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【山东佳龙金属材料有限公司】目前拥有：正品60SI2MN钢板、60、90穿孔机、冷拨生产线3条，热轧生产线一条，20、30、40、60、80、120、180轧机共12台，并拥有专业退火炉两台，主要生产外径10mm—273mm，壁厚1-20mm准确无缝钢管；两条为325mmASSRL轧管机，系国内较大的三辊轧管机，采用芯棒预穿和限动小循环，三级计算机控制的自动化系统，均达到国际先进水平，主要生产外径133mm—1020mm，壁厚16mm—300mm，外径精度±0.5%,壁厚精度±5%准确无缝钢管。钢管装备优良，准确无缝钢管技术力量雄厚，生产工艺先进，检测手段齐全，生产的冷轧准确管系外表光滑、壁厚均匀、无氧。

需要注意陶瓷胶不能够在湿度太大的环境用于金属表面粘接使用，尤其是雨季或闷热的夏季，应在打磨金属表面后立即涂胶，以避免生锈。后程序就是把衬板与溜槽母体用特制的落霜拧紧即可。经过这样不断实践改进后运用的先进安装工艺安装之后，溜槽在使用过程中延长了使用寿命，降低了生产过程中的维修成本，节约了生产时间且提升了采矿效率。。

2021年以来，太钢集团引进本科及以上高素质人才439名，其中硕士研究生以上76名；社会招聘成熟型人才239人。越来越多的青年才俊加入到太钢这个大家庭，既有优厚待遇的吸引，更有干事创业的召唤。在“鼓励创新、宽容失败、对守成”的氛围中，一大批年轻人找到了自己的用武之地。。
弹簧钢板：正品60SI2MN钢板激光定制切割联系方式 2022已更新(今日/推荐)用途。合金弹簧钢主要用于制造各种弹性元件，如在汽车、拖拉机、坦克、机车车辆上制作减震板簧和螺旋弹簧，大炮的缓冲弹簧，钟表的发条等。2。。一、13MnNi6-3钢板是承压设备用镍合金钢板，13MnNi6-3：2009，数字号：。【13MnNi6-3舞钢又订尺订轧#李丹152**】二、13MnNi6-3尺寸、外形、重量及允许偏差钢板的尺寸、外形及允许偏差应符合EN-1中2007+A1：2009的要求。三、13MnNi6-3交货状态钢板通常以正火或正火加回火状态交货。钢板应以剪切或用火焰切割交货四、13MnNi6-3化学成分13MnNi6-3钢的化学成分（熔炼分析）应符合下表的规定（％）。表113MnNi6-3化学成分要求CSiMnPSAlNbNiV≤≤≤≤≥≤≤五、13MnNi6-3机械性能13MnNi6-3的力学性能和工艺性能能应符合下表规定：13MnNi6-3力学性能要求（适用于横向）牌号规格屈服强度（MPa）抗拉强度（MPa）延伸率A(％)13MnNi6-3≤30≥≥2230-50≥50-800≥七、13MnNi6-3冲击功值钢牌号产品厚度在下列试验温度时的冲击功值（KV/J）方向200-20-40-50-60-80-100-120-150-170-19613MnNi6-3≤80纵向------横向--。。热处理特点。根据弹簧尺寸的不同，成形与热处理方法也有不同。a）热成形弹簧钢。。用于制造纸浆和造纸工业的蒸煮器和漂白池3。烟气脱硫系统中的吸收塔、再加热器、烟气进口挡板、风扇（潮湿）、搅拌器、导流板以及烟道等4。用于制造应用于酸性气体环境的设备和部件5。乙酸和乙酐应发生器6。硫酸冷凝器。。

本次交流的主题是学在第34次集体学习上的讲话，通过学的讲话，深刻领会数字经济的迫切性、数字经济对发展的深刻影响以及未来数字经济发展的基本的方向。我在这里抛砖引玉，谈几点自己的学习体会。
一、理解关于数字经济讲话的精神
（一）如何认识数字经济发展的迫切性指出，数字经济发展迫切性有三个维度。即速度，广度，深度。首先是速度，即“数字经济发展速度之快”。数字经济的发展速度是整个经济发展速度的三倍之多。放眼，去年经济负增长，但数字经济还是保持正增长。第二抒度，即“数字经济辐射范围之广”。从广度来看，上到的航天宇宙的科学，下到传统的餐饮业如美团外卖，都需要数字化支撑。第三是深度，即“数字经济产业渗透之深”。从影响深度来看，数字化的元素渗透到整个产业的全流程。（二）如何认识数字化对发展的影响深远在讲话中指出，数字化对发展的影响非常深远。数字经济的发展对未来的发展都具有非常大的影响，而且这种影响是具有性的。这一方面也包含三个维度，即数字经济
的发展正在成为重组要素资源、重塑经济结构、改变竞争格局的关键力量。重组重塑和改变，不是原有的经济结构上的修修补补，也不是原有资源要素上的一个增减，更不是原有的经济结构上的一种完善，因而要重塑、要变革、要重组经济发展格局。所带来的冲击力也是百年未有之大变局中间的一个非常重要的特征。（三）把握发展数字经济的目标对未来数字经济的发展提出了非常明确的方向。他指出未来数字经济发展包括三个方向，一是促进数字和实体经济的深度融合；二是要赋能传统产业转型升级；三是催生新的产业、新的业态、新的模式。我们要深刻理解，从在讲话中间进一步理解数字经济发展的迫切性、它的重大的影响力以及它的发展方向，并将其作为指导我们在物流和供应链领域中间开展数字化的一个顶层引导。通过学习，我们要加深对三个主题的认识是把握数字经济发展的基本阶段、发展的现状和发展的趋势，明确物流和供应链数字化的战略。第二个是物流和供应链的数字化的价值所在。第三个主题守于联合会如何推进数字化工作的思考。
二、数字经济是重构经济发展与治理模式的新型经济形态
数字经济重构经济发展与治理模式的新型经济形态。有几个要素需要把握。首先需要明确数字经济是生产要素。以后，同志提出科技是生产力，科技是一个新的生产要素。现在开始将数字作为一种新的生产要素。所以现在的生产要素包括五个方面，就是劳动力、劳动条件（生产工具）、土地资源、和数字。其次数字要成为生产要素，必须要有赋能，这个就是数字和现代网络。数字要与实体经济的深度融合。信息可以作为一个产业去它，但是数字化不能仅仅为一种产业。数字经济更多的是数字和各类的产业进行深度融合以后，通过数字的生产要素所创造出的价值。数字经济的本质是和实体经济进行深度融合与共生的。只要产生一个经济行为，就会同时产生一组数字。数字经济的目标是加速重构经
济发展和治理模式的新型经济形态。重构经济发展。从物流来讲，就是要重构物流的组织模式。
重构模式，更重要的是重构治理模式。推动数字经济包括四个维度。除了我们比较熟悉的数字产业化和产业数字化以外，还有数字化治理和数字的价值化。个维度是数字产业化。数字产业化就是指信息通讯业，也就是说能够促使数字的形成、数字的积累、数据的存储、数据的交换、数据的处理等等这些所形成的产业，包括通讯设备的制造、电信业、软件开发、互联网等等。第二个维度是产业数字化。产业数字化是数字经济发展的主阵地，是数字化和各行各业的融合，是我们未来物流与供应链要推的数字化进程的一个根本所在。第三个维度就是数字化的治理，数字化的治理它实际上是分成两个方面，一方面是对数字经济发展过程中对数字本身的治理。更关键的是通过数字化对、社会乃至经济甚至家庭的一种治理。第四个维度是数字的价值化。
