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场效应管做开关接DCDC，场效应管输出电压被拉低
09:28:39　　
本帖最后由 夜空中最亮的星ace 于
09:30 编辑
大家先看看电路正确吗？然后是场效应管不接DCDC输出3.3，接了dcdc就是0.5了，怎么回事
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10:04:03　　
你先看看D1是什么电平，如果是高电平，管子不就通了，VIN不就没电压了
高级工程师
10:57:57　　
【场效应管做开关接DCDC，场效应管输出电压被拉低】
【大家先看看电路正确吗？然后是场效应管不接DCDC输出3.3，接了dcdc就是0.5了，怎么回事】
先别说回答问题了，连楼主说了些什么，都难以搞清楚啊！！
几番猜测，没能成功。最后只好假设楼主的问题是这样的，纯属假设。
场效应管Q1用作开关，控制DC/DC模块的供电。
没有场效应管Q1时，DC/DC尚能输出3.3V；有场效应管Q1时，DC/DC输出只有0.5V了。
第一、我的楼主啊，开关是要串联到回路里才能起到开关的控制作用呀。你家里的电灯、用电器开关都是并接在电灯、用电器的两端的吗？你一定知道，不是的。
第二、尽管没有场效应管Q1时，DC/DC输出3.3V，但那也是DC/DC处于空载或者轻载的情况下，否则它也不会为你输出3.3V。为什么呢？因为前面存在一个10k的电阻，会随着负载电流产生较大的、变化着的电压降，稳定的3.3V输出一定是不存在的！
第三、在有场效应管Q1且令其导通时，会将DC/DC模块的输入电压短路掉，当然不会有输出。你那儿还有可怜的0.5V，仅仅是因为Q1导通得不彻底。
也幸亏有不该有的10k电阻，才让你的Q1没有烧掉。
第四、取消10k电阻，换用合适的PMOS管，串联于VCC电源和DC/DC模块的输入端，以低电平信号使其开通，让VCC为DC/DC模块供电；以足够的高电平使其关断，让VCC停止供电。
揣测、假设的前提下的回答，仅供参考。
21:05:23　　
这个就一句话 线路图有错误& && && && &&&
22:58:31　　
VCC经过一个10K的电阻给DCDC供电，能够提供给模块的电压和功率都十分的有限，附件是MOS管的应用详解，好好学习一下。此处应选择PMOS管作为开关。
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08:27:58　　
不想看了，一看你场效应管做开关用，电路就错了，栅源极电阻怎么没有加，驱动D1电压够不够吧
15:54:35　　
【场效应管做开关接DCDC，场效应管输出电压被拉低】
【大家先看看电路正确吗？然后是场效应管不接DCDC输出3.3，接了dcdc就是0.5了，怎么回事】
回答的不错！& && && &
15:59:34　　
这电路不对！！！
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版权所有 (C) 深圳华强聚丰电子科技有限公司51单片机最小系统概念、组成51单片机最小系统概念、组成电工之家百家号单片机又称单片微控制器， 是在一块芯片中集成了CPU（ 中央处理器）、RAM（ 数据存储器）、ROM（ 程序存储器）、定时器/ 计数器和多种功能的I/O（输入/ 输出）接口等一台计算机所需要的基本功能部件，从而可以完成复杂的运算、逻辑控制、通信等功能。在这里，我们没必要去找到明确的概念来解析什么是单片机，特别在使用C语言编写程序的时，不用太多的去了解单片机的内部结构以及运行原理等。从应用的角度来说，通过从简单的程序入手，慢慢的熟悉然后逐步深入精通单片机。在简单了解了什么是单片机之后，然后我们来构建单片机的最小系统，单片机的最小系统就是让单片机能正常工作并发挥其功能时所必须的组成部分，也可理解为是用最少的元件组成的单片机可以工作的系统。对51系列单片机来说， 最小系统一般应该包括： 单片机、时钟电路、复位电路、输入/ 输出设备等（见图1）。三、电路详解依据上文的内容，设计51 系列单片机最小系统见图2。