教案2-半导体三极管_百度文库
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教案2-半导体三极管
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你可能喜欢PNP三极管实现放大作用需集电极正向偏置发射极反向偏置还是需要集电极反向偏置发射极正向偏置啊?
PNP三极管实现放大作用需集电极正向偏置发射极反向偏置还是需要集电极反向偏置发射极正向偏置啊?
这两种接法,都有放大作用.只是集电结正偏、发射结反偏接法的放大量,要远小于集电结反偏、发射结正偏接法的放大量.
与《PNP三极管实现放大作用需集电极正向偏置发射极反向偏置还是需要集电极反向偏置发射极正向偏置啊?》相关的作业问题
首先把三极管看两个背靠背的二极管.以NPN三极管为例 工作原理：正常工作于放大状态时,因为基极电压高于发射极（b极和c极之间看成个二极管）,电路正偏,有大量电子流入发射极,形成Ie,电子原本要通过基极回到电源正极,但是发射极电子进入基极后,由于集电极电压比基极还要高,电子被集电极强烈的电场吸引,从而电子不走基极回到电源
1.5mA/30uA = 50
三极管的放大原理以NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大一般要求的工作条件：BE结正偏置,硅管一般放大时0.6-0.7V左右,实际工作时通过电阻分压或控制基级电阻来实现,CB结反偏,一般这个电压会比 BE 结电压高几倍以上.在集电级一般是需要串联电阻或感性负载的.原理 1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处
要了解三极管的放大作用就要先对半导体,PN结什么的有一定知识储备,下面默认楼主已经了解.三极管就是由两部分相同类型杂质半导体夹着相反类型的杂质半导体薄层构成.就是NPN或者PNP,下面拿NPN说明.假设从上到下排列的依次叫收集极,基极,发射极,那么如果发射极和基极正向偏置,收集极基极反向,那么就有大量电子从发射极涌入基
要明白三极管,首先要明白二极管二极管本质就是pn结,这个东西没有些公式真的很难描述.我想你应该是有些基础的.pn结静态存在一个平衡,就是电子密度不同形成的扩散电流和由于扩散产生势垒带来的漂移电流.这两个电流相等,所以达成平衡.pn结特性就是单向导电,微观景况则是在正偏电压和反偏电压下势场发生截然不同的两种变化,正偏减小
发射结正向电压即正向偏置,集点结反向电压即反向偏置
开关作用,这个为pnp三极管,低电平导通
三极管的放大作用实际上就是利用三极管的集电极电流和基极电流成比例关系这个特性,用微小的电流或电压信号控制大的电流信号.这个特性既可以直接进行电流放大,也可以通过电阻把输入电压信号转换成与之变化相应的基极电流信号,再去控制一个大的集电极电流,而这个大的集电极电流又可以通过电阻转换为大的电压,这就可以间接地实现电压信号的放
在三极管的放大状态下,输出不可能高过电源电压的.可以用三极管跟相应元件组成一个开关电源,利用开关变压器可以做到输出9V,但是输出的电流就没有在3V时大了,因为整个电路输出的功率也不可能超过原来3V电压时的输出功率的,电路设计得好的,功率因素达到0.95以上,但也不可能达到1的（能量转换没办法有100%的效率的,总有些能
内部条件是基区薄、杂质浓度低,集电区体积大,杂质浓度不高；发射区杂质浓度最高外部条件是发射结正偏,集电结反偏
1.基区非常薄,掺杂浓度低；c,e区厚,掺杂浓度高2.b,e加正向电压,c,e加反向电压；偏置的b,c极电流(Ib,Ic)在放大区要求的范围内.
可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e.使用指针式万用电表的欧姆挡,并选择R×100或R×1k挡位.由万用电表欧姆挡的等效电路可知,红表笔所连接的是表内电池的负极,黑表笔则连接着表内电池的正极. ‍用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角
本来三极管的放大作用是电流放大,将Ib放大成为Ic.在Rc上,其压降VRc=Ic×Rc,所以VRc反应了与电流信号Ic变化相同的电压信号,如果将这个电压作为输出电压,也就是三极管将电流放大的作用转变为电压放大了.
