c1237ha保护电路图中av,hv,ha,代表什么意思

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-06-12 02:11 标签： c1237ha应用电路图
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用HV9910制做的LED日光灯恒流电路图
中级技术员, 积分 230, 距离下一级还需 70 积分
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FET带动的是感性负载(图中的L1,串在LED串中)场管的G极存在好大的干拢杂波,因为是市电直驱LED,所以在FET截止时,在FET的D极存在很高电压,此电压经过FET的Ciss(D极和G极间电容)串入G极而引起,现试过用两个三极管驱动FET的G极也不行,不知还有何方法消除干拢杂波?
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嗯，没看到任何反馈
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反馈是(IC的第2脚和FET的S极相连)
噢,不好意思,我忘了画了,反馈是(IC的第2脚和FET的S极相连)
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怎样提高功率因素
PowerAnts,3Q,我现在把整流后的电源加了个47UF的电容不会出现FET的抖动了,(功率因素效正电路已去掉后)但功率因素很低才0.5PF,请问有什么办法升高功率因素
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“占空比不停变化”才是正常的
要求高PF值，就必然会导致一次整流输出的电压有很高的纹波，否则电流电压相位怎么保证？因此有PCF要求的都不会用很大的滤波电容所以，负载的恒功率（或恒压器件的恒流）就必然是靠占空比的变化来跟随输入电压即时调整的，“占空比不停变化”才是正常的现象，而不是什么“干扰杂波”
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怎样解决CMOS发热问题
那照这样看来的话场管不是工作在稳定频率的开关状态,那发热不是会变大吗?我试过了如果整流后不加大滤波电容那么LED灯串的恒流效果很差很差,加了电容后电流的恒流非常好,我现在在做带288PCS的LED日光灯,现在都加了大滤波电容,恒流也很好,场管G极波形也很正常开关状态,但就是场管发热很大,不知怎样解决?
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现在的LED日光灯电源技术不成熟
是呀,这个MOS就是很烫,由于电源也是装在灯管内部的,所以热量无法散开,而发烫是LED的致命伤害，我用过的非隔离LED电源恒流IC有XLT604、SMD802、PT4107、HA2206P、QX9910，就感觉HV9910比较好，以后还要做22W、25W、28W，那样的话电流更大，电感和MOS会更烫，而且用在LED日光灯的电源体积也要求小，麻烦了，现在还找不到设计的方向。
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中级技术员, 积分 197, 距离下一级还需 103 积分
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问一下功率因素校正电路不要会怎么样呢？
功率因素不达标，不准合法销售罢了
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【用　途】&&&& 调幅调谐电路
【性能 参数】
单列16脚封装;电源电压VCC=16V;检波输出=140～220mV;允许功耗Pd=400mW;静态电流=7.6～17.2mA;选择性=38dB;总谐波失真=0.3%～1.5%(74dBu,M=30%)0.3%～2.0%(128dBu,M=30%),中频干扰抑
【用　途】&&&& 调幅调谐电路
【性能 参数】
单列16脚封装;电源电压VCC=16V;检波输出=140～220mV;允许功耗Pd=400mW;静态电流=7.6～17.2mA;选择性=38dB;总谐波失真=0.3%～1.5%(74dBu,M=30%)0.3%～2.0%(128dBu,M=30%),中频干扰抑制比=59dB,镜像干扰抑制比=64dB,高次谐波抑制比=43dB,工作温度=-30～75℃。
【互换 兼容】
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型号/产品名
深圳市福田区科鑫电子商行
深圳市中平科技有限公司
深圳市明兴电子展销柜& HVIGBT模块
高压IGBT模块 (HVIGBT)
基板：有Cu和AlSiC两种
额定电压：从1700V到6500V
额定电流：从200A到2400A
绝缘电压：从4.0kVrms到10.2kVrms
H系列：采用平板型IGBT硅片，其可靠性已得到业界公认
N系列：采用 CSTBTTM硅片，进一步降低损耗，缩小体积
N系列B型：采用 CSTBTTM硅片，封装与H系列兼容
R系列：封装尺寸与 H 系列兼容;额定电流提升到1500A；高短路鲁棒性设计；运行温度范围由-40~125°C 扩大到-50~ 150° C；最小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。
续流二极管：软恢复特性，保证良好的EMI性能
牵引和大功率变频传动
DC斩波器装置
HVIGBT Modules
-34H(65KB)
-34N(569KB)
CM1500HC-66R
-90H(64KB)
-90H(86KB)
-90R(433KB)
CM750HG-130R
CM1000HG-130XA

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