电窑炉控温方式有几种？温控线路里，继电器和可控硅的区别是是什么？他们的控制方式都是关断和导通发热丝
可控硅是怎样控制发热丝的？
提问者：网友
传统电窑炉控温方式一般采用内部继电器控制方式，通过内部继电器触点控制外部接触器动作或可控硅导通等两种方式。前者控制接触器线圈的通、断(吸合或断开)来达到发热丝通电发热温度；后者控制可控硅控制极的通、断(阳极、阴极的通路与断路)来达到发热丝通电发热温度。两者的区别是触点控制和无触点控制发热丝的通电、断电。
回答者：网友
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可控硅不导通
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* * 单向可控硅的结构和工作原理 一、结构和符号： 1、结构： 四层半导体 N1 P2 N2 P1 J1 J2 J3 三个PN结 三个电极 阳极A：从P1引出 阴极K：从N2引出 控制极G：从P2引出 2、符号： 图形符号： K G A A K G 文字符号：SCR，CT，KG等 阳极 阴极 控制极 P1 N1 N2 P2 单向可控硅的结构和工作原理 二、工作原理 1、演示实验： 实验电路图如下： 6V 3V SCR A K G S （A） 6V 3V SCR A K G S （B） 6V 3V SCR A K G S （D） 不亮 不亮 亮 亮 只在阳极和阴极间加正向电压，可控硅不导通 在阳极和阴极间加反向电压，可控硅不导通 在阳极A和阴极K间加反向电压，同时控制极加 正向触发电压,可控硅导通 可控硅导通后，除去触发电压，继续导通 （C） 6V 3V SCR A K G S 6V 3V SCR A K G S （A） 2、解释：可控硅为什么具有上述四个工作特点？ 这是由其内部结构决定的 N1 P2 N2 P1 J1 J2 J3 K G A P1 N1 P2 N2 P2 N1 G K A 沿虚线剖开 可看成由两个 三极管组成 ?1?2IB1
?1IB1 IB1 （b） （a） （c） 3、小 结 ①可控硅导通的条件： A、在阳极和阴极之间加正向电压 B、同时在控制极加正触发电压 二者缺一不可 ②使导通的可控硅关断的方法： A、减小阳极电流至一定值（维持电流） B、切断阳极电源 ③可控硅具有控制强电的作用 三、单向可控硅的主要参数：
主 要 参 数 额定正向平均电流 维持电流 控制极触发电压和电流 正向阻断峰值电压 反向阻断峰值电压 在规定的环境温度和散热条件下，允许通 过阳极和阴极之间的电流平均值 在规定的环境温度和控制极断开的条件下，保 持可控硅处于导通状态所需要的最小正向电流 在规定的环境温度及一定的正向电压条件下， 使可控硅到导通控制极所需要的最小电压和电流 控制极断开加正向电压，可控硅截止的状态称 正向阻断，此时加到可控硅上的最大正向电压 控制极断开，可控硅加反向电压的状态，称为反向阻断，此时允许加到可控硅上的最大反向电压 四、总结 1、这节课我们讲了三个问题： A、可控硅的结构与符号； B、可控硅的工作原理； C、可控硅的主要参数。 2、思考题： A、单向可控硅有两种工作状态：导通和截止，二极管也有二种工作状态，导通和截止，那么单可控硅的工作状态和二极管的工作状态有什么不同？ 答案： 可控硅的导通是可控的 B、分析下列两个电路，在开关S接通后又断开时，灯泡的明暗情况有何不同？（设两个电路元件参数完全相同） SCR G1 G2 R S (A图) SCR G2 R S V (B图) 答案： 灯亮 灯灭 思考题 四、可控硅击穿的原因 1、过压击穿： 过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅击穿，请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的。
2、过流与过热击穿：其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下，只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的，因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的，而温度升高的过程是需要一定时间的，所以在短时间内过流（几百毫秒到几秒时间）一般是不会击穿的。
