学习的脚步
CMOS RAM芯片
在PC机当中，有一个CMOS RAM芯片，我们一般简称为CMOS，这个芯片的特征如下所示
1、包含一个实时钟和一个有128个存储单元的RAM存储器，关机后其内部的实时钟还是可以正常工作的，RAM当中的信息不会丢失
2、这个芯片常保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的芯片，其实CMOS是主板上的一块可读写的并行或串行FLASH芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定
3、又称BIOS存储器，是电脑主板上的一种存储器，用于存储开机、初始化基本设备的信息，由主板BIOS调用其存储资料，最后由BIOS将电脑管理权交给操作系统
4、主板电池是用于记录计算机系统的时间，也就是维持系统时钟的准确性，电量不够时，时间会回到出厂日期，还有记录启动时要用的硬件信息，也就是维持CMOS的BIOS信息。主板电池在我们使用的过程中没有电的情况下是可以充电的。如果主板电池没电了,电脑两天不开机,开机后系统时间不是准确的时间,会回到主板生产的时间,电量不足了,系统时间会变慢,比如现在是日10:00,可能会显示显示的时间是日 9:00,很容易识别.
5、128个字节的RAM当中，内部实时钟占用0-0dh单元来保存时间信息，其余大部分单元用于保存系统配置信息，供系统启动的时BIOS程序读取。BIOS中提供了相关的程序，使我们可以在开机的时候配置CMOS RAM当中的系统信息
6、这个芯片内部有两个端口，端口地址为70h和71h，CPU通过这两个端口来读写CMOS RAM
7、70h为地址端口，存放要访问的CMOS RAM单元的地址，71h位数据端口，存放从选定的CMOS RAM单元中读取的数据，或者要写入到其中的数据，其实CPU对CMOS RAM的读写分为两部分，比如说读CMOS RAM 的2号单元
将2送入端口70h
从端口71h读出2号单元的内容
在CMOS RAM当中，存放着当前的时间：年、月、日、时、分、秒。这6个信息的长度都为1个字节，存放单元为：秒：0，分：2，时：4，日：7，月：8，年：9，这些数据都以BCD码的方式存放，BCD码是以4位二进制数表示十进制数码的编码方法，一个字节可以表示两个BCD码，高4位的BCD码表示四位，低4位的表示的是个位，比如说表示的就是14
没有更多推荐了，BIOS存放在主板的什么地方？_百度知道
BIOS存放在主板的什么地方？
我在网上查阅资料，看到一篇贴子中说，“BIOS是一组固化到计算机内主板上一个ROM芯片上的程序”。
贴子中还说，“BIOS程序就是储存在CMOS存储器中的”，“CMOS是指电脑主板上的一块可读写的RAM芯片”。
我现在还是一头雾水，BIOS到底是存放在哪里？它所存放...
我有更好的答案
BIOS是一个程序，是固化在主板的BIOS&ROM芯片&里面的，它相当于硬件底层的一个操作系统，控制着硬件的工作。&CMOS是硬件，是可擦写的芯片。BIOS是程序，是驱动硬件运行软件，是可以升级的。与操作系统类似的软件。它保存在CMOS里面。和操作系统保存在硬盘里一样。&在BIOS&ROM芯片的容量方面，现在主板上常用的Flash&ROM的容量一般多为1M或2M一直到8M。在486时代，一般只用512KBits的BIOS ROM，从Pentium级以后就主要采用1M Bits的BIOS ROM了，随着BIOS的功能越来越多，支持的硬件越来越多，因此程序码也越来越长，1M Bits的容量已不使用，目前出的主板上大多采用2M甚至8M Bits的BIOS ROM。
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CMOS是硬件，是可擦写的芯片。BIOS是程序，是驱动硬件运行软件，是可以升级的。与操作系统类似的软件。它保存在CMOS里面。和操作系统保存在硬盘里一样。
本回答被网友采纳