数字价值化包括三点。是数字资源化，数据要形成资源。第二是数字资源变成数字资产。第三是要形成资本，也就是数据资本化、化。
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三、数字经济发展正在由初级阶段迈向高级阶段
我国数字经济发展的进程分为四个阶段，萌芽期，高速发展期，成长期，以及转型升级期。1994年到2002年是萌芽期。这个时期的数字化就是新浪、搜狐、网易等等。第二个阶段就是高速发展期， 2003年到2012年。这一时期数字经济主要发展的形态就是电子商务。商品的电子商务平台开始涌现，物流车货匹配的电商平台也开始应运而生，物流的数字化开始起步。第三个阶段我们叫成长期， 2013年到2019年。这个阶段数字经济形态有两个特征一是传统行业的互联网化，二是新业态。数字和产业的融合更深。这三个阶段是我铭家数字经济发展的初级阶段。初级阶段的重要标志是数字经济发展的基本形态还是消费互联网，工业互联网还没有完全形成。数字经济已经形成了和双核心的发展格局。未来围绕两国的竞争的主题是数字化。数字化发展的核心是数字化赋能的物流与供应链领域。从2020年开始，数字经济开始进入到转型升级阶段。数字化由初级阶段迈向高级阶段的时候，对物流和供应链的数字化的发展来讲，既提出了巨大的挑战，也孕育着巨大的机会，我们要把握住。
四、充分认识数字化是物流与供应链转型升级必然趋势
物流和供应链的数字化的转型是一种必然的趋势。前面已经讲得很清楚了，这里主要是简单的从经济发展的不同阶段，结合发展的不同阶段和消费的变化来谈它的必然性。的经济发展从以后来说经历了四个阶段。当然我铭家也一样，只不过是时间是错后的。个阶段就是短缺经济时期，此时生产模式是批量生产，生产和物流的组织模式就是一种实物配送的模式，特征是链条比较短，主要是处在消费领域。第二个阶段是七十年代末到八十年代中后期的过剩经济时代。生产经营过程目标开始转移为降本增效。第三阶段是转型经济阶段。生产组织方式就突破了企业的边界，是基于产业链进行资源整合优化以及流程的优化。经济转型目标是进一步优化成本。第四个就是当前数字经济阶段。数字经济本质就是产业的融合共生。此阶段本质是价
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五、物流与供应链数字化的本质是价值重构
物流与供应链数字化的本质是价值重构。物流和供应链的数字化是先进的科学和现代的组织方式的融合。它所要推动的是重构组织模式，包括物流组织模式，包括供应链的组织模式，从而不断的提高物流与供应链的网络化、智慧化、服务化水平。，通过推进物流与供应链的数字化来把握发展动力转换的新格局。在之前，经济发展的动力主要是两个方面一个是制造业、一个是服务业。现在来看，经济发展的动力未来也是两个方面，一个是科技创新。第二个是基础设施建设。基于基础设施建设的动力这个大的背景下，我们有为基础设施建设提供原材料的产能优势，但是没有产业优势。链条很短，只有生产环节，两头都在别人手里。所以说我们要把握这样的机遇，一定要把我们的产能优势变为产业优势，供应链的数字化、物流的数字化必不可少。第二，从物流领域来讲，通过物流与供应链的数字化来重构生产组织方式，延伸产业链条，实现产业之间的生产要素和生产条件的优化配置、有序协同、提率、降低成本。
通过数字化的这种赋能，来实现我们这种组织结构的重构，来实现产业间的资源整合、流程优化和组织协同，这样才能够把我们的物流成本降低到一个为合理的水平。第三是通过物流与供应链的数字化重新定义商业模式。数字化的本质是服务。通过产业服务化来重新定义商业模式。数字化的商业模式是“服务送产品”。第四是通过物流和供应链来实现企业生态化的价值。未来从企业的角度来讲，在数字化的环境下，企业的价值不仅仅体现在效益好和效率高，更重要的是要体现企业在整个产业链上的价值。第五个是通过物流与供应链数字化来推进数字化的治理，构建竞争的新优势。数字化是链接的、共生的、共享的。在链接、共生、共享的过程中，物流是重要的组成部分。第六个方面就是物流数字化价值的本身，即实现物流与供应链数字化有利于促进数字价值化进程。
六、把握物流与供应链数字化的内涵
国资委关于数字化转型的里已经明确指出，物流与供应链数字化的内涵主要包括以下几个方面，装备要数字化；第二，运营智能化；三，流程可视化；四，服务敏捷化；第五，产业生态化；第六，提升数字化的运营能力，即要掌握算、算力等；第七，打好数字化基础，即数字标准、数字人才和数字化的理论建设。物流与采购联合会在推进数字化工作方面，已冷轧压下率为20%-30%，平整量为1%-3%。GH1131焊接工艺规范：GH1131合金具有良好的焊接性能，可采用点焊、缝焊和氩弧焊等方法进行连接，并可获得满意的接头强度。该合金可与GH3030、GH3039、GH3044和GH1140等合金焊接，接头性能良好。。总结。患者体内有金属内固定物可以做核磁共振检查吗？这个问题一定要分情况讨论。如果是含铁的钢板，那就不要做了，肯定是做不了的。。制作凸摸时建议硬度58~62HRC,制作凹模时建议硬度60~64HRC。2)于制作冲裁模具中要求耐磨的凸模、凹摸。制作凸模时建议硬度为胍60~62HRC,制作凹模时建议硬度为62~64HRC。。
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经取得了较好的成绩。在新格局下，物流与采购联合会如何发挥行业组织职能，推进数字化进程？我有几点思考。，首先要数字化思维。我将数字化思维归纳为四个词链接、共生、当下、创新。我们自己要树立这样的思维，我们要把这样的数字化的思维推广到物流领域、供应链领域。其次，我们在做数字化工作时，一定要把握住物流和供应链数字化的基本方向，即着力于推动基于产业互联网为载体的产业融合。第三，要把握住数字化推进的重点。第四，要把握住我们推进物流和供应链数字化的基本路径。第五，要发挥我们平台的优势，来引导物流和供应链领域的数字化进程。第六，要夯实基础，即我们要加强标准化的工作。