3、过热击穿：这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿，发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良而引起可控硅芯片温度过高导致击穿。对于采用水冷方式工作的，主要检查进水温度是否过高（一般要求水温应在25℃以下，但最高不能超过35℃），流量是否充足；对于采用风冷方式工作的，应检查风扇的转数是否正常，还有环境温度也不能太高等，但无论是风冷的还是水冷的，如果你在更换可控硅时只是更换了芯片的话，安装时要注意芯片与散热器之间的接触面一定要保证良好的接触，接触面要平整，不能有划痕或凹凸且不能有灰尘夹入，还要保证有足够且均匀的压力，特别是对水冷的可控硅，三个螺栓的拉力一定要均匀，并且还要经常检查和清理水垢，水垢太多也会影响散热效果导致过热击穿的。另外如果多次更换芯片也会导致散热器的接触面变形而影响散热效果，如果您的机器上的某只可控硅经常击穿又找不到其他原因的话，就应该考虑在更换可控硅时连同散热器一齐更换。
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有关双向可控硅的导通与截至
22:32:43　　
刚接触双向可控硅，在网上也查了很久，找到了这么一个有关双向可控硅的触发方式，见下图：
捕获.PNG (251.6 KB, 下载次数: 5)
22:25 上传
按照上图的导通方式，画了以下电路图：
捕获2.PNG (14.45 KB, 下载次数: 7)
22:27 上传
不过LED不亮，调节了电阻阻值，以及电源电压后，还是不亮，测了电流，在pA级别，撤去LED与电阻，直接将V2接在D1上下两端，测得电流还是pA级别，是不是电路有误啊，还是其他什么原因，求助大神了。
十分赞赏楼主的肯于学习的精神。但是，这种学习方法和思路实在不可取。
老老实实地看书，从基本概念学起，一步一个脚印，扎实前进，逐渐积累才行。
看到网友建议用双向可控硅，你的学习方向一下子就转到可控硅了。好，学习可控硅也没错。
网上搜到一个图表，拿来就用，太简单了，你又玩不转。因为仅就 TRIAC 的知识而言，你没有去学习它的最基本的东西。
请看我的截图。
[attach]438558[/attach]
开关闭合，TRIAC 正向导通，发光管点亮。
为什么你的灯不亮，我的灯能亮？你选的 TRIAC 不存在仿真模型，我选的具备仿真模型。
为什么开关已经分离而灯还亮？因为可控硅在直流状态下一旦导通，只要电流值在其保持电流之上，就不能关断了。除非把电源揪掉了。
为什么把限流电阻改为2k灯就点不亮了？因为实际电流低于可控硅的保持电流了。
。。。。。。
高级工程师
22:32:44　　
十分赞赏楼主的肯于学习的精神。但是，这种学习方法和思路实在不可取。
老老实实地看书，从基本概念学起，一步一个脚印，扎实前进，逐渐积累才行。
看到网友建议用双向可控硅，你的学习方向一下子就转到可控硅了。好，学习可控硅也没错。
网上搜到一个图表，拿来就用，太简单了，你又玩不转。因为仅就 TRIAC 的知识而言，你没有去学习它的最基本的东西。
请看我的截图。
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09:40 上传
开关闭合，TRIAC 正向导通，发光管点亮。
为什么你的灯不亮，我的灯能亮？你选的 TRIAC 不存在仿真模型，我选的具备仿真模型。
为什么开关已经分离而灯还亮？因为可控硅在直流状态下一旦导通，只要电流值在其保持电流之上，就不能关断了。除非把电源揪掉了。
为什么把限流电阻改为2k灯就点不亮了？因为实际电流低于可控硅的保持电流了。
。。。。。。
22:41:55　　
楼主是否T1 T2两极搞反了
23:49:12　　
楼主是否T1 T2两极搞反了
这种情况我之前试过，没作用
高级工程师
00:12:34　　
楼主是否T1 T2两极搞反了
清清楚楚的，没有反。
08:41:25　　
用了多种型号进行测试，终于找到一种可以让LED亮的型号
14:42:21　　
十分赞赏楼主的肯于学习的精神。但是，这种学习方法和思路实在不可取。
老老实实地看书，从基本概念学起，一步一个脚印，扎实前进，逐渐积累才行。
昨晚在T2极接电源正极，T1接电源负极的情况下，对双向可控硅的G极到T1极之间加了不同电压，发现T2极的电流不受影响，T1极的电流在G极为正，T1为负的情况下，T1的电流为T2的电流与G极的电流之和，在G极为负，T1为正的情况下，T1的电流为T2的电流与G极的电流之差，另外要想改变T2的电流，要么改变T2与T1之间的电压要么改变与T2极串联的电阻阻值，另外我试图将电阻从1K改为2K，发现LED熄灭，接着我单独用12V电源为1K电阻和LED供电，LED亮，换成为2K电阻和LED供电，LED不亮，这个是否可以认为在G极到T1极之间加上电压后，T2到T1之间相当于短路呢？
22:38:32　　
楼主是否T1 T2两极搞反了
这位发烧友，你之前说得那个用双向可控硅也可以实现极性变换，不知道你手头有相关电路么？我在网上查过，用双向可控硅只能实现调节电压，调光。。。。，没有提到用于极性变换的实现案例，在此，本人真得很想看看这种用双向可控硅实现极性变换的电路.