BIOS设置信息断电会丢失，是存储在RAM的，BIOS系统文件是存在ROM芯片的。一般在主板边缘有一个长约一厘米的长方形相片，可以拔差。
首先说：ram是流动存储器，断电后资料会丢失。而rom是固态存储容器，像硬盘和U盘一样，是在断电下可以保存资料的。所以呢bios是固化到主板上一个ROM上的程序，它保存着计算机最重要的基本输入程序、系统设置信息、
BIOS是写在主板CMOS芯片上的，可擦写，要不然所谓的刷BIOS怎么可能实现呢！
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本帖最后由 zyphio 于
18:07 编辑
答疑解惑：为什么要把SWAP设置到手机内置闪存中？
（原创首发，转摘请注明作者出处）
今天看到某网友说：“SWAP虚拟内存开在手机会损坏手机RAM，建议还是将SD卡分区，将SWAP开在SWAP分区上”。
我实在忍不住了，先不说RAM在这网友想来是什么，至少不能让“伪专业”来误导广大机友吧！我决定出来“见义勇为”了。
先摆出我的观点——SWAP尽可能设置在手机中。
理由下面再说，先普及一些基本概念和常识纠错。
RAM：随机存储器，速度极快，所存数据断电即丢失，擦写几乎不影响寿命。主要分类是DRAM和SRAM。
DRAM（动态RAM）——PC中的内存颗粒、显卡的显存颗粒、或是硬盘的缓存芯片。
SRAM（静态RAM）——CPU一类处理器集成的一级缓存，二级缓存，三级缓存等，速度比DRAM还要快，但容量很小！
ROM：只读存储器，其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。现在几乎看不到了，其结构只存在某些芯片内部存储品牌型号极少部分结构。
　　如果你玩红白机时代过来的，你拆红白机的开卡带会看到PCB上的“牛皮膏”，那就是ROM，或是有个小透镜的芯片，那叫EPROM（可擦写编程只读内存，紫外线照射那个透镜小孔会清空RAM中的数据），后来就是Pentium时代前后的PC的BIOS芯片大都是可抹除可编程只读内存EEPROM（CMOS在南桥里以只有几百字节的RAM形态存在，所以BIOS芯片不能叫CMOS芯片）。
Flash Memory：闪存，断电数据还能保存。严格来说，闪存是ROM的一种进化形态，但不属于ROM，功能上类似电子可擦除只读存储器（EEPROM），但特性介于RAM和ROM之间。常见于固态硬盘、SD、TF一类的闪存卡、U盘、现在主板显卡BIOS芯片和手机中的内置存储器。Flash Memory结构上有NOR和NAND两大类。
NOR——容量小价格贵，读写方式和功能特性近似RAM。所以NOR闪存适合频繁随机读写的场合，用于读写密集频繁的地方，寿命超长，耐擦写，速度快，效率高。常用于移动设备内部存放运行中的操作系统，或是在PC机中作为“内存”和“硬盘”间的“缓冲”和“加速”部件，替代RAM的部分功能。
NAND——容量大价格便宜，结构功能特性近似ROM。所以NAND型闪存适合存储读写不频繁的场合，我们常用的闪存产品，如闪存盘（U盘）、闪存卡（TF卡、SD卡等）都是用NAND型闪存。而NAND闪存还分MLC和SLC。SLC擦写寿命远远长于MLC，但同体积下SLC容量小于MLC，所以SLC生产成本和市面价格远高于MLC。早期SD卡有些是SLC结构的，目前价格很贵的固态硬盘的介质是SLC闪存，廉价的固态硬盘无一例外采用MLC闪存作介质！特别是现在SD卡和TF卡都是向着超大容量方向发展，都是MLC类型的NAND。
在现代计算机的奠基者——冯·诺依曼提出的“程序内存”思想（现在电脑手机都是基于此设计的）中，“内存”是相对于“外存”存在的，“内存”和“外存”可相互模拟，虚拟内存、SWAP、分页文件、Readyboost技术就是以外存模拟内存！而我们把32位系统无法访问的超过4GB部分的内存模拟成一个硬盘来保存临时文件，这就是内存模拟外存。同样，手机中的内存是指RAM，而常说“内部存储”其实是“外存”。