弹簧钢板：正品60SI2MN钢板激光定制切割联系方式 2022已更新(今日/推荐)运输的路程货物运输一般都有起步价，其中包含路程距离，货物的重量，以及货物的大小，在规定大小和重量重，就不会另外收费，如果超出部分，会根据情况二进行额外的收费。货物的大小有一些货物可能重量很轻，但是体积很大，这种情况小物流公司会根据物品的体积重量重新估量，收取费用。货物的贵重程度一般物流公司会有物流售后服务，会对你的货物进行一个保价，所以在运输货物时，一定要与物流公司说清楚货物的贵重程度，好让物流公司做好一定的保障服务，如果运输前没有说清楚，后期出现了任何问题，物流公司都有不赔偿的理由。保价费(保价金额费率)。运输类型性质低收费费率，长途精准卡航、精准汽运，短途精准汽运(短)、精准城运。代收货款手续费发货客户将商品出售给到达客户，物流可替发货客户向到达客户收回货款，并在承诺的时效内将该笔货款汇出，让您安全、及时地回笼资金。三日退第三天给客户打款。短信通知费短信通知服务是物流为客户提供的关于货物信息的服务，包括货物跟踪和查询、各项通知、短信馈、投诉处理等事项。

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虽然夹层摩擦提供了阻尼作用，但其控制不佳，并导致悬架运动中的静摩擦力。为此，一些制造商已经开始使用单片弹簧。钢板弹簧结构优势：一般都是纵向放置的，有很多不同长度的弹簧钢板片组成的。一片为主片，两端都是卷耳，前端的卷耳用销子与前方支架连接，形成了固定的连接点。因此除了承受重力负荷外，还可以向纵向、横向传递负荷，后端的卷耳一般会与挂在后支架上的可以自由摆动的吊耳相连接，这样就能保证钢板弹簧在工作变形时两端卷耳之间的距离可以改变。。
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BTMCr26衬板BTMCr26耐磨BTMCr26高铬铸铁厂家高铬铸铁化学成分设计：（一般采用亚共晶高铬铸铁）1、工艺上常常通过调整碳含量来达到改变碳化物数量。2、不含其他合金元素的高铬铸铁，空淬能淬透的直径为20mm，要提高淬透性，必须加入合金元素。3、锰剧烈降低Ms，会使高铬铸铁在淬火后有较多的残留奥氏体，因此，一般控制在%以下。。哈氏合金c4钢板特性一、HastelloyC-4（N06455）哈氏合金概述：HastelloyC-4（N06455）哈氏合金是一种奥氏体低碳镍-钼-铬合金。Nicrofer6616hMo和其他早期开发的相似化学成分的合金的主要区别是低碳、硅、铁、钨含量。这样的化学成分使其在650-1040℃时表现出极好的稳定性，提高了抗晶间腐蚀的能力，在适当的制造条件下可以避免刃线腐蚀敏感性和焊缝热影响区腐蚀。。5*350*0*1260*。8*200*0*1260*。0*300*)(250)**。。济南消息，中国东部的山东省报告称，从1月到4月，其与区域全面经济伙伴关系(RCEP)成员国的贸易额接近3574亿元(531亿)，同比增长%。这一数字占全省进出口总额的%。青岛海关毕表示:“今年前4个月，100多家进口企业在青岛海关通关期间获得了近5100万元的关税优惠。。

1.本技术属于碳化硅陶瓷技术领域，具体涉及一种半导体高温用水冷高精度陶瓷吸盘的制造方法及陶瓷吸盘。

2.碳化硅陶瓷具有优良的常温力学性能，如高强度、高硬度、高弹性模量等，优异的高温稳定性，如高导热系数、低热膨胀系数等，以及良好的比刚度和光学加工性能，特别适合用于半导体集成电路装备用精密陶瓷部件，例如碳化硅真空陶瓷吸盘就广泛运用于半导体的光刻机刻蚀、晶圆减薄、晶圆检测、以及激光加工等领域。
3.现有的陶瓷吸盘通常为两层结构，传统两层设计一般会将水冷槽道和真空吸附的气槽的设计成一体，这样的在空间布局上因为需要考虑两者的分布，会有互相的空间干涉，不仅增加了设计难度，而且真空吸附气槽与水冷槽道之间相互影响，容易导致水冷槽道的分布不够理想，水冷效果较差。因此，两层设计在使用过程中对陶瓷吸盘和晶圆进行冷却散热效果相对较差，从而不仅容易导致由于温度过高而使吸盘各层的粘接或焊接层高温变形而导致平面度变化，还容易因温度过高而导致晶圆变形。
4.因此，为了分开设置真空吸附的气槽和水冷槽道，有必要开发一种新的陶瓷吸盘结构，并开发与之对应的陶瓷吸盘制造方法。

5.为了解决上述问题，本技术公开了一种半导体高温用水冷高精度陶瓷吸盘的制造方法及陶瓷吸盘。
6.第一方面，本技术提供一种半导体高温用水冷高精度碳化硅陶瓷吸盘的制造方法，采用如下的技术方案：一种半导体高温用水冷高精度碳化硅陶瓷吸盘的制造方法，所述陶瓷吸盘从上到下依次包括吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层，所述陶瓷吸盘的制造方法包括如下步骤：(1)素坯成型：根据碳化硅造粒粉体收缩率设计出对应的素坯尺寸，将碳化硅造粒粉体等静压成型获得具有一定加工余量的吸盘本体素坯、吸盘真空吸附层素坯和吸盘冷却水层素坯；(2)素坯加工：根据相应的收缩率、陶瓷吸盘的结构计算出相应的尺寸，然后分别对三种素坯进行加工；(3)高温烧结：在不同阶段分别在真空环境和保护气氛下对三种素坯进行高温烧结；(4)一次精加工：对高温烧结获得的吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层的外形、尺寸、平面度进行进一步的加工，并加工其中的孔道结构至所需尺寸；(5)高温焊接或粘接：根据不同应用领域的需求，通过扩散层焊接或者钎焊或者高
温胶将吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层固定连接形成陶瓷吸盘；(6)二次精加工：将焊接或粘接好的陶瓷吸盘整体加工及抛光到符合要求的平面度；(7)喷砂加工：通过喷砂加工在吸盘本体的上表面获得支撑部。
7.与传统由双层结构构成的吸盘相比，本技术的陶瓷吸盘由吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层三层构成，其中，吸盘冷却水层单独用于通冷却水进行冷却，与传统的将水冷槽道和真空吸附的气槽设计在同一层的情况相比，设计起来更加简单，而且水冷的效果更容易保证。因此，采用本技术中具有三层结构的陶瓷吸盘进行水冷循环不仅可以有效避免吸盘各层之间的粘接层或焊接层在高温下发生变形而导致平面度变化，进而影响对晶圆的真空吸附转移把持，而且可以对晶圆起到良好的散热作用避免晶圆变形。
8.同时，本技术还提供了针对具有三层结构的陶瓷吸盘的制造方法，根据碳化硅造粒粉体收缩率设计素坯尺寸，并进行相应的素坯加工，在通过高温烧结、一次精加工、高温焊接或粘接、二次精加工、喷砂加工获得最终的陶瓷吸盘，所获得的陶瓷吸盘内部冷却水通道和气道均具有较高的耐压强度。
