MDP9N60场效应管应用电路用什么代替

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-05-22 06:17 标签： 场效应管的作用
||||||||||
||||||||||
查看: 7849|回复: 4
求助MDP9N60参数和代换型号
阅读权限30
在线时间 小时
注册家电维修技术论坛，与同行畅聊维修技术，享更多技术论坛功能。
才可以下载或查看，没有帐号？
求助各位师傅：绿源电动车充电器开头管&&MDP9N60参数和代换型号？
阅读权限101
在线时间 小时
开头管是什么管？MDP9N60参数：N沟道场效应管，9.5A/600V；
阅读权限30
在线时间 小时
开头管是什么管？MDP9N60参数：N沟道场效应管，9.5A/600V；
开关管，不好意思打错一个字。谢谢啊。。。用什么代换呢？
阅读权限101
在线时间 小时
开关管，不好意思打错一个字。谢谢啊。。。用什么代换呢？
这种管子好找，不用代换吧？
阅读权限50
在线时间 小时
普通的8N60或者10N60的就行了。
( 鄂ICP备号-1 )
Powered by Discuz! X3.4
Comsenz Inc.
CopyRight (C)
电子邮箱：admin@jdwx.info
官方网址：
Qiji. All Rights Reserved
Wuhan Qiji Technology Co., Ltd.武汉奇迹科技有限公司版权所有场效应管2sk170什么管子可以替代 万分感谢_百度知道
场效应管2sk170什么管子可以替代 万分感谢
我有更好的答案
1、用K364/J104直代,功率都是0.4w。2、场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
工会工作者
K170还买得到，J74买不到，用K364/J104直代，功率都是0.4w。
fsv 020可以替代么，都是40V npn管。
1条折叠回答
为您推荐：
其他类似问题
您可能关注的内容
场效应管的相关知识
换一换
回答问题，赢新手礼包
个人、企业类
违法有害信息,请在下方选择后提交
色情、暴力
我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。批发数量梯度价格
TO-220 P-DIT/塑料双列直
应用范围:振荡,材料:硅(Si),封装形式:TO-252
应用范围:功率,封装形式:TO-126
￥0.65/PCS
应用范围:放大,材料:硅(Si),封装形式:SOP-8
应用范围:振荡,材料:硅(Si),封装形式:SOT-23
￥1.65/PCS
应用范围:功率,材料:硅(Si),封装形式:TO-252-5
应用范围:放大,材料:硅(Si),封装形式:SOT-23
￥0.75/PCS
应用范围:功率,材料:硅(Si),封装形式:SOP-8
￥0.30/PCS
应用范围:放大,材料:硅(Si),封装形式:SOT23-5
￥1.85/PCS
应用范围:功率,材料:硅(Si),封装形式:TO-252-5
￥1.90/PCS
应用范围:振荡,材料:锗(Ge),封装形式:220
购买、咨询产品请填写留言：(3分钟左右您将得到回复)
我要购买"9N60塑封"，请报价？全系列场效应管参数_百度文库
您的浏览器Javascript被禁用，需开启后体验完整功能，
享专业文档下载特权
&赠共享文档下载特权
&10W篇文档免费专享
&每天抽奖多种福利
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
全系列场效应管参数
&&全系列场效应管参数
阅读已结束，下载本文需要
想免费下载本文？
定制HR最喜欢的简历
下载文档到电脑，同时保存到云知识，更方便管理
加入VIP
还剩9页未读，
定制HR最喜欢的简历
你可能喜欢批发数量梯度价格
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:D/变频换流,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道,最大漏极电流:68,类型:其他IC,跨导:10,开启电压:10,夹断电压:55,低频噪声系数:11,极间电容:1456,最大耗散功率:45
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:L/功率放大,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道,最大漏极电流:200,跨导:10,开启电压:10,夹断电压:200,低频噪声系数:11,极间电容:720,最大耗散功率:72
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:MOS-INM/独立组件,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:N-FET硅N沟道,类型:其他IC,开启电压:100
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:其他,导电方式:增强型,用途:MOS-ARR/陈列组件,封装外形:CHIP/小型片状,材料:ALGaAS铝镓砷,功率:55,最大漏极电流:5,低频跨导:5
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:MOS-ARR/陈列组件,封装外形:CHIP/小型片状,材料:MES金属半导体,最大漏极电流:5,低频噪声系数:5,低频跨导:5
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:MOS-ARR/陈列组件,封装外形:CHIP/小型片状,材料:MES金属半导体,最大漏极电流:5,低频噪声系数:5,低频跨导:5
种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:MW/微波,封装外形:CHIP/小型片状,材料:N-FET硅N沟道,最大漏极电流:.,开启电压:.,夹断电压:.,低频噪声系数:.,极间电容:.,最大耗散功率:.
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:N-FET硅N沟道,最大漏极电流:3A,开启电压:2,夹断电压:900,低频跨导:3
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:N-FET硅N沟道,最大漏极电流:2.5,开启电压:20,夹断电压:900,低频噪声系数:5455,极间电容:777,最大耗散功率:333,低频跨导:222
种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:N-FET硅N沟道,最大漏极电流:4A,开启电压:600V,最大耗散功率:40W
9n60场效应管
购买、咨询产品请填写留言：(3分钟左右您将得到回复)
我要购买"9N60"，请报价？

我要回帖

更多关于 场效应管的作用 的文章

 

随机推荐