST和PU8位I C FM + QB GPIO与INT ， RST和PU28位I2? FM + QB GPIO与INT和PU8位I2? FM + QB GPIO与INT和PU （备用地址）8位I2?钐QB GPIO与INT和PU8位I2?钐QB GPIO与INT和PU （备用地址）16位I2?调频LV VLT TP GPIO与INT和RST16位I2?调频QB GPIO与INT和PU16位I2?调频TP GPIO与INT16位I2?调频LV TP GPIO与INT16位I C Fm的OD GPIO与INT2LED控制器PCA9530调光器（ 2 PWM ，25毫安/5 V)PCA9531PCA9532PCA9533PCA9550信号灯（ 2 PWM ，25毫安/5 V)PCA9551PCA9552PCA95538-segmentSAA1064PCA9632调节器（ PWM / CH，25毫安/5 V)PCA9633PCA9634+ PCA9635+ PCA9685调节器（ PWM / CH，57毫安/ 40 V ）PCA9952PCA9955PCU9955PCA9624PCA9622调节器（ PWM / CH，为100mA /40 V)PCA9626PCU9654PCU9655PCU9656LED闪光灯SSL3250ASSL32522通道我2? Fm的OD LED调光器与RST8通道2? Fm的OD LED调光器与RST16通道我2? Fm的OD LED调光器与RST4通道我2? Fm的OD LED调光器2通道我2? Fm的OD LED闪光灯与RST8通道2? Fm的OD LED闪光灯与RST16通道我2? Fm的OD LED闪光灯与RST4通道我2? Fm的OD LED闪光灯16通道我2?钐电流源/汇4x8-段LED显示4通道我2? FM +低功耗TP LED控制器4通道我2? FM + TP LED控制器与OE8通道2? FM + TP LED控制器与OE16通道我2? FM + TP LED控制器与OE16通道我2? FM + TP LED控制器具有12位的PWM和OE16通道我2? FM + HV CS LED控制器与OE16通道我2? FM + HV CS LED控制器16通道我2? UFM HV CS LED控制器8通道2? FM + HV OD LED控制器与OE16通道我2? FM + HV OD LED控制器与OE24通道I2? FM + HV OD LED控制器与OE8通道2? UFM OD HV LED控制器与OE16通道我2? UFM OD HV LED控制器24通道I2? UFM OD HV LED控制器与OEI2?调频500毫安沉双LED闪光灯手电筒模式I2?调频500毫安源双LED闪光灯手电筒模式16位I C Fm的TP GPIO与INT和RST216位I2?调频LV TP GPIO与INT和RST16位I2?调频TP GPIO与INT和RST （状态机只）16位I2?调频TP GPIO与INT和PU16位I2?调频LV TP GPIO与INT和PU16位IC调频LV VLT TP / OD GPIO与INT ， RST ，锁存器和PU / PD216位I2? FM + QB GPIO，带有RST和PU16位I2? FM + QB GPIO与INT ， RST和PU16位I2? FM + QB GPIO与INT和PU16位I2?调频LV VLT TP / OD GPIO与INT ， RST ，锁存器和PU / PD16位I2?调频LV TP / OD GPIO与INT ，锁存器和PU / PD16位I2?调频LV TP / OD GPIO与INT ， RST ，锁存器和PU / PD16位I2?调频LV TP / OD GPIO与INT ，锁存器和PU / PD（ PU默认）16位I2?调频QB GPIO与INT和PU16位I C Fm的OD GPIO与INT240位I C Fm的TP GPIO与INT ， RST ， OE和PU240位I2?调频TP GPIO与INT ， RST和OE40位I2? FM + TP / OD GPIO与INT ， RST ， OE和PU实时时钟PCA8802I2?调频RTC的一次性密码发生器化和智能卡I2?