9.作为优选，所述步骤(2)具体为：分别根据相应的收缩率、陶瓷吸盘的结构计算出相应的尺寸，并根据计算得到的尺寸对吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层进行外形、厚度和平面度的加工，并加工出装夹孔、吸附孔、气道、冷却水道、入水口和出水口，加工需保留一定的烧结变形余量。
10.作为优选，所述步骤(3)具体为：在室温到1200℃的温度下，真空度保持在10-50pa；在℃的温度下，充入氩气，压力控制在0.4-0.7mpa；室温到700℃的升温速率为2-5℃/min，并在温度达到300℃和700℃时分别保温25-35min，在700℃到2100℃的升温速率为5-10℃/min，并在2100℃保温25-35min。
11.作为优选，所述步骤(4)具体为：分别根据设计要求对吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层进行外形、厚度和平面度的精加工，将装夹孔、吸附孔、气道、冷却水道、入水口和出水口加工到位，并通过激光加工出通气孔。
12.需要注意的是，如果采用扩散焊，则需要在焊接层保持一定的焊接扩散层余量。
13.作为优选，所述步骤(5)采用的方法为钎焊，所述钎焊所用的复合钎料包括si-ti-ni非晶合金粉末和碳化硅粉末，所述碳化硅粉末占si-ti-ni非晶合金粉末和碳化硅粉末总质量的3-10％。
14.复合钎料中加入碳化硅可以缓解复合相合金钎料与本体碳化硅陶瓷之间的热膨胀系数相差过大的问题，避免因为热膨胀系数不匹配导致钎焊产生较大的残余应力，导致钎焊不牢开裂，同时分布均匀的碳化硅粉可以起到弥散增强的作用，增强钎料焊接层的强度。碳化硅含量不能过低，过低的话焊接层仍然可能会由于热膨胀失衡而导致应力开裂或强度低，另外，由于碳化硅熔点过高，如果碳化硅的含量过高会导致焊料熔化不完全，润湿和铺展不开会导致焊接不实而开裂。
16.硅作为润湿性较好的类金属如果含量过多会导致钎焊脆性较强，过少则不利于润湿母体表面，导致阻碍焊料扩散过程。ti作为活性元素，和母体发生反应随着反应的进行，与母体连接，如果ti含量过高，则反应过于激烈会导致焊接层气孔率过大，如果ti含量过少
则导致反应性不足，结合不良同时润湿度不好。ni比ti的熔点低，加入该元素可以降低焊接温度，但是不能加入过多，否则会导致焊接件的使用温度过低，影响了陶瓷吸盘的使用条件。
17.作为优选，所述si-ti-ni非晶合金粉末的粒径为50-150微米，所述碳化硅粉末的粒径为2-10微米。
18.si-ti-ni的合金粉末粒径如果过小的话，在制作钎焊膏时会不容易分散，导致焊接效果不好，合金粉粉末过粗的话在熔化焊接时，容易反应不均匀导致焊接效果不好。同理碳化硅粉末过细或过粗都会影响焊接结果。
19.作为优选，所述复合钎料还包括分散剂和粘结剂，所述分散剂为蓖麻油卵磷酸酯，所述分散剂的用量为si-ti-ni非晶合金粉末和碳化硅粉末总质量的0.5-1.5％，所述粘结剂为pvb(聚乙烯醇缩丁醛)，所述pvb的用量为si-ti-ni非晶合金粉末和碳化硅粉末总质量的1.5-2.5％；所述复合钎料的制备方法为：制备复合钎料膏：向si-ti-ni非晶合金粉末、碳化硅粉末、分散剂和粘结剂中加入去离子水，球磨均匀得到浆料，将获得的浆料控制在60-80℃烘干，每隔一段时间进行搅拌、称重，待水分含量达到5-10％时，将膏状的物料取出，真空塑封备用，为复合钎料膏；制备复合钎料粉：将si-ti-ni非晶合金粉末、碳化硅粉末、分散剂和粘结剂在旋涡混合机上进行充分的混合，真空塑封备用，为到复合钎料粉。
20.加入去离子水使浆料的固含量在50％左右，利于球磨和后续的烘干。浆料采用行星球磨机进行球磨，采用碳化硅球磨球，碳化硅球的粒径为8-10mm，碳化硅球与粉末的质量比为1.5-2.5：1，球磨的转速为25-35r/min，球磨时间为4-6h。
21.制备复合钎料膏的好处是热膨胀系数可调，碳化硅粉末可均匀分布在钎料膏体中，操作性强，有利于钎焊焊接。
22.采用复合钎料粉与复合钎料膏配合使用，钎料粉一方面可以弥补钎料膏涂抹时出现的表面不均匀的情况，提高表面平整度，另一方面可以弥补加热过程中因钎料膏失水而出现的凹坑或缝隙，从而导致焊接时，存在漏点，导致陶瓷盘的气密性不好或存在漏水的现象。
23.作为优选，所述步骤(5)具体为：用除锈剂去除不锈钢工装表面的锈迹，并用丙酮对吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层的待焊接表面以及不锈钢工装表面进行清理并干燥，去除表面的油污灰尘，用不锈钢工装遮挡陶瓷洗盘内的流道结构，然后均匀涂抹复合钎料膏，复合钎料膏的厚度为190-210微米，同时在复合钎料膏的表层均匀的撒上一层45-55微米厚的复合钎料粉，然后合上陶瓷吸盘，用石墨组合模夹紧，将石墨组合模具放入真空炉中，石墨模具组件上放置高密度不锈钢压块，真空炉抽真空至10-2
pa，室温到100℃以1℃/min的升温速率升温，并在100℃保温50-70min，然后以10-15℃/min的升温速率升温到℃，保温10-20min，焊接完成。
24.第二方面，本技术提供一种陶瓷吸盘，采用如下的技术方案：一种陶瓷吸盘，采用上述的半导体高温用水冷高精度碳化硅陶瓷吸盘的制造方法制造而成。
25.本技术具有如下的有益效果：
(1)与传统由双层结构构成的吸盘相比，本技术的陶瓷吸盘由吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层三层构成，其中，吸盘冷却水层单独用于通冷却水进行冷却，与传统的将水冷槽道和真空吸附的气槽设计在同一层的情况相比，设计起来更加简单，而且水冷的效果更容易保证。同时，本技术还提供了针对具有三层结构的陶瓷吸盘的制造方法，根据碳化硅造粒粉体收缩率设计素坯尺寸，并进行相应的素坯加工，在通过高温烧结、一次精加工、高温焊接或粘接、二次精加工、喷砂加工获得最终的陶瓷吸盘，所获得的陶瓷吸盘平面度高，且内部冷却水通道和气道均具有较高的耐压强度。
26.(2)本技术的复合钎料中同时包含si-ti-ni非晶合金粉末和碳化硅粉末，碳化硅可以缓解复合相合金钎料与本体碳化硅陶瓷之间的热膨胀系数相差过大的问题，避免因为热膨胀系数不匹配导致钎焊产生较大的残余应力，导致钎焊不牢开裂，同时分布均匀的碳化硅粉可以起到弥散增强的作用，增强钎料焊接层的强度。碳化硅含量不能过低，过低的话焊接层仍然可能会由于热膨胀失衡而导致应力开裂或强度低，另外，由于碳化硅熔点过高，如果碳化硅的含量过高会导致焊料熔化不完全，润湿和铺展不开会导致焊接不实而开裂。