SD卡和TF卡这种严格上不叫“内存卡”（RAM CARD），而是应称作“闪存卡”（Flash Mormery Card），因为汉字“内”和“闪”字形上的接近，加上国人浮躁地误看误用，已经约定俗成把“闪存卡”读写作“内存卡”，就连某些计算机杂志和计算机专业大学老师学生都会搞混。严格来说，“内存卡”实际上应是指PC机中的“内存条”，我们只要搜索一下英文“RAM CARD”，你会发现是指插在主板上的“内存条”。
现在手机、电脑中几乎没有硬件形态上独立存在ROM，只有RAM和FLASH MEMORY，其中有一部分FLASH MEMORY逻辑上不许常规读写的，近似ROM功能！！
好，言归正传，我说“SWAP尽可能设置在手机中”的原因——
以ZTE-V880这款手机为例，国行版的拆机可知，其采用三星MCP（multi-chippackage，多芯片封装）K524G2GACB，集成256MB RAM和512MB Flash Memery（没有ROM哦）。
为什么是MCP？因为要节省成本，减小体积啊！现在主流手机大都是这样的。
从容量我们可看出，256 RAM就是“物理内存”，就是在系统中我们可以看到166MB“运行内存”。而512MB Flash Memery就是“内置存储”空间，系统里非全部可见。
好，关键是这一体芯片中512MB Flash Memery是什么结构的呢？根据手机“内部存储”要频繁读写这一要求，相信聪明的你已经猜出个一二了，而查询三星关于K524G2GACB芯片的资料可知，（这里更正一下，资料查询有误，我手头拿到资料K5N5629ABA，这个才是NOR FLASH MOMERY），K524G2GACB的构成是NAND(4Gb)+MDDR(2Gb)！也就是不含NOR！但没显示NAND的类型是MLC还是SLC，从价格高、容量小、体积大的角度判断，极有可能是SLC，也至少比MLC的TF卡在寿命、速度方面来得有优势，也就更适合SWAP。而我之前基于NOR的观点也不成立，特此删之！非常抱歉！
另外，SWAP技术严格不算是在直接增加运行内存，加上LINUX内核在管理运行内存、管理SWAP的优化，SWAP的容量也不宜太大，64MB－128MB就可以了，除非极端应用或特殊情况，至少在运行Android现时版本，且内部存储空间较少的手机上是如此。以我的ZTE－V880手机为例，刷了精简过的CM7（Android 2.3操作系统），/system分区有80MB左右的剩余空间，其下面再生成64MB大小的swap.img并启用，在提升NFS13和PES2011游戏的流畅性方面效果显著。
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&继续调查，发现android默认确实是不支持swap的，要想打开swap还需要编译的时候修改参数。
其实android使用了另外一种内存管理方式，也就是说当物理内存不足时，不是把不用的进程数据移走，而是发送信号后将其杀掉以空出内存，并且android程序在编写的时候一般都会接收这种信号，保存一些关键数据，并且在下次开始活动的时候恢复数据，这样看上去就可以像是从来没有死过一样了。当然，对于不具备大量高速外存系统的手机来说，使用这样的策略可能才是明智的。而且用sd卡上的swap还会带来更严重的问题：手机使用中一旦把sd卡卸载了，swap不可使用，系统岂不是会崩溃了？除非卸载之前先停止swap。
然后，著名的cyanogenmod还提供了上述两种之外的另一种解决方案，被其称之为Compcache。其实这种方案类似于swap，只是不是使用sd卡，而是对本来应该放入swap的数据进行压缩之后“换出”到内存的特殊区域中，当需要被“换入”的时候再进行解压。这样虽然占用了一部分内存，但是速度应该比访问sd卡快的多了。只是对于milestone这种内存只有256M的机器来说，物理内存又减小了，运行大型程序的时候更累了。。。（关于Compcache及swap的更多信息可以参考：）
