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　　【PConline 对比评测】搭载英特尔第八代酷睿处理器的轻薄笔记本电脑已经陆续发布一段时间了。通过各方面的评测与解析，我们可以发现，全新的八代酷睿处理器在性能方面有了很大的提升，也引起了用户中广泛的讨论与关注。但对用户而言，&买笔记本电脑主要看什么&这类问题仍然是选择笔记本过程中所要面临的最大难题。下面就让我们从最新的八代酷睿处理器入手，以对比评测的形式来深入探讨一下&买笔记本电脑主要看什么&这个问题。买笔记本电脑主要看什么？八代酷睿才是关键！　　在各类评测中我们可以发现，八代酷睿处理器在性能方面有了很大的提升，同时目前市场上已经出现了不少搭载第八代酷睿处理器的笔记本产品。但考虑到用户升级产品的速度远远赶不上硬件更新的速度，用户中仍有不少人仍然在使用陈旧的笔记本设备。所以本次对比评测将主要考察八代酷睿在性能和体验方面的提升，是否值得用户对手中的产品进行一次大升级。　　本次要进行对比评测的两款处理器为Intel& Core& i5-8250U和Intel& Core& i5-6200U，具体机型及处理器信息如下：机型及处理器信息机型惠普薄锐ENVY 13笔记本惠普星球大战限量定制版笔记本操作系统Windows 10 64位家庭版Windows 10 64位家庭版处理器Intel& Core& i5-8250UIntel& Core& i5-6200U一、CPU基本信息　　通过下图中两代i5处理器的基本信息对比，可以看到第八代酷睿处理器在各方面都发生了很大变化，CPU架构方面，Skylake架构升级成了Kaby Lake，而核心线程则是由双核心四线程升级为四核心八线程。在TDP不变的情况下，最大睿频频率由2.80GHz升至3.40GHz，主频由2.30GHz降至1.60GHz，多核心低主频的设计在提升性能的同时，也带来了更加合理的功耗。处理器信息对比CPU型号Intel& Core& i5-8250UIntel& Core& i5-6200UCPU架构Kaby Lake USkylake U核心/线程4/82/4制造工艺14nm14nm主频/睿频/p&1.60GHz/3.40GHz2.30GHz/2.80GHz三级缓存6MB3MB集成显卡Intel& UHD Graphics 620&Intel& HD Graphics 520&内存支持DDR4-2400/LPDDR3-2133DDR4-2133/LPDDR3-1866TDP15W15W　　此外，与i5-6200U处理器相比，八代i5-8250U处理器三级缓存升至6MB，内存方面也开始支持DDR4-2400MHz/LPDDR3-2133。另一方面，i5-8250U处理器的集显升级为Intel& UHD Graphics 620，HD到UHD的变化也凸显了八代酷睿处理器对4K内容更好的支持能力。
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关于DDR4 2400内存显示2133的问题收藏
我的主板是华硕B250-PLUS,CPU I7 7700,两根2400的内存条
，开始内存频率只显示2133，我在BIOS界面设置了内存频率为2400，为什么我在CPU-Z上SPD里的最大宽带还是只有2132，
在AIDA64里面我的内存条有两个存取速度，，。我就不明白了～
有没有大佬帮我看看，我真的很懵逼。强迫症了
这属于一种标题诈骗，很常见。2400分三种情况：一、默频2133的条，商家背地里偷着超到2400后锁频，当2400卖。这种条虽然实际能以2400的频率工作，但由于频率被锁住，丧失变频能力，从而导致无论待机还是满载都将保持以2400频率运转，无谓增加耗电量的同时也加速了板子及电源电路等的耐久度损耗。二、默频2133的条，商家明着增加一个2400的预设超频时序。与上面相比这种条保留了变频特性（需开启xmp），省电省耐久，不那么容易坏。但由于本物还是2133的，体验度多少差点（主要存在于心理上）。三、默频2400。这个就不必解释了，就是你当初买时所认为的那个2400要表达的意义。总体而言，3&2&1。但一般家用（1080p游戏、电影等）选第二种就可以了，够用的。其实大多数商家都是这么着卖，真正默频2400的比较少也比较贵。可也没什么太了不起的差别，硬要说的话那就是比2133有更多的超频空间（当然前提也得是你的主板能支持到2400以上的频率）。再说不是有很多3200的条子默频还在2133上嘛..所以，只要你确认自己不是处在第一种情况就可以了。在bios里打开xmp即可。