27.(3)本技术复合钎料中所用的si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5-6:2-3:1-2，硅作为润湿性较好的类金属如果含量过多会导致钎焊脆性较强，过少则不利于润湿母体表面，导致阻碍焊料扩散过程。ti作为活性元素，和母体发生反应，随着反应的进行，与母体连接，如果ti含量过高，则反应过于激烈会导致焊接层气孔率过大，如果ti含量过少则导致反应性不足，结合不良同时润湿度不好。ni比ti的熔点低，加入该元素可以降低焊接温度，但是不能加入过多，否则会导致焊接件的使用温度过低，影响了陶瓷吸盘的使用条件。
28.下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。
29.图1是本技术陶瓷吸盘的结构示意图；图2是本技术实施例1中吸盘真空吸附层的结构示意图；图3是本技术实施例1中吸盘冷却水层的结构示意图；图4是本技术实施例2中吸盘真空吸附层的结构示意图；图中：1、吸盘本体；11、支撑密封环；12、装夹孔一；13、通气孔；2、吸盘真空吸附层；21、气道；211、气道环部；212、气道支部；22、装夹孔二；23、吸附孔一；3、吸盘冷却水层；31、冷却水道；32、装夹孔三；33、吸附孔二；34、入水口；35、出水口。
30.现在结合实施例对本技术作进一步详细的说明。
31.碳化硅陶瓷吸盘，如图1-3所示，从上到下依次包括吸盘本体1、吸盘真空吸附层2和吸盘冷却水层3，吸盘本体1的上表面设有若干向外凸起的支撑部、若干装夹孔一12和若干通气孔13；吸盘真空吸附层2的上表面设有向内凹陷的气道21和若干装夹孔二22，气道21内设有若干吸附孔一23；吸盘冷却水层3的上表面设有向内凹陷的冷却水道31、若干装夹孔三32和若干吸附孔二33，冷却水道31的两端分别设有贯穿至吸盘冷却水层3的下表面的入水口34和出水口35；吸盘本体1、吸盘真空吸附层2和吸盘冷却水层3之间均通过焊接或粘接
固定，使吸盘本体1上的装夹孔一12、吸盘真空吸附层2上的装夹孔二22和吸盘冷却水层3上的装夹孔三32彼此对应，使吸盘真空吸附层2上的吸附孔一23和吸盘冷却水层3上的吸附孔二33彼此对应，并使吸盘本体1上的通气孔13全部对应至吸盘真空吸附层2上的气道21，且部分通气孔13与吸附孔一23彼此对应。
32.与传统由双层结构构成的吸盘相比，本技术的陶瓷吸盘由吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层三层构成，其中，吸盘冷却水层中设有单独的冷却水道，与传统的将水冷槽道和真空吸附的气槽设计在同一层的情况相比，设计起来更加简单，而且水冷的效果更容易保证，因此，采用本技术中具有三层结构的陶瓷吸盘进行水冷循环不仅可以有效避免吸盘各层之间的粘接层或焊接层在高温下发生变形而导致平面度变化，进而影响对晶圆的真空吸附转移把持，而且可以对晶圆起到良好的散热作用避免晶圆变形。
33.在一种具体的实施方式种，如图1所示，支撑部包括若干从吸盘本体1的中心向外同心设置的支撑密封环11。
34.支撑密封环的平面度达到1微米，保证支撑密封环上表面与晶圆之间的贴合，使晶圆通过真空吸附作用牢固地固定在陶瓷吸盘的表面。另外，可以根据不同规格的晶圆尺寸设计支撑密封环，使一个陶瓷吸盘可以适用于不同尺寸的晶圆。
35.在一种具体的实施方式种，支撑部还包括均匀分布在相邻支撑密封环11之间的若干锥形凸点。
36.锥形凸点的设置可以对晶圆起到良好的支撑作用，同时，设计成锥形凸点可以减少与晶圆的接触面积，即在尽量减少与晶圆接触面的情况下对晶圆起到良好的支撑作用。
37.在一种具体的实施方式种，锥形凸点的顶部导圆角。
38.在一种具体的实施方式种，锥形凸点与支撑密封环11的高度一致。
39.锥形凸点的顶部导圆角，可以起到一定的保护作用，避免划伤晶圆表面。
40.在一种具体的实施方式种，锥形凸点的高度为0.1-0.2mm，间距为3-5mm，底面的直径为0.2-0.4mm；支撑密封环11的宽度为0.4-0.6mm。
41.在一种具体的实施方式种，如图1所示，装夹孔一12设有六个，周向均匀分布在吸盘本体1的中央。
42.在具体的方案中可以选择设置二个以上的装夹孔，但为了能够适应直径较大的晶圆片(直径300mm以上)，通常需要面积较大的陶瓷吸盘，对于面积较大的陶瓷洗盘，设置六个装夹孔一，夹持更为稳定。
43.在一种具体的实施方式种，如图2所示，气道21包括若干沿吸盘真空吸附层2的周向同心设置的气道环部211和若干沿吸盘真空吸附层2的径向设置的气道支部212，气道支部212连通所有气道环部211；通气孔13沿气道支部212均匀分布；吸附孔一23和吸附孔二33分别设有四个。
44.设置从圆心向外同心的气道环部，并设置径向的气道支部将气道环部连通，同时使吸盘本体上的通气孔沿气道支部均匀分布，覆盖整个吸盘，可确保对晶圆各部分进行有效吸附，吸附效果更好。
45.使用时，用夹持装置通过六个由装夹孔一12、装夹孔二22和装夹孔三32构成的装夹孔将陶瓷吸盘固定，接通冷却水循环，将晶圆放置在陶瓷吸盘上，使晶圆覆盖支撑密封环11，然后通过吸盘冷却水层3背侧的吸附孔二33进行抽真空，由于吸附孔二33、吸附孔一23、
气道21和通气孔13是相互连通的，从而将晶圆牢固地吸附在吸盘表面，以便对晶圆进行加工、检测等操作，其中，支撑密封环11同时起到支撑晶圆和密封的作用，开始加工后打开冷却水阀门，使冷却水从入水口34流入冷却水道31，并从出水口35排出。
46.在一种具体的实施方式种，如图4所示，气道21包括若干沿吸盘真空吸附层2的周向同心设置的气道环部211，通气孔13沿气道环部211均匀分布，吸附孔一23设置于每一气道环部211中。
47.这种实施方式可适用于不同尺寸的晶圆，使用时，用夹持装置通过六个由装夹孔一12、装夹孔二22和装夹孔三32构成的装夹孔将陶瓷吸盘固定，接通冷却水循环，将晶圆放置在陶瓷吸盘上，根据晶圆的尺寸使晶圆覆盖相应的支撑密封环11，锥形凸点也同时气道支撑作用，然后通过吸盘冷却水层3背侧的吸附孔二33进行抽气，由于吸附孔二33、吸附孔一23、气道21和通气孔13是相互连通的，从而将晶圆牢固地吸附在吸盘表面，以便对晶圆进行加工、检测等操作，其中，支撑密封环11同时起到支撑晶圆和密封的作用，开始加工后打开冷却水阀门，使冷却水从入水口34流入冷却水道31，并从出水口35排出。可以只在被晶圆覆盖的最外圈气道环部211中的吸附孔二33进行抽气，也可以在被晶圆覆盖的所有气道环部211中的吸附孔二33进行抽气，具体可根据晶圆尺寸进行选择，以能够实现牢固吸附为准。
48.气道为一圈圈同心设置的气道环部，通气孔、吸附孔一和吸附孔二均与气道环部对应设置，可使陶瓷吸盘适用于不同尺寸的晶圆，根据晶圆尺寸选在在不同的吸附孔二进行抽气，从而实现牢固吸附。
