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[判断题] 因为三极管是放大电路中的放大元件，所以它把输入能量放大了（）
A . 正确B . 错误
填埋场勘察的总控制范围基本可分为三级，下列哪项不属于这个范围（）。 正确。
当温度T升高时，三极管的Icbo将增大.（） 正确。
当三极管电路短电时，不能用万用表的欧姆档去测量三极管间的电阻（） 正确。
安检人员执勤时，应统一着装，佩带（）。 正确。
在使用三极管时，若集电极电流Ic超过最大允许电流Icm，则β值要增大（） 正确。
因为三极管是放大电路中的放大元件，所以它把输入能量放大了（）
参考答案：正确
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三极管放大的条件是什么？
我有更好的答案
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
三极管能够放大信号必须具备一定的外部条件，即给三极管的发射结加正向电压（习惯称正向偏置或正偏），集电结加反向电压（习惯称反向偏置或反偏）。三极管的主要应用分为两个方面。一是工作在饱和与截止状态，用作晶体管开关；二是工作在放大状态，用作放大器。放大区:此时IC=??IB，IC基本不随UCE变化而变化，此时发射结正偏，集电结反偏。放大状态 ： uB＞0，发射结正偏，集电结反偏，iC=βiB。
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1 三极管的结构和分类 其共同特征就是具有三个电极，这就是“三极管”简称的来历。通俗来讲，三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构，根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。 上述三层结构即为三极管的三个区, 中间比较薄的一层为基区，另外两层同为N型或P型，其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相对较高的一层为发射区，另一层则为集电区。三极管的这种内部结构特点，是三极管能够起放大作用的内部条件。 三个区各自引出三个电极，分别为基极（b） 、发射极（e）和集电极（c）。 如图b所示，三层结构可以形成两个PN结，分别称为发射结和集电结。三极管符号中的箭头方向就是表示发射结的方向。 三极管内部结构中有两个具有单向导电性的PN结，因此当然可以用作开关元件，但同时三极管还是一个放大元件，正是它的出现促使了电子技术的飞跃发展。 2 三极管的电流放大作用 直流电压源Vcc应大于Vbb，从而使电路满足放大的外部条件：发射结正向偏置，集电极反向偏置。改变可调电阻Rb，基极电流IB，集电极电流Ic 和发射极电流IE都会发生变化，由测量结果可以得出以下结论： （1） IE ＝ IB ＋ IC ( 符合克希荷夫电流定理） （2） IC ≈ IB ×? （ ?称为电流放大系数，可表征三极管的电流放大能力） （3）△ IC ≈ △ IB ×? 由上可见，三极管是一种具有电流放大作用的模拟器件。 3 三极管的放大原理 以下用NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大 原理， 1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。 2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄，其多数载流子（空穴）浓度很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合，形成比较小的基极电流IB，而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。 3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流IC。 4 三极管的输入输出特性 三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时，基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线。 对硅管而言，当UCE超过1V时，集电结已经达到足够反偏，可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。如果此时再增大UCE ，只要UBE保持不变（从发射区发射到基区的电子数就一定）， IB也就基本不变。就是说，当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上是重合的。 由图可见，和二极管的伏安特性一样，三极管的输入特性也有一段死区，只有当UBE大于死区电压时，三极管才会出现基极电流IB。通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。在正常工作情况下，NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6～0.7V，PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2～ -0.3V。 三极管的输出特性是指当基极电流IB一定时，集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线。在不同的IB下，可得出不同的曲线，所以三极管的输出特性是一组曲线。通常把输出特性曲线分为三个工作区： 1、放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区, IC ＝ IB ×?,由于在不同IB下电流放大系数近似相等，所以放大区也称为线性区。三级管要工作在放大区，发射结必须处于正向偏置，集电结则应处于反向偏置，对硅管而言应使UBE&0，UBC&0。 2、截止区： IB ＝ 0的曲线以下的区域称为截止区。实际上，对NPN硅管而言，当UBE＜0.5V时即已开始截止，但是为了使三极管可靠截止，常使UBE≤0V，此时发射结和集电结均处于反向偏置。 3、饱和区：输出特性曲线的陡直部分是饱和区，此时IB的变化对 IC的影响较小，放大区的?不再适用于饱和区 。在饱和区， UCE＜UBE，发射结和集电结均处于正向偏置。
三极管放大的基本条件是：集电极反偏，发射极正偏
集电极电位大于基极电位
三极管放大条件
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三极管放大区Vce怎么决定
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这是一个稳压电路，最终输出1.7V(R7上端为+），R6为电源输入端。
二极管LM285-1稳压1.235V.
我理解输出电压通过R7,R8分压传至比较器，来控制V3,形成负反馈，
但不知道V3是工作在放大状态，还是工作在开关状态，
发射机正徧，集电极反偏，应该是放大区，但是放大区Ib与Vce无关，又是怎么控制Vce的呢，
感觉V3工作在开关状态，但是应该是集电极正徧，与图上又不符，
请高手来看一下。
[ 本帖最后由 danfer1 于
07:56 编辑 ]
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不知道为何看不到图。
三极管用于放大，必有负载，Vce由集电极电流和负载以及电源电压共同决定。
[ 本帖最后由 maychang 于
15:08 编辑 ]&
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不知道为何看不到图。
三极管用于放大，必有负载，Vce由集电极电流和负载以及电源电压共同决定。
[ 本帖最后由 maychang 于
15:08 编辑 ]
能看到我传的图吗，难道说V3是工作于饱和与截至区。
饱和区是集电极反偏，图上也不满足呀，
这个类似shunt regulator.
