低Vf的LED是不是降低白点值省电吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-06-10 10:35 标签： 阴阳师低特效省电吗
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在降压转换中(Fairchild典型的开关控制器)，电感的一端是连接到DC输出电压。另一端通过开关频率切换连接到输入电压或GND。
在状态1过程中，电感会通过(高边 “high-side”)MOSFET连接到输入电压。在状态2过程中，电感连接到GND。由于使用了这类的控制器，可以采用两种方式实现电感接地：通过二极管接地或通过(低边“low-side”)MOSFET接地...
产品。我们这个产品因为是基于硅技术，成本比碳化硅低很多，可以提供一个物美价廉的产品。
在不同负载的情况下。Efficiency越来越关键，应用二极管可以提高整体的效率，可以让你轻轻松松达到很高的Efficiency，相比碳化硅可以省很多的钱。
这是PFC的应用，这里是一个很高的电压，当开关合上的时间，如果二极管反向关断的速度不是很快，这里有反向的漏电，因为是从400到地的电位，所以这里会有很大的...
：通过二极管接地或通过（低边“low-side”）MOSFET 接地。如果是后一种方式，转换器就称为“同步（synchronus）”方式。
现在再考虑一下在这两个状态下流过电感的电流是如果变化的。在状态1 过程中，电感的一端连接到输入电压，另一端连接到输出电压。对于一个降压转换器，输入电压必须比输出电压高，因此会在电感上形成正向压降。相反，在状态2 过程中，原来连接到输入电压的电感一端被连...
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[size=3]图5 LCD缓冲网络复位电路[/size]
[size=3]有源箝位复位电路原理图如图6所示。辅助开关VF1用来提供变压器磁化能量的回馈路径。主开关VF关断后，部分磁化能量转移到Cs中，致使VD开通，然后在VF1上加开通信号，实现零电压开通，磁化电流一直下降到负向；VF1关断后，磁化电感与Cs谐振，能量一部分回馈到电源，一部分转移在磁化电感中；然后开通VF，开始新的周期...
减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。
2快速恢复二极管的作用 快速恢复二极管主要特点是这种二极管由导通转到截止所需要的时间非常短，这个时间称为反向恢复时间，反向恢复时间比较小的管子可明显降低开关时的功耗．此外...
无效；　　2、整流二极管因为短路电流增加VF增大；　　3、恒流反馈供电被拉低；
& &&&&&短路功率大的解决方法：　　1、RDS电阻的阻值计算要适当合理；　　2、给芯片VCC供电电路设计；　　3、遇到有需要的可以增加高低压输入补偿；　　4、使用正品L6562；
& && & 功率因数低，THD...
，所以一般都增加一定的滞环。
在下图中，1M电阻就起到滞环的作用，如果没有1M电阻，很明显，VF电压达到2.5V运放输出低电平，低于2.5V，运放输出高电平。增加1M电阻后，在运放输出低电平时，6脚电平为0.7+（2.5-0.7）*.48V。当VF低于6脚电平后，7脚输出高电平（如果运放供电15V，7脚输出可按照14V计算）可以计算此时6脚电平为2.5+（14-2.5）*10...
这里介绍手机中比较常用的TVS管和压敏电阻。
一、ESD器件的主要性能参数
1、最大工作电压(Max Working Voltage)
允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值)，在此工作状态下ESD器件不导通，保持高阻状态，反向漏电流很小。
2、击穿电压(Breakdown Voltage)
ESD器件开始动作(导通)的电压。一般地，TVS管动作电压比压敏电阻低。
这里介绍手机中比较常用的TVS管和压敏电阻。
一、ESD器件的主要性能参数
1、最大工作电压(Max Working Voltage)
允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值)，在此工作状态下ESD器件不导通，保持高阻状态，反向漏电流很小。
2、击穿电压(Breakdown Voltage)
ESD器件开始动作(导通)的电压。一般地，TVS管动作电压比压敏电阻低。
一、ESD器件的主要性能参数
1、最大工作电压(Max Working Voltage)
允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值)，在此工作状态下ESD器件不导通，保持高阻状态，反向漏电流很小。
2、击穿电压(Breakdown Voltage)
ESD器件开始动作(导通)的电压。一般地，TVS管动作电压比压敏电阻低。
3、钳位电压(Clamping Voltage...