三极管是一种电流控制元件,它的放大作用主要是表现在发射极电流和基极电流之间为相对固定的比例关系,例如某三极管的电流放大系数hfe=100,就意味着只要集电极和发射极间电压Vce在放大区范围内,它的集电极电流总是基极电流的100倍,因此就可以通过控制和改变很小基极电流来控制和改变很较大的集电极电流,基极电流只变化1mA,
呵呵,你好放大倍数与时间无关,时间 T 为了说明放大器在持续稳定的工作状态. 再问： 我还是不明白。。 三极管的放大作用到底是怎样的？ 再答： 呵呵， 就是在基极输入较小信号， 可以在集电极输出放大若干倍的信号。 图片中红色圈内波形是基极输入的信号波形， 蓝色圈内就是从集电极输出的放大了的信号波形。 你可以看到，信号波
判定一个三极管起什么作用,需看它的基极接的是什么样的信号或电平.1、对低频、音频、中频信号进行放大时,基极一般接一个上偏置电阻,使三极管工作在乙类放大状态,对信号的上下半周都进行放大或通过提高静态电流来提高放大能力；对高频信号而言,基极一般接一个下偏置电阻使三极管工作在丙类放大状态,以提高工作效率.2、对开关状态的三极
蜂鸣器本身相当于一个喇叭,需要一个频率适当的交流信号驱动才能发声,三极管在蜂鸣器中,和压电陶瓷片组成一个自激式振荡电路,压电陶瓷片同时充当反馈元件和发声元件两个功能.需要三极管的放大作用才能产生正反馈振荡,至于三极管的放大倍数只要满足电路起振就行.附图所示为单片机89C51的一个输出端接一个电阻,作为PNP型三极管85
img class="ikqb_img" src="http://g./zhidao/wh%3D600%2C800/sign=47e6f85f314e251fe2a2ecfe97b6e52f/caef76094b36acaf280fcc997dd98d.jpg"
三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例（信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地）,当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电君，已阅读到文档的结尾了呢~~
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三极管的结构和工作原理
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3秒自动关闭窗口（已结帖）-工控擂台-在三极管组成的放大器中，基本偏置条件是什么？
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发表于： 21:24:39 楼主
本擂台来自擂台征集帖，由花开_花落提供：
1、什么是三极管？三极管工作原理？
2、三极管的门电压一般是多少？什么是三极管的穿透电流？
3、在三极管组成的放大器中，基本偏置条件是什么？
能结合实际例子的回答、原创最多、阐述最全的将得大奖。
下周初结贴，9个最优回帖分别获得20MP、10MP、10MP、10MP、20积分、20积分、20积分、20积分、20积分！
MP介绍：gongkongMP即工控币，是中国工控网的用户积分与回馈系统的一个网络虚拟计价单位，类似于大家熟悉的QB，1个MP=1元人民币。
MP有什么用？兑换服务：以1个MP=1元来置换中国工控网的相关服务。 兑换现金：非积分获得的MP可兑换等值现金（满1000MP后、用户可通过用户管理后台申请兑换）。
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加TA为好友 发表于： 09:04:55 1楼
1、什么是三极管？三极管工作原理？
三极管又称&晶体三极管&或&晶体管&。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或N区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫B、E和C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
三极管工作原理？&&有空再续。
2、三极管的门电压一般是多少？什么是三极管的穿透电流？
伏.锗管约为0.2伏.