每种方案都各有利弊，具体哪种好呢？还是要视实际情况而定吧。比如如果希望同时运行较多任务，对任务切换的速度不敏感，或者有class6的sd卡，可以用基于外存的swap。如果既希望运行较多任务，对速度敏感，本身机器内存也比较大，或者不需要运行大型程序，那么可以尝试Compcache。如果机器内存本身比较小，但是又希望运行大的程序，或者不想搞来搞去烦人，那就老老实实用android的默认策略吧。
milestone如果用了Compcache会怎么样呢？呵呵，有点想试试了，还好cyanogenmod最近也出了用于milestone的版本，虽然还是测试版，网址如下：&
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swap分区不宜过大，因为sd卡的读取速度实在太慢，设置太大的话，会有太多数据滞留在卡内，拖慢慢系统速度。笔者曾经就设置过288mb的swap，应用程序是很少关闭了，但使用时间一长，会导致机器卡到完全无法操作，因为太多数据滞留在SD卡里，SD卡的读卡速度是系统的最大瓶颈，这时必须手动关闭程序释放内存才能正常使用，这样就得不偿失了，所以大家还是要按照自己的使用需求，合理设置swap大小和swappness的数值。
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“对于MCP芯片市场，上次已经介绍了主要是应用在一些手持类和通讯类电子产品，随着DRAM和NAND FLASH的工艺的升级，随之而来的就是成本的降低，越来越多设计人员会考虑ND MCP,毕竟DRAM+NAND架构的MCP性能要优于NOR +PSRAM架构的相关产品，对于目前手机行业的迅猛发展，手机就像一步电脑，对于其操作系统的速度和兼容性都提出了很高的要求，所以目前ND产品已经在大大小小的手机厂商中广泛应用，对于NOR构架的MCP来说，256M以上的NOR FLASH生产成本会非常昂贵，基本可以说以256+64的NOR产品为一个分界点，如果再大容量的产品，设计师和采购都会选用ND产品，……”
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楼下：“楼主还是在推断....”
确实只能推断，早些时候资料查错了，以为是NOR，后来核实时发现是NAND，但不知是SLC还是MLC。限于时间精力，目前找不到相关的资料，你有没有这方面的信息？
至于推断有：
1.MLC现在价格极相对SLC可谓低了很多！MCP提高容量时其生产的边际成本是比较低的，而三星还在力推这种低成本MCP芯片时容量却依然这么小，SLC价格上比MLC贵，因为贵所以MCP里集成的闪存不多，所以说有相当可能是SLC技术的。三星有其它款MCP，闪存容量很大，所以MCP是4GB NAND以上的我反倒有可能相信其为MLC类型！
2.三星是SLC技术的主导，虽然目前NAND技术以MLC为主流，虽说以后有可能发展到与目前SLC一样的技术指标，但目前SLC还是有其存在的价值。
至于SWAP开在哪，反正Android系统不推荐或者说默认是没有SWAP的，再加上手机现在不说一年一换，一季一换的大有人在，SWAP所引起的介质损耗意义可能也不大了！我们又不是因为对技术细节感兴趣，才不纠结这个问题哩，所以在此提出，权当理论上的讨论，至于实践上，爱把SWAP开在哪就开在哪，自己觉得快就行嘛，最好是物理内存足够大不用SWAP。
一篇关于三星NAND和NOR技术的文章：
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评分 技术 +1 点我支持楼主！因为本身/data/local、/cache都是要频繁读写的。所以把swap开在/data或者/system中是没问题的。
谢谢，这个想法和理由倒也是……确实这两部分就是要频繁读写的……
楼主很赞！赏波666
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安智有您更精彩
分析得很清晰、很详细、很专业。
更改re文件开内置swap110m。比在sd卡上要快.
