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你可能喜欢P沟道增强型场效应管的G,S(源极),D的接法及导通条件_百度知道
P沟道增强型场效应管的G,S(源极),D的接法及导通条件
做一个16*16*16LED光立方，层共阴，想用场效应管做层驱动，那么层流出的电流是接到S还是D呢,然后导通的条件是怎样的。还有流过的电流怎么控制大小，毕竟单片机接只能输出固定的高/低电平给G极，层电流应控制在2.5A到5A。如何实现以上
我有更好的答案
场效应管的导通条件为VGS的电压，而非G极电压，如果用P沟道的MOS，S级需要接比G极高的电压。流过电流的大小可通过限流，稳压控制，用单片机控制场效应管我建议还是用N沟道的MOS比较好，因为单片机控制低电平控制PMOS时，S极的电压只要只要大于0V，容易使MOS导通。
采纳率：81%
p沟道g极低电平时导通，高电平截止。控制电流就难了。
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P沟道增强型场效应管的G,S(源极),D的接法及导通条件@_@15
提问时间： 00:20:26
做16*16*16LED光立层共阴想用场效应管做层驱层流电流接SD呢,导通条件流电流控制毕竟单片机接能输固定高/低电平给G极层电流应控制2.5A5A何实现
浏览次数：2183
　　接触器：是用在主电路系统上，控制单一设备，如某台电机，也是一种开关，但它能被控制，如用继电器控制，适合作频繁动作，但一般容量比较小，没有保护功能，事故时不能自己跳闸； 　　断路器：也是用在主电路系统上，即可控制单一设备，又可控制多个设备，但不适合频繁动作，容量可作的很大，有保护功能，事故时能自己跳闸； 　　继电器：是辅助电路上的，不能通过大电流，是典型的&小&东西控制&大&东西。继电器种,电路要与执行器件共同组合才行,比电流继电器,检测电流超整定值,发关信号,本身能断主路,控制能力较差,触额定电流般5A左右,必须信号送给执行器件,比交流接触器,由六流接触器控制主路通与断. 断路器额定电流都,能直接控制主路通断,检测电路断路器内部,某参数超整定值,自电路给切断. 给点吧,打字手都累!@_@继电器 要控制线路才能起通断作用直接接入电路永远都导通 断路器 直接接入电路起关作用@_@兄弟你真抠啊．没分不告你！
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的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）&& 开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速...
的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通...
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在做产品的时候对mos管的短路保护很重要，最简单的办法就是加可恢复保险丝，但是这样一来会大大的加重生产的成本，对于量产的产品来说可是非常大的支出。
方法一、现在又很多单片机已经带有ad采集：
方法二： 直接检测单机io口的高低电平
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1、芯片发热
本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法...
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　　本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗...
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MOS管资料下载
MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动...
0922MOSFET及MOSFET驱动电路总结在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
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开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；②
RCD中的二极管正向导通时间...
现场可编程门阵列(FPGA)是一种可实现多层次逻辑器件。基于SRAM的FPGA结构由逻辑单元阵列来实现所需要的逻辑函数。FPGA中，互连线资源是预先定制的，这些资源是由各种长度的可分割金属线，缓冲器和．MOS管实现的，所以相对于ASIC中互连线所占用的面积更大。为了节省芯片面积，一般都采用单个MOS晶体管来连接逻辑资源。MOS晶体管的导通电阻可以达到千欧量级，可分割金属线段的电阻相对于MOS管...
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2.1.功率MOSFET的结构
功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical [pic]MOSFET），大大提高了MOS...
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只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS 管是横向导电器件，功率MOSFET 大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力。按垂直导电结构的差异，又分为利用V 型槽实现垂直导电的VVMOSFET 和具有垂直导电双扩散MOS 结构...
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，而电动车的输入电压范
围为12-85V，这就需要有一个降压恒压模块来完成这个功能，GSM 通讯模块所
需稳态工作电量约为20-50mA，而当定位器开启定位时，GSM 通讯模块进行搜
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森利威尔电子优势推出8-120V款输入电压降压芯片芯片SL3036(内置MOS管)SL3036D(内置MOS管)SL3036H...
本帖最后由 qwqwqw2088 于
10:20 编辑
& && & MOS管击穿损坏的几种情况，分别为雪崩破坏，器件发热损坏，内置二极管破坏，由寄生振荡导致的破坏，栅极电涌、静电破坏。下面让我们一起具体了解下吧~
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光耦驱动mos管打开 给线圈通过2组超级电容 放电从电容正极通过线圈到mos管d级到s级回到电容负极& &mos管栅极通过外加12v电源到s级 通过二极回到系统gnd& & 现在是可以打开无法关断&&不知道这样可以用吗&&超级电容一个电源&&外部控制栅极电压一个电源 怎么改进下&nbsp...
一、MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道...
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MOS管双向流通电流问题
本帖最后由 maychang 于
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[quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2380352&ptid=650158][color=#999999]shaorc...
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%， 且最高工作频率可达 1MHz。
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AP5163 特别内置了一个 LDO，其输出电压为 5V，最大可提供 5mA 电流输出，外置MOS管。
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高端电流检测
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本帖最后由 stm32f103vct6 于
10:14 编辑
现象:&&开关电源通过二极管通过PMOS管向蓄电池充电，当开关电源断开，蓄电池电流反向流向负载，但是发现这以后PMOS管无法控制了，G极即使不加电压，这个电流通道变成一直存在了,S--&D 、 D--&S都可以流过电流。设计本意需要反向电流工作的。充电时候电流从S到D，开关电源...
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