当基极开路时，集电极和发射极之间的电流
3、在三极管组成的放大器中，基本偏置条件是什么？
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加TA为好友 发表于： 17:49:13 2楼
这是两种三极管的示意图。
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加TA为好友 发表于： 21:22:10 3楼
三极管是一种半导体电子器件，分PNP和NPN两种结构，（N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。其工作原理就是利用电压产生的电动势，促使多数载流子（电子或空穴）进行移动，进而产生电流，通过两个PN结控制电流的流动。
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加TA为好友 发表于： 21:24:24 4楼
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
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加TA为好友 发表于： 21:25:39 5楼
一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。
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加TA为好友 发表于： 16:23:32 6楼
不管什么型号的三极管，还是什么材质的三极管，我们使用三极管的目的就是希望，通过三极管使弱信号变成强信号，小功率变成大功率。那么说到底这个三极管就是个放大器，这个放大器不仅能放大，而且还要受控，及强信号的大小和变化受弱信号的影响，那么这个三极管就是一个可控的一定放大系数的放大器。
任何一种器件、仪器、设备其受本身制造的限制，都有一个使用范围，只有在这个范围内，这个器件才会稳定的发挥其作用，这就需要一个限定，于是就有了什么最大电压、电流、功率、温度、穿透电流、电压、基本偏置条件。所有这一些限制条件都是经过试验逐步得出的，可以说不同的器件有不同的范围，但是为了能够工业性质的大量生产和使用，我们在研究了几个器件后得出一个较好的适用范围的器件，根据这个较理想的范围制成了一个标准，根据这个标准批量生产这个器件，在根据实际使用效果形成一系列器件标准。
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加TA为好友 发表于： 07:45:02 7楼
有两种半导体材料焊接，形成两个PN结；分别引出三根导线。加外壳制成的半导体元件。它具有放大作用。工作原理是。基极与反射极正向偏置。发射极与集电极反向偏置。在基极加较小的信号；由于内部结构PN结的扩散作用就可以在集电极得到较大的信号。
三极管的门电压。不同的管电压不同。硅管0.4V;锗管0.2V.;当基极开路时通过集电极与发射极的电流。
基本放大条件；基极与反射极正向偏置。发射极与集电极反向偏置。
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加TA为好友 发表于： 15:14:07 8楼
1：什么是三极管：
三极管是&种半导体的晶体管,有三个电极,这三个电极分别是基极（用字母b表示）,集电极（用字母c表示）,发射极（用字母e表示）。也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。 制造时由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
2：三极管的工作原理：
三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数&（&=&DIC/&DIB, &D表示变化量。），三极管的放大倍数&一般在几十到几百倍。
3：三极管的门电压：硅管一般为0.5伏.锗管约为0.2伏。
4：穿透电流是晶体三极管基极未加正向偏压或开路时 流过集电极-发射极的电流。穿透电流是衡量一个管子好坏的重要指标，穿透电流大，三极管电流中非受控成分大，管子性能差。由于穿透电流是由少子飘移形成，因此受温度影响大，温度上升，穿透电流增大很快。硅管穿透电流极小。
5：基本偏置条件：一个基本放大电路必须有：输入信号源、晶体三极管、输出负载以及直流电源和相应的偏置电路。其中，直流电源和相应的偏置电路用来为晶体三极管提供静态工作点，以保证晶体三极管工作在放大区。拿双极型晶体三极管而言，就是保证发射结正偏，集电结反偏。 输入信号源一般是将非电量变为电量的换能器， 如各种传感器，将声音变换为电信号的话筒，将图像变换为电信号的摄像管等。它所提供的电压信号或电流信号就是基本放大电路的输入信号。
简言之偏置条件 ：发射结正偏；集电结反偏。
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加TA为好友 发表于： 23:17:29 9楼
&&续1楼，三极管工作原理：
PNP 型半导体三极管和NPN 型半导体三极管的基本工作原理完全一样，下面以NPN 型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过程，进而介绍它的工作原理。半导体三极管常用的连接电路如图(a) 所示。半导体三极管内部的电流传输过程如图 (b) 所示。半导体三极管中的电流传输可分为三个阶段。