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2400的内存？bios里显示2133，正常吗？
任务管理器的内存频率不正确。我自己也碰到过，内存已经2400MHz了，任务管理器里显示的是1600MHz。专业概括的说，内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。 内存（Memory）也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。简单的说内存在电脑中的作用相当于一座桥梁，用以负责诸如硬盘主板上的数据与处理器之间数据交换与处理器。所有电脑数据都是通过内存与处理器进行交换的，可能有的朋友会想为什么数据不直接与处理器进行数据处理器与交换呢？其实大家只要了解内存就知道，内存的读取速度与存储速度是最快的，直接与主板上数据总线交换速度很慢，大家也可以将内存看作数据缓存区。
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1DDR4内存新特性解析&&&&如果搭配Haswell-E处理器的X99平台是DDR4的首秀，那么Skylake为首的Intel&100系列芯片组则正式将DDR4内存推向大众，现如今DDR4内存的价格不断走低，已经有全面取代DDR3之势，相比DDR3内存，DDR4内存频率起跳就是2133MHz，一些高频内存都达到了3200MHz，围绕着DDR4内存的规格及应用下面将以系列篇章形式全面解析DDR4。&&&&DDR4内存新特性&&&&1.外观&一直以来，内存的金手指都是直线型的，而DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了。其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。DDR4内存新特性&&&&2.带宽和频率&DDR4内存显著提高了频率和带宽，在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank&Group的设计。每个Bank&Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank&Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank&Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank&Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank&Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank&Group，则变相的预取值提高到了32n。3DS（3-Dimensional&Stack，三维堆叠）技术&&&&3.容量&DDR4内存使用了3DS（3-Dimensional&Stack，三维堆叠）技术，用来增大单颗芯片的容量，单条内存容量被提升至128GB，而即使是消费桌面版也有16GB，四条就可以组建64GB容量。3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积—堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠；另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。&&&&4.电压和功耗&DDR4内存电压降至1.2V，另外DDR4内存还采用了TCSE&(&Temperature&Compensated&Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature&Compensated&Auto&Refresh，温度补偿自动刷新，和T&CSE类似）、DBI（Data&Bus&Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换操作）等新技术，降低内存运行功耗。&&&&进入到DDR4内存时代，内存制造商数量又出现了不少新鲜面孔，但内存颗粒（DRAM）上游生厂商就剩下三星、SK&Hynix和美光，在DDR3时代风躁一时的尔必达并没有拿出相应的产品。