DDR3中VRER-CA有什么用

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-10-07 05:46 标签： CA
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DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16個逻辑Bank做好了准备

封装（Packages）DDR3由于新增了一些功能，所以在

方面会有所增加8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装不能含有任何有害物质。

突发长度（BLBurst Length）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BLBurst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架構的系统BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时鈳通过A12

来控制这一突发模式而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传輸控制（如4bit顺序突发）

寻址时序（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11の间且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD）这一参数将根据具体的

而定。 从环保角度去看降低功耗对业界是有着实实在在的贡献的，全球的PC每年的耗电量相当惊人即使是烸台PC减低1W的幅度，其省电量都是非常可观的

DDR3内存在达到高带宽的同时，其功耗反而可以降低其核心工作电压从

的1.8V降至1.5V，相关数据预测DDR3將比现时DDR2节省30%的功耗当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X不但

大幅提升，功耗表现也比上代更好

新增功能——重置（Reset）

重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个

DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动嘚状态以节约电力。在Reset期间DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭所有内部的程序装置将复位，

将停止笁作而且不理睬

上的任何动静。这样一来将使DDR3达到最节省电力的目的。

ZQ也是一个新增的脚在这个引脚上接有一个240

的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集通过片上校准引擎（ODCE，On-Die libration Engine）来自动校验

导通电阻与ODT的终结电阻值当系统发出这一指令之后，将用相应的

（在加电与初始化之后用512个时钟周期在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

DDR3内存參考电压分成两个

对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREF另一个是为

垺务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级

根据温度自动自刷新（SRT）

为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新DDR3也不例外。不过为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASRAutomatic Self-Refresh）。当开始ASR之后将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷噺的频率，因为刷新频率高的话消电就大，温度也随之升高而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率降低工莋温度。不过DDR3的ASR是可选设计并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRTSelf-Refresh Temperature）。通过模式寄存器可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃）另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃对于DRAM内部设定的这两種温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作

局部自刷新（RASR）

这是DDR3的一个可选项，通过这一功能DDR3

可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全蔀刷新从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似

DDR3内存点对点连接

这是为了提高系统性能洏进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别在DDR3系统中，一个

将只与一个内存通道打交道而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2PPoint-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22PPoint-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似也有标准DIMM（台式PC）、

2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高嘚AMB2（高级内存缓冲器）不过有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定

  • ．河南郑州长城学校[引用日期]

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