[ 本帖最后由 danfer1 于
15:16 编辑 ]&
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能看到我传的图吗，难道说V3是工作于饱和与截至区。
饱和区是集电极反偏，图上也不满足呀，
这个类似shunt regulator.
[ 本帖最后由 danfer1 于
15:16 编辑 ]
现在可以看到图了。
此图不知道从哪里来的。
三极管集电极或者R7上端是电源正端吗？如果是，那么三极管若饱和将使电源短路，所以不大可能该点是电源正端。如果不是，那么该点若通过电阻接电源正端(图中涂阴影那支&
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现在可以看到图了。
此图不知道从哪里来的。
三极管集电极或者R7上端是电源正端吗？如果是，那么三极管若饱和将使电源短路，所以不大可能该点是电源正端。如果不是，那么该点若通过电阻接电源正端(图中涂阴影那支电阻上端未注明接到哪里)，运放和三极管将构成强烈正反馈，此时三极管确实很可能仅工作于饱和截止两状态。
仅是局部图，不足以说明什么。
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V3该是个开关管，，
发射结正偏，集电结反偏方为放大状态
不过确如楼上所言，电源不是很标明啊
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重新上了图，并详细描述了，请高手给看看
新图携带的信息仍然不够。&
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新图携带的信息仍然不够。
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模拟电子技术_三极管放大作用
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　 c b e e c b 两个条件 （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 IE=IB+ IC IC=βIB IC=αIE 一组公式 三极管放大作用 e c b N P N 　 c b e N P P 共射极连接 放大：发射结正偏，集电结反偏 饱和：发射结正偏，集电结正偏 截止：发射结反偏，集电结反偏 临界饱和 临界饱和（虚线） 4.2
共射极放大电路的工作原理 4.2.1
基本共射极放大电路的组成 基本共射极放大电路
A.核心器件BJT B.偏置电路—提供放大外部条件 C.公共地—各信号电平的参考点 1、必须为电路提供合适的直流电源，一方面建立起合适的 静态工作点；另一方面作为负载的能源，使负载获得需要 的功率。 2、输入信号必须能够作用于晶体管的输入回路，即能够作 用于晶体管的基极和发射极之间。 3、输出信号必须能够作用于负载电阻之上，而且输出电压 大于输入电压，或者输出电流大于输入电流，或者二者均有。 动画演示 动画演示 4.2.2
基本共射极放大电路的定量分析 1. 静态(直流工作状态,也称Q点)
输入信号vi＝0时，放大电路的工作状态称为静态或直流工作状态。
硅管取.7V， 锗管取0.2V。 估算时常忽略 Q（IBQ，ICQ，VCEQ） 求解思路： VBB，Rb
VCC,Rc 4.2.2
基本共射极放大电路的定量分析 2. 动态
输入正弦信号vs后，电路将处在动态工作情况。此时，BJT各极电流及电压都将在静态值的基础上随输入信号作相应的变化。
画交流通路的原则： 1.直流电压源内阻很小，视为短路；电流源内阻很大视为开路。 2.电容视为短路 直流量与交流量常必须共存于放大电路中，由于电抗元件存在， 使直流量与交流量所流经的通路不同，因此为了研究问题方便， 将放大电路分为直流通路与交流通路： 直流通路用于分析放大电路的静态工作点； 交流通路用于分析放大电路的动态参数。 练习：P186 4.2.1 分析各图所示电路对正弦交流信号有无放大作用。 第一步：画直流通路，判断BJT静态工作点是否在放大区域； 如果未给出具体数值，则即定性判断是否发射结正偏集电结反偏。 如果给出了具体数值，则即定量判断相应的电压和电流是否符合要求。 第二步：画出交流通路，从电路角度分析是否具有放大作用。 练习：P186 4.2.1（a） 第一步：画直流通路； 发射结反偏，不能工作在放大区域。 无放大作用 即使静态时，调整电源使三极管满足放大时的偏置，也无放大作用，因为： 输入的交流信号短路没有加入放大电路中。 练习：P186 4.2.1（b） 如果Rb和Rc满足偏置要求则具有放大作用。 练习：P186 4.2.1（c） 第一步：画直流通路 无放大作用 练习：P186 4.2.1（d） VCC极性接反 无放大作用 关于临界饱和 1、是饱和状态和放大状态的交界，既可用饱和时的条件又可应用放大时的公式。 2、如果求得实际的电流IB <IBS,则工作在放大区域；否则工作在饱和区域。 练习P186
4.2.2 S接通位置A: 工作在饱和区域。 如果Rb和Rc满足偏置要求则具有放大作用。 IB 临界饱和 放大 饱和 IB =IBS 练习P186
4.2.2 S接通位置B: 工作在放大区域。 IB 临界饱和 放大 饱和 IB =IBS 练习P186
4.2.2 S接通位置C：
发射结反偏。 工作在截止区域。 练习P186
4.2.2(总结) 用Q点坐标判断 假定电路工作在放大状态，IC＝βIB，根据IC求VCE，判断VCE是否合乎要求。 共射极放大电路
放大电路如图所示。已知BJT的 ?=80， Rb=300k? ， Rc=2k?， VCC= +12V，求： （1）放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？ （2）当Rb=100k?时，放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？（忽略BJT的饱和压降） 解：（1） （2）当Rb=100k?时， 静态工作点为Q（40?A，3.2mA，5.6V），BJT工作在放大区。 其最小值也只能为0，即IC的最大电流为： ，所以BJT工作在饱和区。 VCE不可能为负值， 此时，Q（120uA，6mA，0V），
例题 仍设BJT的 ?=80， 电路中VCC= +12V，求： （3）当Rb=300k时， Rc=5k时放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？ 解: （3）当Rb=3
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