22:50:27　　
这位发烧友，你之前说得那个用双向可控硅也可以实现极性变换，不知道你手头有相关电路么？我在网上查过，用双向可控硅只能实现调节电压，调光。。。。，没有提到用于极性变换的实现案例，在此，本人真得很想看看这种用双向可控硅实现极性变换的电路. ...
这个原来好像有资料 不过存在云盘里面 不过都没了
22:53:58　　
这个原来好像有资料 不过存在云盘里面 不过都没了
那就太可惜了，不过你能回想那个电路的大概结构么?
22:56:28　　
那就太可惜了，不过你能回想那个电路的大概结构么?
由于原来存的资料较多 这个没有多大的影响&&不好意思了&&
23:02:21　　
由于原来存的资料较多 这个没有多大的影响&&不好意思了
哦，是这样啊，看来我要发帖子看看哪位大神能用双向可控硅实现这种电路
高级工程师
23:47:18　　
发现你们仿真电路G极没有串联电阻，都与电源直连，实际电路不会也是这样吧
高级工程师
16:15:00　　
那就太可惜了，不过你能回想那个电路的大概结构么?
这个结局是可以预知的。
不可能的，翻篇吧。
高级工程师
16:22:37　　
昨晚在T2极接电源正极，T1接电源负极的情况下，对双向可控硅的G极到T1极之间加了不同电压，发现T2极的电流不受影响，T1极的电流在G极为正，T1为负的情况下，T1的电流为T2的电流与G极的电流之和，在G极为负，T1为正的情况下，T1的电流为T2的电流与G极的电流之差，另外要想改变T2的电流，要么改变T2与T1之间的电压要么改变 ...另外我试图将电阻从1K改为2K，发现LED熄灭，接着我单独用12V电源为1K电阻和LED供电，LED亮，换成为2K电阻和LED供电，LED不亮，这个是否可以认为在G极到T1极之间加上电压后，T2到T1之间相当于短路呢？
换成2k电阻，LED不亮。这个问题，我在帖子里已经提前回答过了。请仔细看帖。
另需注意，2K的“K”应当改为“k”。
可控硅导通，不要描述为“短路”。
可控硅导通的压降，相对来说是大得多了。
18:54:34　　
换成2k电阻，LED不亮。这个问题，我在帖子里已经提前回答过了。请仔细看帖。
另需注意，2K的“K”应当改为“k”。
收到，谢谢你的回答了
高级工程师
18:58:02　　
收到，谢谢你的回答了
过春节也学习，点赞！
18:58:29　　
这个结局是可以预知的。
不可能的，翻篇吧。
哎，之前试图制作了很多用可控硅的电路实现这种功能，最终以失败告终，听到你这些话，真有点不甘心
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电容辅柜采用可控硅导通怎么控制
电容辅柜采用可控硅导通怎么控制
电容辅柜采用可控硅导通怎么控制,导通模块是JD25B,直流控制导通,当加辅柜时由于JD25B没有辅助触点,真不知道怎么实现主和辅相连,
电容辅柜采用可控硅导通怎么控制,导通模块是JD25B,直流控制导通,当加辅柜时由于JD25B没有辅助触点,真不知道怎么实现主和辅相连,
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可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
可控硅结构
大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸
管，它是由四层组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a）〕：第一层引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b）〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR.
在性能上，可控硅不仅具有，而且还具有比硅整流元件（俗称&死硅&)更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态.
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用.
可控硅的优点很多，例如：以小大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无；效率高，成本低等等.
可控硅的弱点：静态及动态的较差；容易受干扰而误导通.
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形.
可控硅元件的结构
不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构.见图1.它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件.
可控硅结构示意图和符号图
可控硅工作原理
可控硅结构原件
可控硅是P1N1P2N2四层三端，共有三个，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似，也有三个电极。但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，如图2所示。它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下，面对标有字符的一面)。目前市场上最常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电极引脚排列如下图1所示。
可控硅晶闸管特性
为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板（图3）。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在1.5V直流电源的正极（这里使用的是KP1型晶闸管，若采用KP5型，应接在3V直流电源的正极）。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是。合上电源开关S，小灯泡不亮，说明没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢?