但还是很佩服楼主
受教了，楼主是人才
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这个很有理论高度啊，有空要好好学习研究一下
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安智有你更精彩
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支持扫盲教育~~：）
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支持& && && & 现在好像要换rom才行啊& &
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真的吗？小V的Flash Memery真的是NOR结构的？{:258:}
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今天学到很多东西
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谢谢支持！
这论坛顶帖的质量高！
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非常有用的知识帖。顶！！！
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内存里会不会更省电？
智友大技师
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本文介绍BIOS与CMOS区别，BIOS是什么？BIOS全称Basic Input/Output System，所以BIOS本身个是系统简称，所以我们常说的BIOS芯片确切的讲是写有BIOS系统的芯片；而CMOS又是什么呢？CMOS则是主板上的一块可读写的RAM&芯片，所以这两者之间本来不是平级的关系，只是名称太相近容易混淆。所以，从功能上看，BIOS完全在逻辑上控制CMOS（RAM）。
一、为什么不把CMOS设置写到BIOS里
CMOS是BIOS使用的一块内存，BIOS只是固化在ROM的一套程序指令，但缺省的计算机设置（每台微机的硬件配置可能不同因而未必相同）信息按照功能上设计就交给RAM来临时存放了。那么既然BIOS也能刷新，那为什么不可以直接把CMOS设置的信息直接写到BIOS里呢？
理论上是绝对可以的，那样甚至可以省略一个CMOS芯片。但别忘了，如果BIOS写失败了会出现什么结果？如果在写BIOS过程断电了呢？可能会导致BIOS整个程序损坏，计算机无法启动，也无法，只能维修了。这样大家就会明了为什么一定要把临时配置信息写到CMOS的内存里头，然后加个电池持续供电让其信息不丢失。
还有一个原因，关机后时钟的持续刷新也同样需要CMOS环境，直接编程刷新ROM或E2PROM甚至是同样会面临某些问题。
二、为什么用RAM而不用ROM
那为什么不把CMOS的RAM换成ROM（当然现在FLASH已经有代替ROM的趋势了）呢，那样不是可以少个电池成本嘛？可能有如下原因：
1、是ROM的成本比RAM高，而且周边硬件设计还需要一些配套ROM的编程电路，这样成本会增加很多，并且现在很多处理芯片在搭配RAM上可以说直接挂上而基本不需要什么单独的驱动电路，使用RAM更加方便。
2、BIOS在使用上是把CMOS的RAM部分区域当成自己的内存使用，如果更换成ROM那就更加不合理，尤其是时钟的连续更新（就是计算机的日期时间虽然关机，但是时钟电路仍然在工作，这样无论何时启动机子时间都是基本正确的）。
三、如果把CMOS电池扣掉会如何
如果扣掉，那么系统时间和及BIOS修改设置都将失效，比如中断号配置修改，禁用设置等等，系统启动就依靠BIOS的初始值做出厂设置的工作（自检等），现在的主板在电路设计上，即使扣掉电池，只要一上电，系统会自动切换到现有电源上，就像CMOS已经供电一样，可以进行BIOS设置，并且重启信息不丢失（新主板关机不关电源，主板部分电路仍然上电）。但是如果总电源切断，肯定所有配置信息都将丢失。每次完全断电重启，系统时间都会回到出厂设置时间，相关配置也回到出厂默认状态。
即使不扣掉电池，CMOS的电池没电了，一样可能导致信息设置丢失，CMOS的电池电力不足将会导致CMOS的电路工作异常甚至是丢失已配置的BIOS数据，最常见的时钟电路工作异常可能导致时间和日期紊乱，出现变快或变慢现象。时间紊乱可能会导致操作系统及应用软件工作异常出错甚至系统崩溃现象，这时候就需要更换新的CMOS电池了。
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两周内自动登录flash RAM是什么意思??????_百度知道
flash RAM是什么意思??????
我有更好的答案
是说的主板Flash RAM，近年来Flash 全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位。因为相较ROM而言，Flash有成本低，容易改写等优点。
目前Flash主要有两种 NOR Flash 和 NADN Flash 它们在应用上有所不同因此也用于不同的场合。 其实就是闪存，可以存储CMOS信息，CMOS RAM就靠那块电池供电呢，那块圆形电池通常叫做纽扣电池，因为CMOS的功耗很低，小电池可持续供电，当关机时可以保存CMOS中存储的电脑信息，如系统的日期和时间，主板上存储器的容量，硬盘的类型和数目，显卡的类型等参数
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