固态硬盘选sata还是m2是选MLC还是SLC好

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深入解析SSD中MLC与SLC的性能差异
关键字:MLC SLC
  (Solid State Disk或Solid State Drive),也称作电子硬盘或者固态电子盘,是由控制单元和固态单元(DRAM或FLASH)组成的硬盘。
  固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的相同,在产品外形和尺寸上也与普通硬盘一致。由于固态硬盘没有普通硬盘的旋转介质,因而抗震性极佳。其芯片的工作温度范围很宽(-40~85摄氏度)。目前广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空等、导航设备等领域。
  本文将详细解析固态硬盘的工作原理,并解析SLC与MLC两种不同的固态硬盘在性能和安全性上的差异。
  SSD工作原理
  下面是一个关于NAND闪盘的原理塔图。从下图我们可以看到,每一个“单元”就是由一个这样的晶体管组成的。
  在单级单元(SLC)闪存设备中,一个晶体管可容纳1-比特数据。您通过电子通道将数据写入单元;将足够高的电压加于两端,创造一个足够强大的电场,电子将穿透氧化物进入浮动门。消除电压,电子将继续停留在浮动门。将电压穿越通道而不施加到门上,扭转偏压,电子将向另一个方向移动。
  简单的说,这就是闪盘的工作原理-你有两种状态,0和1,即使单元没有电了,状态也会维持住,因此对存储设备来说是非常理想的。
  编程闪存是一个反复的过程。该控制器将电压施于门(或通道)上,允许一些电子穿过并检查单元的临界电压。当临界电压已达到一些预定的值时,就开始编程并储存数据了。
[ 责任编辑:邹秋萍 ]
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关注Chinabyte&&[&& 原创&&]&& 作者:&&|&&责编:孙玉亮
什么是TLC颗粒?与MLC、SLC区别&&&&首先就要说说TLC是什么。简单来说TLC就是一种成本上相对比较偏向性价比的闪存颗粒SLC&MLC&TLC规格对比&&&&TLC其实只是一个形容词,我们所说的TLC指的是TLC闪存,而其中的TLC指的是Triple&Level&Cell,直接翻译过来叫做3阶单元,比较通俗的意思就是“一个单元可以存储3个信息”,相对应的MLC芯片为“一个单元可以存储2个信息”,SLC芯片则为“一个单元可以存储1个信息”。&&&&可能有人会说这不就是个集成度多少的问题吗?事实不是这样,无论是SLC、MLC、SLC其一个单元本身的数量是相似的,也就是说我们用物理上差不多的东西储存了更多的信息。但是存储更多的信息就等于带来了更多不稳定。MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)基本结构&&&&那么闪存的结构是什么样子的呢?请大家看上图,在对一个闪存单元编程的时候,电压加到控制栅极(control&gate)上,形成一个电场,让电子穿过硅氧化物栅栏,达到浮动栅极(floating&gate)。穿越过程完成后,控制栅极上的电压会立刻降回零,硅氧化物就扮演了一个绝缘层的角色。单元的擦除过程类似,只不过电压加在硅基底(P-well)上。&&&&SLC只需要两种电压状态就可以保存所有数据&但是TLC则需要8种&&&&SLC、MLC、TLC三种闪存的MOSFET是完全一样的,区别在于如何对单元进行编程。SLC要么编程,要么不编程,状态只能是0、1。MLC每个单元存储俩比特,状态就有四种00、01、10、11,电压状态对应也有四种。TLC每个单元三个比特,状态就有八种了(000、001、010、100、011、101、110、111)。SLC、MLC和TLC三者的区别&SLC=Single-LevelCell,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC3倍以上的价格),约10万次擦写寿命&MLC=Multi-LevelCell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命&TLC=Trinary-LevelCell,即3bit/cell,也有厂家叫8LC,速度相对慢寿命相对短,价格便宜,约500次擦写寿命&&&&简单地说SLC的性能最优,价格超高。一般用作企业级或高端发烧友。MLC性能够用,价格适中为消费级应用主流,TLC综合性能最低,价格最便宜。但可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能。
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