1 、发射区向基区发射电子
电源接通后，发射结为正向连接。在正向电场作用下，发射区的多数载流子(电子)的扩散运动加强。因此，发射区的电子很容易在外电场的作用下越过发射结进入基区，形成电子流IEN(注意电流的方向与电子运动的方向相反)。当然，基区的多数载流子(空穴)也会在外电场的作用下流向发射区，形成空穴电流IEP。但由于基区的杂质浓度很低，与从发射区来的电子流相比， IEP可以忽略不计，所以发射极电流为：
2、 电子在基区中的扩散与复合
从发射区扩散到基区的电子到达基区后，由于基区靠发射区的一侧电子浓度较大，靠集电区一侧电子浓度较小.所以电子继续向集电区扩散。在扩散过程中，电子有可能与基区的空六相遇而复合，基极电源、EB不断提供空穴，这就形成了基极电流IBN 。由于基区很薄，而空穴浓度低，电子与空穴复合的机会很少，大部分电子继续向集电区扩散。此外，半导体三极管工作时，集电结为反向连接，在反向电场作用下，基区与集电区之间少数载流子的漂移运动加强c 因基区载流子很少.电子更少，故漂移运动主要是集电区的空穴流向基区。漂移运动形成的电流ICBO的数值很小，而且与外加电场的大小关系不大，它被称为集电极反向饱和电流因此，基极电流为
3、 集电极电流的形成
由于集电结加的是反向电场，经过基区继续向集电区方向扩散的电子是逆电场方向的，所以受到拉力，加速流向集电区.形成电子流ICN 。如果考虑集电极饱和电流ICBO的影响，集电极电流应为:
从半导体三极管外电路看，流入管子的电流必须等于流出的电流，所以
从半导体三极管电流传输过程中可以看出，集电极电流IC很大，而基极电流IB很小。另外，由于三极管本身的结构已定，所以IC和IB在相当大的一个范围内总存在一个固定的比例关系，即
其中&表示IC与IB的关系.称为共发射极的直流放大系数，&大于1 ，一般为20 -200 。
由于IC和IB存在一定的比例关系，而且IE=lC+IB， 所以半导体三极管起着一种电流分配器的作用，即把发射极电流IE 按一定的分配关系分成IC和IB。IC远大于IB 。因存在这种分配关系，所以只要使IB略有增加， IC就会增加很多，这就起到了放大作用。
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加TA为好友 发表于： 18:43:02 10楼
1、什么是三极管？三极管的工作原理？
（1）、晶体三极管简称晶体管或三极管。它按工作频率分有高频管和低频管；按耗散功率分有大、中、小功率管；按半导体材料分有硅管、锗管。
三极管的基本结构是由两个PN结组成，其组成形式有NPN和PNP两种。
晶体三极管有三个区：基区、发射区的集电区；有三个极：基极B、发射极E和集电极C；有两个PN结：分别为基区和发射区之间的发射结、集电区和基区之间的集电结。
（2）、晶体三极管的工作原理
1) 三极管的电流放大原理
上图为一NPN管电流放大实验电路，uB& uon（三极管的门电压），即发射结正向偏置，Ucc&Ube，使集电结反向偏置，通过改变电阻RB，则基极电流IB，集电极电流IC及发射极电流IE都发生变化。
IE=IB+IC 且IB远远小于IC、IE，IE&IC。
IB虽然小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，两者在一定范围内存在比例关系，即&= ，&是三极管电流放大系数，它反映三极管的放大能力。
2) 晶体三极管的开关特性。
晶体三极管有两个PN结，一个是发射结，一个是集电结。根据这两个结的偏置极性，它既可以工作在放大状态，也可以工作在截止或饱和状态。
下图是3DG4的输出特性曲线。
在数字逻辑电路中，三极管被作为开关元件工作在饱和状态或截止状态，相当于一个基极信号控制一个无触点开关，其作用相当于一个触点的闭合与断开。当三极管工作在饱和状态时，uB& uon（三极管的门电压），两个PN结均处于正偏，uce=ucc-IcRc，Ic随Ib增大而增大，而uce则相应减小，当uce近似为0时，Ic不再受Ib控制，三极管进入饱和状态，此时Ic=Ics，三极管呈现低阻抗，类似于开关闭合；当三极管工作在截止状态时，uB& uon，两个PN结均处于反偏，三极管呈现高阻抗，类似于开关断开。
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加TA为好友 发表于： 18:44:05 11楼
2、三极管的门电压一般是多少？什么是三极管的穿透电流？
1) 三极管的门电压uon即三极管开始导通的临界电压，当基、射极所加正向电压ube大于这个临界电压时，开始导通。一般硅管uon=0.5 V，锗管uon=0.2V。
2) 三极管的穿透电流是指晶体三极管基极未加正向偏压或开路时，流过集电极-发射极的电流，它与晶体管的反向电阻和温度有关 ，称作Iceo。
晶体三极管的穿透电流的大小随温度的升高而升高，通过测试Iceo的大小，就可以判断出三极管质量好坏，Iceo大的管子电流损耗大，温度易升高，工作不稳定。Iceo越小越好。在常温下，大功率锗管的Iceo一般在几百微安以下，小功率硅管在几微安以下。
在晶体三极管组成的放大器中，偏置条件如下：
3、在三极管组成的放大器中，基本偏置条件是什么？
三极管的三个极的电流分配关系和放大作用是由其内在特性决定的，在三极管组成的放大器中，它起放大作用的最基本偏置条件就是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