下面就图2 所示的单片机最小系统各部分电路进行详细说明。1. 时钟电路在设计时钟电路之前，让我们先了解下51 单片机上的时钟管脚：XTAL1（19 脚） ：芯片内部振荡电路输入端。XTAL2（18 脚） ：芯片内部振荡电路输出端。XTAL1 和XTAL2 是独立的输入和输出反相放大器，它们可以被配置为使用石英晶振的片内振荡器，或者是器件直接由外部时钟驱动。图2中采用的是内时钟模式，即采用利用芯片内部的振荡电路，在XTAL1、XTAL2的引脚上外接定时元件（一个石英晶体和两个电容），内部振荡器便能产生自激振荡。一般来说晶振可以在1.2 ～ 12MHz 之间任选，甚至可以达到24MHz或者更高，但是频率越高功耗也就越大。在本实验套件中采用的11.0592M的石英晶振。和晶振并联的两个电容的大小对振荡频率有微小影响，可以起到频率微调作用。当采用石英晶振时，电容可以在20 ～ 40pF之间选择（本实验套件使用30pF）；当采用陶瓷谐振器件时，电容要适当地增大一些，在30 ～ 50pF 之间。通常选取33pF 的陶瓷电容就可以了。另外值得一提的是如果读者自己在设计单片机系统的印刷电路板（PCB）时，晶体和电容应尽可能与单片机芯片靠近，以减少引线的寄生电容，保证振荡器可靠工作。检测晶振是否起振的方法可以用示波器可以观察到XTAL2输出的十分漂亮的正弦波，也可以使用万用表测量（ 把挡位打到直流挡，这个时候测得的是有效值）XTAL2 和地之间的电压时，可以看到2V 左右一点的电压。2. 复位电路在单片机系统中，复位电路是非常关键的，当程序跑飞（运行不正常）或死机（停止运行）时，就需要进行复位。MCS-5l 系列单片机的复位引脚RST（ 第9 管脚） 出现2个机器周期以上的高电平时，单片机就执行复位操作。如果RST持续为高电平，单片机就处于循环复位状态。复位操作通常有两种基本形式：上电自动复位和开关复位。图2中所示的复位电路就包括了这两种复位方式。上电瞬间，电容两端电压不能突变，此时电容的负极和RESET 相连，电压全部加在了电阻上，RESET的输入为高，芯片被复位。随之+5V电源给电容充电，电阻上的电压逐渐减小，最后约等于0，芯片正常工作。并联在电容的两端为复位按键，当复位按键没有被按下的时候电路实现上电复位，在芯片正常工作后，通过按下按键使RST管脚出现高电平达到手动复位的效果。一般来说，只要RST管脚上保持10ms 以上的高电平，就能使单片机有效的复位。图中所示的复位电阻和电容为经典值，实际制作是可以用同一数量级的电阻和电容代替，读者也可自行计算RC充电时间或在工作环境实际测量，以确保单片机的复位电路可靠。3. EA/VPP（31 脚） 的功能和接法51 单片机的EA/VPP（31 脚） 是内部和外部程序存储器的选择管脚。当EA 保持高电平时，单片机访问内部程序存储器；当EA保持低电平时，则不管是否有内部程序存储器，只访问外部存储器。对于现今的绝大部分单片机来说，其内部的程序存储器（一般为flash）容量都很大，因此基本上不需要外接程序存储器，而是直接使用内部的存储器。在本实验套件中，EA 管脚接到了VCC 上，只使用内部的程序存储器。这一点一定要注意，很多初学者常常将EA 管脚悬空，从而导致程序执行不正常。4. P0 口外接上拉电阻51 单片机的P0 端口为开漏输出，内部无上拉电阻（见图3）。所以在当做普通I/O 输出数据时，由于V2截止，输出级是漏极开路电路，要使“1”信号（即高电平）正常输出，必须外接上拉电阻。图3 P0端口的1位结构另外，避免输入时读取数据出错，也需外接上拉电阻。在这里简要的说下其原因：在输入状态下，从锁存器和从引脚上读来的信号一般是一致的，但也有例外。例如，当从内部总线输出低电平后，锁存器Q＝ 0， Q ＝ 1，场效应管V1开通，端口线呈低电平状态。此时无论端口线上外接的信号是低电平还是高电平，从引脚读入单片机的信号都是低电平，因而不能正确地读入端口引脚上的信号。又如，当从内部总线输出高电平后，锁存器Q＝ 1， Q ＝ 0，场效应管V1 截止。如外接引脚信号为低电平， 从引脚上读入的信号就与从锁存器读入的信号不同。所以当P0 口作为通用I/O接口输入使用时，在输入数据前，应先向P0 口写“1”，此时锁存器的Q 端为“0”，使输出级的两个场效应管V1、V2均截止，引脚处于悬浮状态，才可作高阻输入。