这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
可控硅晶闸管特点
“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源（图3中的开关S）或使阳极电流小于维持导通的最小值（称为维持电流）。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断
可控硅应用类型
图4示出了双向可控硅的特性曲线。
由图可见，双向可控硅的特性曲线是由一、三两个象限内的曲线组合成的。第一象限的曲线说明当加到主电极上的电压使Tc对T1的极性为正时，我们称为正向电压，并用符号U21表示。当这个电压逐渐增加到等于转折电压UBO时，图3(b)左边的可控硅就触发导通，这时的通态电流为I21，方向是从T2流向Tl。从图中可以看到，触发电流越大，转折电压就越低，这种情形和普通可控硅的触发导通规律是一致的， 当加到主电极上的电压使Tl对T2的极性为正时，叫做反向电压，并用符号U12表示。当这个电压达到转折电压值时，图3（b)右边的可控硅便触发导通，这时的电流为I12，其方向是从T1到T2。这时双向可控硅的特性曲线，如图4中第三象限所示。
四种触发方式
由于在双向可控硅的主电极上，无论加以正向电压或是反向电压，也不管触发信号是正向还是反向，它都能被触发导通，因此它有以下四种触发方式：(1)当主电极T2对Tl所加的电压为正向电压，控制极G对第一电极Tl所加的也是正向触发信号（图5a）。双向可控硅触发导通后，电流I2l的方向从T2流向T1。由特性曲线可知，这时双向可控硅触发导通规律是按第二象限的特性进行的，又因为触发信号是正向的，所以把这种触发叫做“第一象限的正向触发”或称为I+触发方式。(2)如果主T2仍加正向，而把触发信号改为反向信号(图5b)，这时双向可控硅触发导通后，通态电流的方向仍然是从T2到T1。我们把这种触发叫做“第一象限的负触发”或称为I-触发方式。(3)两个主电极加上反向电压U12(图5c)，输入正向触发信号，双向可控硅导通后，通态电流从T1流向T2。双向可控硅按第三象限特性曲线工作，因此把这种触发叫做Ⅲ+触发方式。 (4)两个主电极仍然加反向电压U12，输入的是反向触发信号(图5d)，双向可控硅导通后，通态电流仍从T1流向T2。这种触发就叫做Ⅲ-触发方式。 双向可控硅虽然有以上四种触发方式，但由于负信号触发所需要的触发电压和电流都比较小。工作比较可靠，因此在实际使用时，负触发方式应用较多。
可控硅特性
常用的有阻容移相桥、触发电路、触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。可控硅的主要参数
可控硅的主要参数有：
1、 额定IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个。
3、 反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4、 控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅分类
可控硅有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
（二）按和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
可控硅开关
（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。
（六）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。
（七）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。
可控硅可控硅型号
按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:
额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志，如表1-6所示。
通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示。
例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅.
综上所述，小结如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由
PNPN四层组成
(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。
(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。
(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区。
(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:
可控硅主要参数
⒈ 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
⒉（VRRM）或（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
⒊ 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值
可控硅封装形式
常用可控硅的形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等
可控硅用途
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把换成晶闸管，就可以构成可控。以最简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。画出它的波形（c）及（d），只有在触发脉冲Ug到来时，RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
1：小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。额定电流：IA小于2A。
2：大；中功率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。
3：大功率高频可控硅通常用作工业中；高频熔炼炉等。
可控硅鉴别
可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
可控硅电压测方法
可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。
首先，可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个Ea，又在控制极G和C之间（相当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将产生电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的电流IC1。因为BG1集电极与BG2基极相连，IC1又是BG2的基极电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。
可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea极性反接，BG1、BG2由于受到作用将处于。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。
可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅的重要特征。
普通可控硅的三个电极可以用挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结（a），相当于一个，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，发光就是好的，不发光就是坏的。
可控硅测量方法
鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。
控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极。
若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。
可控硅是可控硅整流的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
可控硅主要生产厂家
主要厂家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。
可控硅术语
IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复
ITSM--通态一个不重复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门极触发电流
VGT--门极触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
ⅥSO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--断态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流
PGM--门极峰值功率
PG----门极平均功率
可控硅延伸阅读
1、栅极上的噪声电平
在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。
应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nf的电容，来滤掉高频噪声。
2、关于转换电压变化率
当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。所以要求可控硅()要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而被迫使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。
为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100R，电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。
3、关于转换电流变化率
当负载电流增大，电源频率的增高或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种情况最易在感性负载的情况下发生，很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。
4、关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT
在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时，内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重，在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶闸管)。
5、关于连续峰值开路电压VDRM
在电源不正常的情况下，可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的最大值，此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流，那么硅片上局部的电流密度就很高，使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯，容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流，这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰（毛刺）电压加到双向可控硅(晶闸管)上。
潘新民．微型计算机控制技术：电子工业出版社，2013年
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