有三极管怎么分析三级管最简单电路图解，原理

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-10-08 09:38 标签： 三级管最简单电路图解

h桥电路分析方法:帮分析一下这几只三极管组成的H桥电路有图

摘要： 帮分析一下这几只三极管组成的H桥电路有图 电路应该画错了，PNP管的偏置不正确，不能，应该是发极、集电极互换；如此，则控制点A、C可以并联为E点，B、D并...

答：a点和c点作分析点，a高 c低：Q1、Q1导通，b点为高电位，d点为低电位，电流由b->d；c高 a低：Q1、Q1导通，d点为高电位，b点为低电位，电流由d->b；这就是H桥...

问：帮分析一下这几只三极管组成的H桥电路有图
答：电路应该画错了，PNP管的偏置不正确，不能，应该是发极、集电极互换；如此，则控制点 A、C可以并联为E点，B、D并联为F点，同时E、F信号互为反相；这样就能...

答：注意上下三极管的质不同（上面npn，下面pnp），连在一起保证了互锁，不会全部导通。

问：电路中的H桥是什么电路了
答：上图是“H”桥电压检测电路。是用于精度测量的桥电路。顶部开关是用来校正电路电流表平衡的。调整靠电位器。提问者评价谢谢！

答：常用H桥集成电路 L内置两个H桥，每个桥提供1A的额定电流，和最大A的峰值电流。它能驱动的马达一般是不超过毫米胶卷筒大小。L内置两个H桥，每个...

问：H桥电路问题现在小弟的H桥电路已经搭好，电路板也已经做好，mos管用的是，mos管驱动是用...
答：这是电路输出功率达不到负载功率，也就是电路的输出电流远远小于电机的额定电流所造成。

问：这个三极管H桥电路有问题么？1可以换成么？有什么影响？
答：1是高反压大功率电源开关管，有啥配不配对的问题？而、原是小功率功放管，故而需配对。没有!没。1是耐的三极管，pnp的

问：有没有人懂电机H桥驱动电路的啊？帮忙看一下怎么提高这个桥的输出功率。谢谢。
答：三极管、分别用场效应管IRF、IRF替。元件参数可能要修改一下，试验中调整。

问：如何用IG搭建H桥？我想用IG搭建一个H桥来驱动直流电机（小型的，额定电压.V左右），实现正反转...
答：从我的观点看，驱动“直流电机（小型的，额定电压.V左右）”并不需要IG管，只要功率MOS管足够了。我常用的MOS管型号（能低->高，当然->高）：L...

问：模拟电路分析 A点输入高电平，B点输出什么电平，1K电阻起什么作用，怎样学好模拟电路分析，在...
答：B点电平为高电平，1K电阻的作用有防止三极管误导通，在高频开关时对结电容放电以加快速度.学模拟电路先认识基本的元器件原理与作用，对分析电路很有帮助的，...

问：IR11驱动H桥直流电机的问题请问我设计的电路图连完直流电机转一下就停了是这么回事，麻烦大家帮我分析下，...
答：SD用什么信号？两片的高低输入是否应该交叉？

问：电路分析 A点输入高电平，B点输出什么电平，1K电阻起什么作用，怎样学好模拟电路分析，在...
答：1.找一本自己看得懂的电路学把直流电与电阻的最基本题弄懂.再挑战下一关的最基本题:交流电与电容.有了1,应该就可以开始看得懂电路方面的了,也可以...

问：电路分析法中，各种方法的适用条件是什么，哪个定理使用范围最...如题，其中包含但不限于的定理有，节点电压，回路网孔，叠加定理，戴维南，诺顿...
答：条件是必须是线电路。可以想一下，对于非线电路，电压与电流之比不是固定的比例，叠加原理等就都不能用了。

问：桥式整流电路如图这种情况为啥选c?不是有电容应该.Ui的嘛？还有一种情况是电阻RL这里是...
答：请注意这里的负载并没有接入到整流桥的回路中，这时电容上的电压将充至正弦的峰值1.1U（这里的U是Ui的有效值），也就是1V。接入负载后才是.Ui。

我是个小小初中生~~~
所以三极管神马的几乎一窍不通。
求各位大侠提供一个最简单的三极管应用电路。
用直流电源（1.5V到9V都可以）、9018三极管（其他的也无所谓，但是我得再买）、发光二极管制成的（当然电容电阻什么的也可以）
但是！重点在于一定要简单易于理解！
放大电路振荡电路都可以。

"晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件"

在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。

广义上，三极管有多种，常见如下图所示。

狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。

本文所述的是狭义三极管，它有很多别称:

晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。

真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。

二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。

早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。

经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。

小功率三极管一般为塑料包封；

大功率三极管一般为金属铁壳包封。

可以是NPN组合，也或以是PNP组合

由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！

NPN型三极管结构示意图

硅NPN型三极管的制造流程

发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小;

基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低;

集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。

三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！

工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。

三极管电流控制原理示意图

外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。

集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。

UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；

UBEUBER时，三极管才会启动；时，三极管高绝缘，ube>

UCE增大，特性曲线右移，但当UCE>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。

基极电流IB一定时，集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线，是一组曲线。

当IB=0时, IC→0 ,称为三极管处于截止状态，相当于开关断开;

当IB>0时, IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来;

当IB很大时，IC变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。

放大功能：小电流微量变化，在大电流上放大表现出来。 

开关功能：以小电流控制大电流的通断。

例：当基极通电流IB=50μA时,集极电流:

微弱变化的电信号通过三极管放大成波幅度很大的电信号，如下图所示：

所以，三极管放大的是信号波幅，三极管并不能放大系统的能量。

哪要看三极管的放大倍数β值了！

首先β由三极管的材料和工艺结构决定：

如硅三极管β值常用范围为：30~200

锗三极管β值常用范围为：30~100

β值越大，漏电流越大，β值过大的三极管性能不稳定。

其次β会受信号频率和电流大小影响： 

信号频率在某一范围内，β值接近一常数，当频率越过某一数值后，β值会明显减少。

β值随集电极电流IC的变化而变化，IC为mA级别时β值较小。一般地，小功率管的放大倍数比大功率管的大。

三极管性能参数较多，有直流、交流和极限参数之分：

无交变信号输入，共射电路集基电流的比值。β=IC/IB
无交变信号输入，共基极电路集射的比值。
基极开路，集-射极间反向电流，又称漏电流、穿透电流。
射极开路时，集电结反向电流（漏电流）
共射电路，集基电流变化量比值：β=ΔIC/ΔIB
共基电路，集射电流变化量比值：α=ΔIC/ΔIE
β因频率升高3dB对应的频率
α因频率升高而下降3dB对应的频率
频率升高，β下降到1时对应的频率。
集极允许通过的最大电流。
实际功率过大，三极管会烧坏。
基极开路时，集-射极耐电压值。

温度对三极管性能的影响

温度几乎影响三极管所有的参数，其中对以下三个参数影响最大。 

（1）对放大倍数β的影响：

在基极输入电流IB不变的情况下，集极电流IC会因温度上升而急剧增大。

（2）对反向饱和电流（漏电流）ICEO的影响：

ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。

虽然常温下硅管的漏电流ICEO很小，但温度升高后，漏电流会高达几百微安以上。 

（3）对发射结电压 UBE的影响：

温度上升，β、IC将增大，UCE将下降，在电路设计时应考虑采取相应的措施，如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。

功率越大体积越大，散热要求越高。
贴片式正逐步取代引线式。

不同的国家/地区对三极管型号命名方式不同。还有很多厂家使用自己的命名方式。

中国大陆三极管命名方式

X：低频小功率 G：高频小功率 D：低频大功率 A：高频大功率

日本三极管型号命名方式

美国电子工业协会（EIA）三极管命名方式

三极管封装及管脚排列方式

三极管设计额定功率越大，其体积就越大，又由于封装技术的不断更新发展，所以三极管有多种多样的封装形式。

当前，塑料封装是三极管的主流封装形式，其中“TO”和“SOT”形式封装最为常见。

不同品牌、不同封装的三极管管脚定义不完全一样的，一般地，有以上规律：

规律一：对中大功率三极管，集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连，多处于基极和发射极之间；

规律二：对贴片三极管，面向标识时，左为基极，右为发射极，集电极在另一边；

考虑三极管的性能极限，按“2/3”安全原则选择合适的性能参数。

当 IC>ICM时，三极管β值减小，失去放大功能。

PCM集极最大允许功率。

集-射反向电压UCE:

UBVCEO基极开路时,集-射反向击穿电压

集/射极间电压UCE>UBVCEO时，三极管产生很大的集电极电流击穿,造成永久性损坏。

随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1 时的频率?T叫作三极管的特征频率。

此外，还应考虑体积成本，优先选用贴片式三极管。

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