49.半导体高温用水冷高精度碳化硅陶瓷吸盘的制造方法，包括如下步骤：(1)素坯成型：根据碳化硅造粒粉体收缩率设计出对应的素坯尺寸，将碳化硅造粒粉体等静压成型获得具有一定加工余量的吸盘本体素坯、吸盘真空吸附层素坯和吸盘冷却水层素坯；(2)素坯加工：根据相应的收缩率、陶瓷吸盘的结构计算出相应的尺寸，然后分别对三种素坯进行加工；(3)高温烧结：在不同阶段分别在真空环境和保护气氛下对三种素坯进行高温烧结；(4)一次精加工：对高温烧结获得的吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层的外形、尺寸、平面度进行进一步的加工，并加工其中的孔道结构至所需尺寸；(5)高温焊接或粘接：根据不同应用领域的需求，通过扩散层焊接或者钎焊或者高温胶将吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层固定连接形成陶瓷吸盘；(6)二次精加工：将焊接或粘接好的陶瓷吸盘整体加工及抛光到符合要求的平面度；(7)喷砂加工：通过喷砂加工在吸盘本体的上表面获得支撑部。
50.关于步骤(2)，在较佳的实施例中，所述步骤(2)具体为：分别根据相应的收缩率、陶瓷吸盘的结构计算出相应的尺寸，并根据计算得到的尺寸对吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层进行外形、厚度和平面度的加工，并加工出装夹孔、吸附孔、气道、冷却水道、入水口和出水口，加工需保留一定的烧结变形余量。
51.关于步骤(3)，在较佳的实施例中，步骤(3)具体为：在室温到1200℃的温度下，真
空度保持在10-50pa；在℃的温度下，充入氩气，压力控制在0.4-0.7mpa；室温到700℃的升温速率为2-5℃/min，并在温度达到300℃和700℃时分别保温25-35min，在700℃到2100℃的升温速率为5-10℃/min，并在2100℃保温25-35min。
52.关于步骤(4)，在一较佳的实施例中，步骤(4)具体为：分别根据设计要求对吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层进行外形、厚度和平面度的精加工，将装夹孔、吸附孔、气道、冷却水道、入水口和出水口加工到位，并通过激光加工出通气孔。
53.关于步骤(5)，在较佳的实施例中，步骤(5)具体为：用除锈剂去除不锈钢工装表面的锈迹，并用丙酮对吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层的待焊接表面以及不锈钢工装表面进行清理并干燥，去除表面的油污灰尘，用不锈钢工装遮挡陶瓷洗盘内的流道结构，然后均匀涂抹复合钎料膏，复合钎料膏的厚度为190-210微米，同时在复合钎料膏的表层均匀的撒上一层45-55微米厚的复合钎料粉，然后合上陶瓷吸盘，用石墨组合模夹紧，将石墨组合模具放入真空炉中，石墨模具组件上放置高密度不锈钢压块，真空炉抽真空至10-2
pa，室温到100℃以1℃/min的升温速率升温，并在100℃保温50-70min，然后以10-15℃/min的升温速率升温到℃，保温10-20min，焊接完成。
54.本技术还提供了以下具体的实施例：实施例1复合钎料原料准备：0.96kg si-ti-ni非晶合金粉末、0.04kg碳化硅粉末、0.005kg蓖麻油卵磷酸酯和0.025kg pvb(复合钎料膏和复合钎料粉所用的原料配比一致)。
55.其中，si-ti-ni非晶合金粉末的粒径为50-90微米，si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5:2:1，碳化硅粉末的粒径为2-10微米。
56.复合钎料的制备：制备复合钎料膏：向si-ti-ni非晶合金粉末、碳化硅粉末、分散剂和粘结剂中加入去离子水使固含量达到50％，采用2kg粒径为10mm的碳化硅球磨球，在35r/min的转速下球磨4h，得到浆料，将获得的浆料控制在60-80℃烘干，每隔一段时间进行搅拌、称重，待水分含量达到5％时，将膏状的物料取出，真空塑封备用，为复合钎料膏；制备复合钎料粉：将si-ti-ni非晶合金粉末、碳化硅粉末、分散剂和粘结剂在旋涡混合机上进行充分的混合，真空塑封备用，为到复合钎料粉。
57.半导体高温用水冷高精度碳化硅陶瓷吸盘的制造方法，包括如下步骤：(1)素坯成型：根据碳化硅造粒粉体收缩率设计出对应的素坯尺寸，将碳化硅造粒粉体等静压成型获得具有一定加工余量的吸盘本体素坯、吸盘真空吸附层素坯和吸盘冷却水层素坯；(2)素坯加工：分别根据相应的收缩率、陶瓷吸盘的结构计算出相应的尺寸，并根据计算得到的尺寸对吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层进行外形、厚度和平面度的加工，并加工出装夹孔、吸附孔、气道、冷却水道、入水口和出水口，加工需保留一定的烧结变形余量；(3)高温烧结：在室温到1200℃的温度下，真空度保持在30pa；在℃的温度下，充入氩气，压力控制在0.6mpa；室温到700℃的升温速率为3.5℃/min，并在温度达到300℃和700℃时分别保温30min，在700℃到2100℃的升温速率为7.5℃/min，并在2100℃保温30min；(4)一次精加工：分别根据设计要求对吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层
进行外形、厚度和平面度的精加工，将装夹孔、吸附孔、气道、冷却水道、入水口和出水口加工到位，并通过激光加工出通气孔，平面度要求达到1微米；(5)高温焊接：用除锈剂去除不锈钢工装表面的锈迹，并用丙酮对吸盘本体、吸盘真空吸附层和吸盘冷却水层的待焊接表面以及不锈钢工装表面进行清理并干燥，去除表面的油污灰尘，用不锈钢工装遮挡陶瓷洗盘内的流道结构，然后均匀涂抹复合钎料膏，复合钎料膏的厚度为200微米，同时在复合钎料膏的表层均匀的撒上一层50微米厚的复合钎料粉，然后合上陶瓷吸盘，用石墨组合模夹紧，将石墨组合模具放入真空炉中，石墨模具组件上放置高密度不锈钢压块，真空炉抽真空至10-2
pa，室温到100℃以1℃/min的升温速率升温，并在100℃保温60min，然后以12℃/min的升温速率升温到1200℃，保温15min，焊接完成；(6)二次精加工：将焊接或粘接好的陶瓷吸盘整体加工及抛光到符合要求的平面度；(7)喷砂加工：通过喷砂加工在吸盘本体的上表面获得支撑部。