调频超+低功耗RTC与失主电源检测和自动电池切换过度I C Fm的超低功耗时钟/日历2总线缓冲器PCA9510APCA9511APCA9512B增量偏移PCA9513APCA9514APCA9521PCA9522扩音器无偏移P82B715PCA9525PCA9605P82B96PCA9507PCA9508PCA9509PCA9509A静态失调（ 1侧）I2? Fm的增量偏移热插拔的总线缓冲器（没有RTA ）I2? Fm的增量偏移热插拔总线缓冲器I2? Fm的增量偏移VLT热插拔总线缓冲器I2? Fm的增量偏移热插拔总线缓冲器（ 92 μA CS ）I2? Fm的增量偏移热插拔总线缓冲器（ 0.8 V偏置）I2? FM（ 1 MHz）的高压增量偏移总线缓冲器I2? FM（ 1兆赫） HV增量偏移热插拔总线缓冲器I2? Fm的高压总线扩展I2? FM（ 1兆赫）无偏移总线中继器I2? FM +无偏置总线中继器I2? Fm的高压总线缓冲器I2? Fm的VLT DDC缓冲带加速器I2?调频VLT热插拔的总线中继器I2当前源码C Fm的1.0V低压VLT总线缓冲器I2当前源码C Fm的0.8V低压VLT总线缓冲器I2?调频0.8V低压VLT总线缓冲器I2?调频0.9V低压VLT总线中继器PCA9509 4通道版本I2? Fm的DDC缓冲VLT与加速器和CECI2? FM + HV总线缓冲器I2? FM + HV总线具有较强的15毫安本地端的缓冲区驱动支持多种FM +奴隶I2?调频总线中继器I2? Fm的5通道枢纽I2? Fm的可扩展5通道枢纽22位I2? FM + VLT2位I2? FM + VLT8位I2? FM + VLT10位I2? FM + VLT我双2C / SMBus的FM + VLT1位I2? FM + VLT2位I2? FM + VLT为我2C / SMBus的应用3位I2? FM + VLT两个电源应用4位I2? FM + VLT的SPI应用6比特的余2? FM + VLT8位I2? FM + VLT10位I2? FM + VLT低功耗PCF8523PCF8563PCF8564A+ PCA8565I2? Fm的超低功耗时钟/日历和COBI2? Fm的高温时钟/日历-40°C…+125°CI2?钐时钟/日历分辨率： 0.01秒，与256x8 SRAMI2?钐低功耗时钟/日历分辨率：0.01 sI2? Fm的高精度，低电压与RTC512x8 RAM2正常PCF8583PCF8593PCF2127A温度， compen-心满意足+ PCA / PCF2129 （ A） I C Fm的高精度RTCPCA9509PPCA9517APCA9519PCA9527多路复用器和开关PCA9540B2-channelPCA9542APCA9543A/B/CPCA9541A/01
2对1多路分配器PCA9541A/03
PCA9544APCA9545A/B/C4-channelPCA9546APCA9646PCA95478-channelPCA9548A8通道2?调频开关RST2比1我2? Fm的解复用INT和RST（无门默认）4通道我2?调频多路复用器与INT4通道我2?调频开关INT和RST （B和C备用地址）4通道I2C调频开关RST4通道芯片FM +无偏移缓冲/开关RST22通道我2?调频多路复用器2通道我2?调频多路复用器与INT2路IC调频开关， INT和RST （B和C备用地址）2PCA9600PCA9601PCA9515A静态失调（各方）PCA9516APCA9518AGTL2000GTL2002GTL2003GTL2010PCA9306电压转换器（不隔离电容）NVT2001NVT2002NVT2003NVT2004NVT2006NVT2008NVT20102比1我2? Fm的解复用INT和RST（通道0默认）8通道2?调频多路复用器与RST （通道0默认）解码表总线速度SmFmFM +HSMUFM100 kHz的标准模式我2C总线400 kHz的快速模式I2C总线1 MHz的快速模式Plus我2C总线3.4 MHz的高速模式I2C总线5 MHz的超快速模式I2C总线LVTPQBODCSINT+GPIOTSRTC液晶显示DACADCAEC -Q100合规通用I / O扩展器温度传感器实时时钟液晶显示数字模拟转换器模拟数字转换器RSTOELATCHPUPU / PDHVVLTCOG特点电源电压&2.3 V图腾柱（推拉式）准双向漏极开路电流源打断RESETOUTPUT ENABLE输入锁存上拉电阻上拉/下拉电阻输出&10 V电压电平转换器 - 2耗材芯片上的玻璃
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