总结来说：为了能使P0 口在输出时能驱动NMOS 电路和避免输入时读取数据出错，需外接上拉电阻。在本实验套件中采用的是外加一个10K 排阻。此外，51单片机在对端口P0—P3 的输入操作上，为避免读错，应先向电路中的锁存器写入“1”，使场效应管截止，以避免锁存器为“0”状态时对引脚读入的干扰。5. LED 驱动电路细心的读者可能已经发现，在最小系统中，发光二极管（LED）的接法是采取了电源接到二极管正极再经过1K 电阻接到单片机I/O 口上的（见图4中的接法1）。为什么这么接呢？首先我们要知道LED 的发光工作条件，不同的LED 其额定电压和额定电流不同，一般而言，红或绿颜色的LED的工作电压为1.7V~2.4V，蓝或白颜色的LED 工作电压为2.7~4.2V， 直径为3mm LED 的工作电流2mA~10mA。在这里采用红色的3mm的LED。其次，51 单片机（如本实验板中所使用的STC89C52单片机）的I/O 口作为输出口时，拉电流（向外输出电流）的能力是μA级别，是不足以点亮一个发光二极管的。而灌电流（往内输入电流）的方式可高达20mA，故采用灌电流的方式驱动发光二极管。当然，现今的一些增强型单片机，是采用拉电流输出（接法2）的，只要单片机的输出电流能力足够强即可。另外，图4中的电阻为1K 阻值，是为了限制电流，让发光二极管的工作电流限定在2mA~10mA。本文仅代表作者观点，不代表百度立场。系作者授权百家号发表，未经许可不得转载。电工之家百家号最近更新：简介:学习电工技术首选电工之家作者最新文章相关文章什么是场效应管的夹断电压和开启电压呢？
全部答案（共1个回答）
有放大作用。
场效应管（英缩写FET）是电压控制器件，它有输入电压来控制输出电流的变化。它具有输入阻抗高噪声低，动态范围大，温度系数低等优点，因而广泛应用于各种...
场效应管:是电压控制电流的原件,即用一小的电压控制一较大的电流,
通俗点的:这个电压好比是一控制伐,伐门开的大小就可控制场效应管沟道中(N沟道或P沟道)中流过电...
放大电路不存在并连，串联。。
是采用一个MOS管加上电阻，电容组成的放大反馈电路。
场内交易：在证券交易所内进行的证券买卖活动。
场外交易：在交易所以外市场进行的证券交易总称，也称为"柜台市场""第 三市场"或"第四市场"。 比如说公司收购法人...
昨天说的不够详细，今天补一点：
所谓的输入电阻就是从放大电路的输入端看进去的等效电阻，但是不包括信号源的内阻。当放大电路与信号源相接就成为信号源的负载了，它必从...
答: 冲压成形弯头是最早应用于批量生产无缝弯头的成形工艺，目前，在常用规格的弯头生产中已被热推法或其它成形工艺所替代，但在某些规格的弯头中因生产数量少、壁厚过厚或过薄...
答: 没有必要培训
，如果你会的情况下，一般卖收割机的都会有专门的培训，要是你足够了解就不必要培训了。
答: 　2011年二级建造师考试时间(部分省市时间不统一)
6月26日　 上午9:00-12:00
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小议场效应管的驱动电路
&&& 场效应管的G极和S极是绝缘的，其阻抗达数十兆欧姆，理论上驱动场效应管只需要电压不需要电流，也就是零功率驱动，但许多电路尤其是要驱动功率较大的场效应管时，在G极前面却有一个用PNP型和NPN型三极管组成的推挽推动级，例如电磁炉IGBT管的推动电路。如图1所示。该推动级工作在开关状态，输出功率可以达5W左右，因为是射极输出，所以输出阻抗很小（& 10&O）。无需功率驱动的场效应管为何要用大功率低阻抗的推动级呢？
&&&&& 因为场效应管的G、S极间有较大的极间电容，功率越大的管子极间电容容量也越大，如图2所示。在直流或低频工作状态下，该电容影响不是很大，但当工作频率达到数十千赫兹或者数百千赫兹时，该电容的充放电情况将严重影响工作状态，如果驱动场效应管的信号源内阻较大，将会使驱动脉冲的上升沿变缓，场效应管从截止到导通的时间延长；当驱动脉冲下降时，由于该电容的存在，同样使驱动脉冲下降沿变缓，如图3所示，使场效应管从导通到截止的时间延长，这样将使场效应管的功耗大大增加，甚至根本无法工作。设置上述大功率低内阻的推动级就是为了加快极间电容的充放电速度，降低场效应管的导通和截止时的功耗，使场效应管能工作于较高频率下。