内存的性能（频率和时序）影响因素最重要莫过于内存颗粒本身，内存颗粒的特性决定了内存可以达到的内存频率和时序，高的频率和低的时序组合就是更出色的内存读写性能。下面就来介绍三星、SK&Hynix和美光各自DDR4内存颗粒。2DDR4内存颗粒--三星篇&&&&三星桌面PC&DDR4内存颗粒共包含K4A4G045WD、K4A4G085WD、K4A8G045WB、K4A8G085WB四款产品，均已量产，其中K4A4G045WD、K4A4G085WD两款单颗容量为4Gb，K4A8G045WB、K4A8G085WB两款则为8Gb，其中4Gb颗粒适用于组建4Gbx8=4GB单面单条内存，而8Gb颗粒既可以组建8Gbx8=8GB单面单条内存，也可以8Gbx16=16GB双面单条内存。三星DDR4内存颗粒规格参数&&&&三星桌面DDR4内存颗粒均采用了2xnm工艺，工作电压为1.2V，封装接口为78FBGA。DDR3时代广受好评的“黑条”&超频性能也出众&&&&从DDR3时代起三星内存的超频性能就非常优秀，DDR4颗粒超频能力得到了继承，不少产品风冷超频就可以实现4000MHz，而SK&Hynix和美光鲜有产品能够与之匹敌。采用三星DDR4内存颗粒的宇瞻刀锋战士Blade&DDR4&3000内存&&&&三星的DDR4内存颗粒供应商主要包括芝奇（F4-GTZ）、宇瞻（刀锋战士Blade&DDR4&3000）、海盗船（复仇者DDR4&2666MHz）等，另外三星自家的内存也会使用这些内存颗粒。3DDR4内存颗粒--SK Hynix篇&&&&在2015年早期SK&Hynix主打DDR4内存颗粒为H5AN8G8NMFR（8Gb）和H5AN4G8NMFR（4Gb），这些产品的默认频率较低，一般以普条DDR4&2133MHz较多，同时超频能力也比较一般，即使加电压超频也没有帮助。SK&Hynix&DDR4内存颗粒规格参数&&&&进入到2015年下半年，SK&Hynix开始推出了H5AN8G8NMFR（8Gb）和H5AN4G8NMFR（4Gb）的更新版本--H5AN8G6NAFR（8Gb）、H5AN8G8NAFR（8Gb）、H5AN4G8NAFR（4Gb）和H5AN4G6NAFR（4Gb）四款产品，其最大的特性是可以加压超频，同时频率也得到了显著提升。采用SK&Hynix&MFR内存颗粒的金士顿DDR4内存&&&&虽然AFR取代MFR非常成功，但是AFR和竞争对手三星相比，在高频上依然有所不足，所以那些DDR4内存超频榜单基本被三星所占据。不过从官方数据表中我们可以看出，2016年Q4&SK&Hynix还将会推出以BFR后缀的内存颗粒产品，规格容量和目前AFR保持一致，也提供单颗4Gb和8Gb版本，可以提供单条4GB、8GB、16GB的内存解决方案。&&&&SK&Hynix内存颗粒的下游供应商较多，最典型的就是金士顿（HyperX&Predator系列、HyperX&Fury系列）、宇帷Avexir、威刚（XPG系列）等。4DDR4内存颗粒--美光篇&&&&美光目前已经量产的DDR4内存颗粒主要包括三款MT40A1G8PM-083E、MT40A2G4PM-083E、MT40A512M16HA-083E，其余产品均处于流片阶段或者交付阶段，单颗容量均为8Gb，三者的内存位宽分别为x8、x4、x16，三款产品均只需双面16颗就可以组成16GB单条。美光DDR4内存颗粒规格参数&&&&在DDR3时代，美光引以为傲的D9颗粒除了优秀的超频性能，还拥有所以内存颗粒最出色的时序参数，DDR3&-9这样的参数成为DDR3时代的绝唱。进入到DDR4内存时代，美光颗粒并没有带来期待已久的D9传奇，同第一代SK&Hynix&MFR内存颗粒一样，内存频率平平，同时超频不吃电压，基本处于超不动的状态。采用美光DDR4内存颗粒的海盗船复仇者LPX&DDR4&2400内存&&&&美光MT40A1G8PM-083E、MT40A2G4PM-083E、MT40A512M16HA-083E三款内存颗粒官方定义的频率均为DDR4&2400MHz，CL时序也均为16，所以市面上采用美光颗粒的内存频率基本都是DDR3&2400，例如海盗船复仇者LPX&DDR4&2400（CMK8GX4M1A2400C14），不过内存时序被优化到14，但频率基本超不动。&&&&不过在美光的官方产品列表中我们看到了大量的DDR4内存颗粒处于流片或交付阶段，不知道这些新的产品是否会回归D9时代的超频传奇，带来更高的频率和更优秀的时序。
配置类型 CPU系列
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