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加TA为好友 发表于： 11:02:57 12楼
很好的普及型题目。支持一个。
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加TA为好友 发表于： 11:18:05 13楼
1、三极管是&种半导体的晶体管,有三个电极,这三个电极分别是基极、集电极、发射极也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。 制造时由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
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加TA为好友 发表于： 11:21:13 14楼
2、极管的电流放大作用与其物理结构有关，三极管内部进行的物理过程是十分复杂的，初学者暂时不必去深入探讨。从应用的角度来讲，可以把三极管看作是一个电流分配器。一个三极管制成后，它的三个电流之间的比例关系就大体上确定了（见图 3），用式子来表示就是
& 和 & 称为三极管的电流分配系数，其中 & 值大家比较熟悉，都管它叫电流放大系数。三个电流中，有一个电流发生变化，另外两个电流也会随着按比例地变化。例如，基极电流的变化量 &DI b ＝ 10 &A ， & ＝ 50 ，根据 &DI c ＝ &&DI b 的关系式，集电极电流的变化量 &DI c ＝ 50&10 ＝ 500&A ，实现了电流放大。
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加TA为好友 发表于： 11:22:56 15楼
3、极管自身并不能把小电流变成大电流，它仅仅起着一种控制作用，控制着电路里的电源，按确定的比例向三极管提供 I b 、 I c 和 I e 这三个电流。为了容易理解，我们还是用水流比喻电流（见图 4）。这是粗、细两根水管，粗的管子内装有闸门，这个闸门是由细的管子中的水量控制着它的开启程度。如果细管子中没有水流，粗管子中的闸门就会关闭。注入细管子中的水量越大，闸门就开得越大，相应地流过粗管子的水就越多，这就体现出&以小控制大，以弱控制强&的道理。由图可见，细管子的水与粗管子的水在下端汇合在一根管子中。三极管的基极 b 、集电极 c 和发射极 e 就对应着图 4 中的细管、粗管和粗细交汇的管子。电路见图 5 ，若给三极管外加一定的电压，就会产生电流 I b 、 I c 和 I e 。调节电位器 RP 改变基极电流 I b ， I c 也随之变化。由于 I c ＝ &I b ，所以很小的 I b 控制着比它大 & 倍的 I c 。 I c 不是由三极管产生的，是由电源 V CC 在 I b 的控制下提供的，所以说三极管起着能量转换作用。
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加TA为好友 发表于： 11:26:09 16楼
1、什么是三极管？三极管工作原理？
三极管又称&晶体三极管&或&晶体管&。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或N区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
三极管的工作原理-l6Mw1\fyP
三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数&（&=&DIC/&DIB, &D表示变化量。），三极管的放大倍数&一般在几十到几百倍。:VbS V&Bf[E]
三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置，否则会放大失真。
+N,iv
gB 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，&DUC=&DUB。
2、三极管的门电压一般是多少？什么是三极管的穿透电流？
1) 三极管的门电压uon即三极管开始导通的临界电压，当基、射极所加正向电压ube大于这个临界电压时，开始导通。一般硅管uon=0.5 V，锗管uon=0.2V。&
&2)三极管的穿透电流是指晶体三极管基极未加正向偏压或开路时，流过集电极-发射极的电流，它与晶体管的反向电阻和温度有关 ，称作Iceo。
晶体三极管的穿透电流的大小随温度的升高而升高，通过测试Iceo的大小，就可以判断出三极管质量好坏，Iceo大的管子电流损耗大，温度易升高，工作不稳定。Iceo越小越好。在常温下，大功率锗管的Iceo一般在几百微安以下，小功率硅管在几微安以下。
当基极开路时，集电极和发射极之间的电流就是穿透电流:，其中是集电极-基极反向漏电流，和都是由少数载流子的运动产生的，所以对温度非常敏感，当温度升高时二者都将急剧增大。从而对放大器产生不利影响。因此在实际工作中要求它们越小越好。
3、在三极管组成的放大器中，基本偏置条件是什么？
发射结正偏；集电结反偏。
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加TA为好友 发表于： 11:37:21 17楼
4、三极管的门电压：硅管一般为0.5伏.锗管约为0.2伏.
