cpu和闪存哪个cpu制造难度

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-07-03 04:57 标签： cpu制造工艺
为什么CPU制程数字越小越好，闪存却相反？
经历了去年以来的内存与显卡涨价，很多人才惊然发现，原来电子产品也会有逆时涨价，原来摩尔定律已经不能左右产品价格。以后电子产品会越来越贵吗？我们该担心什么？
摩尔定律之所以能发挥作用，简单来说是半导体制程不断发展，使得芯片体积越来越小，这带来许多好处：除了制造成本更低之外，芯片性能也得到提升。
半导体制程工艺当前处于10纳米级。芯片中元器件的间距越小，晶体管开关频率就可以更高（更高频率），导通电压可以更低（更低功耗），同一片晶圆可切割的芯片可以更多（成本更低）。不过现在继续缩减线宽遇到了困难，英特尔已经在14nm上停滞了4年之久，迟迟无法跨入10nm工艺时代，更不要说原计划的7nm甚至5nm。现在CPU性能的提升早已从频率提升变更为核心数量的提升上来，不管AMD还是英特尔都在大打核心数量牌，自锐龙上市以来“核战争”趋势更是愈发浓烈。
为了降低难度，英特尔甚至已经准备好了再次制造胶水CPU：CPU核心与显示核心使用10nm工艺，IO与通信部分使用14nm工艺，其余与性能关联较低的部分甚至打算用更早的22nm工艺制造。
核心数量可以成倍提升CPU理论性能，但由于老一辈程序员精心优化程序效能的精神早已被快速开发、快速部署、快速迭代的模式所取代，对于优化程序在多核CPU上运行效率的问题都不是特别上心，所谓渣优化只是顾不上优化的结果：过去三五年开发一代操作系统，现在Windows 10每月一个小版本，每半年一个大版本，连Debug都顾不上，还要应付隔三差五曝光的CPU漏洞修补程序，性能不倒退都要烧高香了。
CPU发展遇到瓶颈的同时，近几年快速发展的闪存存储也遇到同样的制程微缩困局。闪存的制程和CPU差不多，一样发展到了14nm或15nm的级别，再度缩微的机会不大：量子效应导致更多的数据错误，推高纠错成本。与CPU多核化发展不同，闪存的破局之道是3D立体堆叠。去年，东芝首先进入64层堆叠时代，将存储单元从平面扩展发展为垂直堆叠，在制程小幅回退的同时赢得了容量的再度增长机会。
相比CPU多核心发展带来的表面性能增长，闪存3D化带来的好处是实实在在的，64层堆叠3D闪存相比2D平面闪存的存储密度提升一倍以上，而今年年底东芝就将率先进入96层堆叠时代，单颗闪存芯片的容量将突破1TB。
不过，预计在256层堆叠之后3D闪存也将因散热等问题遇到发展瓶颈，解决方式将延续SLC-&MLC-&TLC的闪存发展之路，目前东芝已经发展出QLC闪存技术，通过扩增每个存储单元数据记录能力，使闪存容量延续增长态势。在东芝提出QLC之后，美光和三星也表示要跟进推出QLC，预计最早明年我们就可以在固态硬盘上看到QLC闪存的应用。
CPU核心增多带来多线程优化难题，发展QLC闪存同样会有耐久度疑虑。根据最新的业界预计，QLC闪存将直接以3D制程起步，初期耐久度为150到1000次擦写循环，基本与2D TLC持平。
当然150到1000是一个很大的范围，东芝已经决定以高于TLC的耐久度作为设计目标，预计东芝原厂QLC闪存将拥有1.5倍于2D MLC、3倍于2D TLC闪存的耐用度。选择原厂固态硬盘不但寿命不会缩水，还会比过去更为耐用。
总的来说，CPU性能增长乏力依然会是未来的趋势，而作为新兴PC配件的固态硬盘则依然有很长的时期可以不断提升容量，距离机械硬盘彻底淘汰的一天已经不远了。
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东芝原厂64层堆叠3D闪存
原厂MLC闪存更耐用更安心
今日搜狐热点cpu 跟闪存 都是用的硅片吗？_百度知道
cpu 跟闪存 都是用的硅片吗？
cpu 跟闪存 都是用的硅片吗？
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所有电子元件，芯片多是在硅片上做出来的。
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手机cpu与手机闪存真的没关系吗？就读取速度而言？
我有更好的答案
你去百度下CPU和闪存是什么原理吧
读取速度而言 关系不大
读取速度根硬盘有关系
关系不大？那也就是有关系咯～～～
肯定有，一个大脑和4个大脑一起处理一个问题你说哪个脑袋快
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