58.实施例2复合钎料原料准备：0.92kg si-ti-ni非晶合金粉末、0.08kg碳化硅粉末、0.015kg蓖麻油卵磷酸酯和0.015kg pvb(复合钎料膏和复合钎料粉所用的原料配比一致)。
59.其中，si-ti-ni非晶合金粉末的粒径为110-150微米，si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为6:3:2，碳化硅粉末的粒径为2-10微米。
60.复合钎料的制备：制备复合钎料膏：向si-ti-ni非晶合金粉末、碳化硅粉末、分散剂和粘结剂中加入去离子水使固含量达到50％，采用2kg粒径为8mm的碳化硅球磨球，在25r/min的转速下球磨6h，得到浆料，将获得的浆料控制在60-80℃烘干，每隔一段时间进行搅拌、称重，待水分含量达到8％时，将膏状的物料取出，真空塑封备用，为复合钎料膏；制备复合钎料粉：将si-ti-ni非晶合金粉末、碳化硅粉末、分散剂和粘结剂在旋涡混合机上进行充分的混合，真空塑封备用，为到复合钎料粉。
61.半导体高温用水冷高精度碳化硅陶瓷吸盘的制造方法同实施例1。
62.实施例3复合钎料原料准备：0.94kg si-ti-ni非晶合金粉末、0.06kg碳化硅粉末、0.01kg蓖麻油卵磷酸酯和0.02kg pvb(复合钎料膏和复合钎料粉所用的原料配比一致)。
64.复合钎料的制备：制备复合钎料膏：向si-ti-ni非晶合金粉末、碳化硅粉末、分散剂和粘结剂中加入去离子水使固含量达到50％，采用2kg粒径为10mm的碳化硅球磨球，在30r/min的转速下球磨5h，得到浆料，将获得的浆料控制在60-80℃烘干，每隔一段时间进行搅拌、称重，待水分含量达到7.5％时，将膏状的物料取出，真空塑封备用，为复合钎料膏；制备复合钎料粉：将si-ti-ni非晶合金粉末、碳化硅粉末、分散剂和粘结剂在旋涡混合机上进行充分的混合，真空塑封备用，为到复合钎料粉。
65.半导体高温用水冷高精度碳化硅陶瓷吸盘的制造方法同实施例1。
66.实施例4与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例4中所用si-ti-ni非晶合金粉
67.实施例5与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例5中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为7:2.5:1.5。
68.实施例6与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例6中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5.5:1:1.5。
69.实施例7与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例7中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5.5:4:1.5。
70.实施例8与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例8中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5.5:2.5:0.1。
71.实施例9与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例9中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5.5:2.5:3。
72.实施例10与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例10中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为0:2.5:1.5。
73.实施例11与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例11中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5.5:0:1.5。
74.实施例12与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例12中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5.5:2.5:0。
75.实施例13与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例13中所用复合钎料原料为：0.98kg si-ti-ni非晶合金粉末、0.02kg碳化硅粉末、0.01kg蓖麻油卵磷酸酯和0.02kg pvb，即碳化硅粉末占si-ti-ni非晶合金粉末和碳化硅粉末总质量的2％。
76.实施例14与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例14中所用复合钎料原料为：0.88kg si-ti-ni非晶合金粉末、0.12kg碳化硅粉末、0.01kg蓖麻油卵磷酸酯和0.02kg pvb，即碳化硅粉末占si-ti-ni非晶合金粉末和碳化硅粉末总质量的12％。
77.实施例15与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例15中所用si-ti-ni非晶合金粉末的粒径为30-70微米。
78.实施例16与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例16中所用si-ti-ni非晶合金粉末的粒径为130-170微米。
79.实施例17与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例17中所用碳化硅粉末的粒径为40-50微米。
80.实施例18与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例18步骤(5)高温焊接中涂抹的复合钎料膏的厚度为250微米，未采用复合钎料粉。
81.实施例19与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例19步骤(5)高温焊接中采用的复合钎料粉的厚度为250微米，未采用复合钎料膏。
82.实施例20与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例20所制备复合钎料膏的含水量为10％。