最终通过双工器把它们在同一面上连接到RF端和基带处理器端的天线上。 元器件布局是实现一个优秀RF设计的关键，最有效的技术是首先固定位于RF路径上的元器件，并调整其朝向以将RF路径的长度减到最小，使输入远离输出，并尽可能远地分离高功率电路和低功率电路。
推荐这个TI 的无线芯片性能布板关键，是TI 有丰富经验的工程师，给格力公司工程师进行的精彩课程，特别是搞射频的一定要看这个课：无线芯片性能布板...
技术详细介绍
技术简介： 基于芯片TMS320F28034的全套变频器技术解决方案
VF控制，矢量控制型，恒压供水型，经济迷你型，注塑机型，通用型，风机水泵型多款方案。
具有瞬时的过流、过压的抑制功能，20多种故障保护功能，以确保变频器和电机不被损坏，变频器具有足够的过载能力，并采用了特有的死区补偿技术和低频转矩补偿技术，能够快速反应负载的变化，输出足够转矩，很好地解决了变频器低频时力矩...
电流流过二极管产生的功率耗散可以用公式2表示：其中VF是选定二极管的正向电压降。除了集成MOSFET与环流二极管中的传导损耗，电感器中也有传导损耗，因为每一个电感器都有有限的直流电阻（DCR），即线圈中导线的电阻。公式3表示电感器中的功率耗散：传导损耗取决于负载电流。负载增大时，MOSFET中的传导损耗会增加，而且是主要损耗因素。传导损耗加上开关、驱动和低压差线性稳压器（LDO）损耗会产生很多的热量...
)]　　Pd=Iout(最大)*Vd[/color][/align][align=left][color=rgb(62, 62, 62)]　　保持较短的二极管引线长度并遵循正确的开关节点布局，以免振铃过大和功耗增大。耐压不是越高越好，是要合适，高耐压肖特基二极管Vf值也会高些，功耗会大，价格也会高。相对耐压大电流的型号Vf值会低些，成本也会稍有增加，没有成本压力可以考虑。[/color...
我申请了一个max16832的evkit，驱动电流原厂设定的是2/3A，我的led是亿光的普通的2835，VF=3V,使用的是3串18并。电源是12v。
但是实际使用中，pwm控制端直接接高电平，上电后我的电源电压被拉低到了11v，led两端的电压是9.6v，通过led的电流是440mA。我提高输入的电压，会慢慢增加到660mA，但是led的VF会增加到10.5v。为什么芯片在12v的时候...
这个示例中产生一个经整流的输出。针对MOSFET M1的VGS显示的是LM74670-Q1对于流经MOSFET的正向传导的控制方式，以及如何通过关断栅极来阻断反向电压。
图4：LM74670-Q1智能桥式经整流输出图5比较了LM74670-Q1智能桥式整流器（配置有4个CSD18532KCSN沟道 MOSFET）（左图）与一个常规低正向压降二极管 (Vf = 0.5V) 整流器（右图）之间的热性能...
桥堆的损耗是否有注意到，如下同是KBL06，有不同的Vf：
下面为ST品牌，同参数下Vf要低0.1V
[attach]232422[/attach]
Pdiode=Vf*Iavg input curretn
常被忽略的参数，其实一直在侵食我们的效率。输出整流二极管
[attach]232423[/attach]
输出整流D5选用更低Vf的二极管...
设计LED驱动电源时要考虑哪些因素等问题。
& && & 问：单个LED的流明效率与用LED作光源构成的灯具的流明效率有什么异同?　　答：针对某一个特定的LED，加上规定的正向偏置，如加上IF=20mA正向电流后(对应的VF≈3.4V)，测得的辐射光通量 Φ=1.2lm，则这个 LED的流明效率为η=1.2lm×V×20mA=1200/68...
水分子加热；这个原理就变成微波炉了，水分子被电磁波搅动后发出热量。所以微波炉与电磁炉不一样，必需在屏蔽体内操作避免为害到人体。这部份又与市面上的无线通讯产品不同，因为能量差距甚大；无线电力系统需要传送电力而发送到受电装置所以需高功率传送，无线通讯产品收到低功率讯号后再透过内部的电池将讯号放大处理。所以不管是在13MHz会对金属加热或是1GHz以上直接伤害人体，无线电力在设计时必需解决安全的问题才能...
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