&&& 在图1中，驱动脉冲的上升沿使Q2导通，这时由于Q1的b极电压高于e极电压而截止，15V电压通过Q2和R1给G极提供导通电压，同时使G和S的极间电容充电。当脉冲结束时。脉冲的下降沿使Q2快速截止，此时充满电的G、S极间电容电压使Q1的e极高于b极，Q1导通使极间电容快速放电，以准备下一次导通，图4中的Q1和图1的Q1作用是一样的，驱动脉冲由前面的控制芯片提供。在图5中，当驱动脉冲低电平时，D1导通，加速管子截止。
&&& 图6是用变压器驱动场效应管电路，由于变压器绕组直流电阻很小，一般不另外设加速放电元件。在图1中，由于Q1和Q2瞬时要通过较大的电流，不能用高耐压小电流三极管，常用S8050和S8550（最大电流500mA，功耗1W）。Q1、Q2如果有问题也会引起烧功率管，在路检测可以用指针式万用表R&1挡（可提供较大的电流）测Q1、Q2的b-e结和b-c结的正向电阻，如果明显阻值变大，说明该管已变质应更换。
&&& 电阻R1一是起限流作用，防止驱动脉冲上升时G、S极间电容充电电流过大，二是防止场效应管在高频工作时产生寄生振荡，其阻值一般在10&O～100&O之间。R2是G和S极间电容的泄放电阻，作用是防止G极悬空，因为G极阻抗极高，D极的高电压会通过D和G极间的电容C1给G和S极间的电容C2充电，当C2充电电压达到G极开启电压时，管子会瞬间全导通，如果D极没有限流措施则会马上烧坏。本人就曾经换好功率管后没焊好管脚就上电，瞬间烧坏功率管《因为该线路板D极和S极有铆打，虽然没焊好但已经接触线路，G极却处于悬空状态）。参见图2，由于G极阻抗极高，按电容分压计算G极电压，当D和S极间的电压超过10V时，C1、C2分压可使G极电压达到管子的导通电压，管子处于失控导通状态。因此，在检修开关管击穿故障时，补焊一下相关驱动电路是很有必要的。
&&& 在图4中，ZD1是一只18V的稳压管，作用是防止加在G极上的电压过高击穿场效应管。当功率管击穿时，该稳压管可能受到冲击，最好一并更换。维修中曾遇到该稳压管漏电引起驱动场效应管的电压幅度变小，导致管子功耗增加而烧毁。
&&& 在液晶电视电路中，有许多用P沟道场效应管组成的电子开关，如图7所示。P沟道管S极接输入电压，只要G极电压小于S极电压3V（5V）场效应管就可以导通，因为这里是直流控制，场效应管的极间电容影响不大，可以用极小的驱动电流去控制大电流，这里的R1在输入电压低于5V时是限流电阻，阻值较小；输入电压大于5V时，R1和R.2组成分压电阻，根据被控制的电压数值选择R1、R2阻值，使G极电压比S极电压低3V（10V）、R2同时是G、S极泄放电阻，所以阻值不能太大。
&&& 另外，一般场效应管G极电压高于（N沟道）或低于（P沟道））S极3V左右管子就导通了，场效应管的导通电阻和上述控制电压的数值有很大关系，当控制电压3V时，虽然管子已导通，但导通电阻较大；控制电压达10V时，导通电阻仅为3V时的一半左右，所以驱动大功率管的驱动电路供电电压要15V左右，当该电压过低时，场效应管虽然也能正常导通，但由于导通电阻增加引起功耗增加也要烧坏管子，所以在维修中要注意驱动电路的供电是否正常。
&&& 有人认为图1中的R2是一只分压电阻，开路后引起驱动电压太高而烧坏IGBT管，这是个误解。因为R1仅10&O（推动级内阻也小于10&O）、R2达4.7k&O，所以R2的分压作用微乎其微，即使R2开路，经估算驱动脉冲仅升高0.03V（推动级15V供电），驱动脉冲不可能升高到使IGBT管击穿，真正原因应该是R2开路后，在某种情况下引起IGBT管G极悬空，造成管子击穿。
&&& 由于驱动场效应管需要用低阻抗大电流的推动电路，如果由于线路接触不良引起驱动回路内阻变大，将增加场效应管的导通损耗和截止损耗，引起无规律烧管。维修中就有因双面线路板过孔电阻过大引起屡烧场效应管的实例。
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