83.对各实施例所制备的陶瓷吸盘进行性能测试，测试结果见表1。
从表1可以看出，实施例1-3均焊接完整，无漏点，但实施例2焊接获得的陶瓷吸盘的焊接强度最高，实施例1的焊接强度较低是由于实施例1所采用的非晶合金粉末粒径为50-90微米，分散剂含量为0.5％，非晶合金粉末较细，分散剂较少，分散不够均匀导致强度较低。实施例2的焊接强度也比实施例3差一些，可能是由于实施例2中非晶合金粉末粒径为110-150微米，相对较粗，造成反应均匀性相对较差，对结合强度有所影响。
85.实施例4与实施例3相比，区别仅在于所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为4:2.5:1.5，其中si含量降低，所获得陶瓷吸盘的焊接强度有所下降，这可能是由于硅含量减少导致润湿铺展的不好，影响了焊料的扩散。
86.实施例5与实施例3相比，区别仅在于实施例5中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为7:2.5:1.5，其中硅含量升高，所获得陶瓷吸盘焊接完整无漏点，但在进行气道和水道测试时，均在装夹中出现裂纹，这可能是由于硅含量过高导致焊接材料的脆性高，受力后容易开裂。
87.实施例6与实施例3相比，区别仅在于实施例6中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5.5:1:1.5，其中ti含量降低，所获得的陶瓷吸盘虽然焊接上，但是有漏点，这可能是由于ti含量的减少导致反应性不足，结合不良。
88.实施例7与实施例3相比，区别仅在于实施例7中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5.5:4:1.5，其中ti含量升高，所制备的陶瓷吸盘虽然焊接完整无漏点，但
焊接强度明显降低，这可能是由于ti含量过高导致反应较强，气孔率较高，强度较低。
89.实施例8与实施例3相比，区别仅在于实施例8中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5.5:2.5:0.1，其中ni含量降低，陶瓷吸盘未焊接上，这可能是由于ni含量过低导致钎料的熔点过高而无法在该实施例的条件下进行焊接。
90.实施例9与实施例3相比，区别仅在于实施例9中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5.5:2.5:3，其中ni含量升高，所获得的陶瓷吸盘焊接完整，无漏点，焊接强度略低，虽然焊接效果相对较好，但由于其中添加了过多熔点较低的ni，会影响陶瓷盘使用温度，使用温度也会相对较低。
91.实施例10与实施例3相比，区别仅在于实施例10中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为0:2.5:1.5，即，未添加si，陶瓷吸盘未焊接上，这是由于未添加si的情况下，表面润湿程度差，无法有效浸润整个焊接表面，导致焊接失败。
92.实施例11与实施例3相比，区别仅在于实施例11中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为05.5:0:1.5，即，未添加ti，陶瓷吸盘未焊接上，这是由于钎料里不存在ti无法促进反应的进行，导致反应不足，结合程度显著下降，焊接失败。
93.实施例12与实施例3相比，区别仅在于实施例12中所用si-ti-ni非晶合金粉末中si、ti、ni的质量比为5.5:2.5:0，即，未添加ni，陶瓷吸盘未焊接上，这是由于未添加ni导致钎料熔点过高，该实施例的焊接条件下钎料的融化效果差，导致焊接失败。
94.实施例13与实施例3相比，区别仅在于实施例13所用复合钎料中碳化硅粉末占si-ti-ni非晶合金粉末和碳化硅粉末总质量的2％，而实施例3中为6％，实施例13所获得的陶瓷吸盘焊接上但有小裂纹，这可能是由于钎料中碳化硅含量较少，钎焊焊料与碳化硅母体的热膨胀系数相差较大，焊接过程中开裂。
95.实施例14与实施例3相比，区别仅在于实施例13所用复合钎料中碳化硅粉末占si-ti-ni非晶合金粉末和碳化硅粉末总质量的12％，而实施例3中为6％，实施例14所获得的陶瓷吸盘部分焊接上，部分虚焊，这可能是由于钎料中碳化硅含量过高，导致焊料熔化不完全，导致虚焊。
96.实施例15与实施例3相比，区别仅在于实施例15中所用si-ti-ni非晶合金粉末的粒径为30-70微米，而实施例3中为80-120微米，实施例15所获得陶瓷吸盘焊接完整无漏点，但焊接强度低，这可能是由于实施例15所用的非晶合金粉末的粒径过小，导致复合钎料膏分散不好，影响了结合强度。
97.实施例16与实施例3相比，区别仅在于实施例16中所用si-ti-ni非晶合金粉末的粒径为130-170微米，而实施例3中为80-120微米，实施例16所获得陶瓷吸盘焊接完整无漏点，但焊接强度低，这可能是由于非晶合金粉末较粗，反应不均匀，影响了结合强度。
98.实施例17与实施例3相比，区别仅在于实施例17中所用碳化硅粉末的粒径为40-50微米，而实施例3中为2-10微米，实施例17所制备陶瓷吸盘焊接完整无漏点，但焊接强度低，这可能是由于碳化硅粉末较粗，焊料熔化不完全，影响焊接效果。
99.实施例18与实施例3相比，区别仅在于实施例18中全部采用复合钎料膏，未采用复合钎料粉，所获得陶瓷吸盘焊接上，但有漏点，这可能是由于未能用钎料粉弥补钎料膏涂抹时出现的表面不均匀的情况，焊料平整度差，且无法通过钎料粉弥补加热过程中因钎料膏失水而出现的凹坑或缝隙，从而导致焊接时，存在漏点。
100.实施例19与实施例3相比，区别仅在于实施例19中全部采用复合钎料粉，未采用复合钎料膏，所获得陶瓷吸盘未焊接上，这是由于全部用钎料粉无法和母体结合。
101.实施例20与实施例3相比，区别仅在于实施例20所制备复合钎料膏的含水量为10％，所获得陶瓷吸盘焊接上，但有漏点，这可能是由于钎焊膏的水分含量较大，导致焊接后气孔比较多，有漏点。
102.本具体实施例仅仅是对本技术的解释，其并不是对本技术的限制，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项申请技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项申请的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。