5、三极管的穿透电流ICEO是表征其工作稳定性优劣的一项重要参数。三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数&和集电结反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。
　　通过用万用表直接测量三极管集电极和发射极之间电阻的方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下：
　　万用表电阻挡的量程一般选用R&100或R&1k挡，对于PNP型三极管，黑表管接发射极，红表笔接集电极；对于NPN型三极管，黑表笔接集电极，红表笔接发射极。要求测得的电阻越大越好。集电极和发射极间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般来说，中、小功率PNP锗管,所得阻值应在几千欧至几百千欧，NPN硅管的阻值为几百千欧至无穷大。
　　按上述方法测试，如果发现被测管集电极和发射极间阻值很小或为零，则说明管子集电极和发射极间已经击穿损坏。如果测试时，万用表指针在数十欧位置上来回晃动，则表明ICEO很大，性能不稳定，这样的管子不宜使用。
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加TA为好友 发表于： 11:56:44 18楼
6、偏置条件就是：发射结正偏，集电结反偏。不管NPN还是PNP都要如此
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加TA为好友 发表于： 22:17:37 19楼
1、什么是三极管？三极管工作原理？
半导体三极管又称&晶体三极管&或&晶体管&。是在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
以NPN管为例：对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：&1=Ic/Ib 式中：&1－－称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： &= △Ic/△Ib 式中&－－称为交流电流放大倍数，由于低频时&1和&的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，&值约为几十至一百多。
2、三极管的门电压一般是多少？什么是三极管的穿透电流？
硅管约为0.7伏；锗管约为0.3伏。当基极开路时，集电极和发射极之间的电流就是穿透电流。
3、在三极管组成的放大器中，基本偏置条件是什么？
在三极管组成的放大器中，基本偏置条件是：发射结正偏；集电结反偏。
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加TA为好友 发表于： 12:56:38 20楼
什么是三极管？&&&&&&&&&&& 三极管是&种半导体的晶体管,有三个电极,这三个电极分别是基极（用字母b表示）,集电极（用字母c表示）,发射极（用字母e表示）。也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。 制造时由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
三极管的工作原理？&&&&& 按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。 由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： &1=Ic/Ib 式中：&1－－称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： &= △Ic/△Ib 式中&－－称为交流电流放大倍数，由于低频时&1和&的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，&值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。 三极管放大时管子内部的工作原理 1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
三极管的门电压一般是多少？&&&&& 硅管一般为0.5伏.锗管约为0.2伏.
什么是三极管的穿透电流？&&&&&&&& 三极管的穿透电流是指晶体三极管基极未加正向偏压或开路时，流过集电极-发射极的电流，它与晶体管的反向电阻和温度有关 ，称作Iceo。
在三极管组成的放大器中，基本偏置条件是什么？&&&&&&&&&& 三极管的三个极的电流分配关系和放大作用是由其内在特性决定的，在三极管组成的放大器中，它起放大作用的最基本偏置条件就是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
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加TA为好友 发表于： 23:08:21 21楼
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我隨風 LIUXD6909
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（本期回答的都较标准，奖项有限，重点考虑原创，后面会重点考虑本期没得大奖的朋友）
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