集成电路与芯片的区别损坏怎么办?

检测集成电路是否损坏可采用哪些方法_百度知道
检测集成电路是否损坏可采用哪些方法
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现在的电子产品往往由于一块集成电路损坏,导致一部分或几个部分不能常工作,影响设备的正常使用。那么如何检测集成电路的好坏呢?通常一台设备里面有许多个集成电路,当拿到一部有故障的集成电路的设备时,首先要根据故障现象,判断出故障的大体部位,然后通过测量,把故障的可能部位逐步缩小,最后找到故障所在。 要找到故障所在必须通过检测,通常修理人员都采用测引脚电压方法来判断,但这只能判断出故障的大致部位,而且有的引脚反应不灵敏,甚至有的没有什么反应。就是在电压偏离的情况下,也包含外围元件损坏的因素,还必须将集成块内部故障与外围故障严格区别开来,因此单靠某一种方法对集成电路是很难检测的,必须依赖综合的检测手段。现以万用表检测为例,介绍其具体方法。 在实际修理中,通常采用在路测量。先测量其引脚电压,如果电压异常,可断开引脚连线测接线端电压,以判断电压变化是外围元件引起,还是集成块内部引起。也可以采用测外部电路到地之间的直流等效电阻(称R外)来判断,通常在电路中测得的集成块某引脚与接地脚之间的直流电阻(在路电阻),实际是R内与R外并联的总直流等效电阻。在修理中常将在路电压与在路电阻的测量方法结合使用。有时在路电压和在路电阻偏离标准值,并不一定是集成块损坏,而是有关外围元件损坏,使R外不正常,从而造成在路电压和在路电阻的异常。这时便只能测量集成块内部直流等效电阻,才能判定集成块是否损坏。 我们知道,集成块使用时,总有一个引脚与印制电路板上的逗地地线是焊通的,在电路中称之为接地脚。由于集成电路内部都采用直接耦合,因此,集成块的其它引脚与接地脚之间都存在着确定的直流电阻,这种确定的直流电阻称为该脚内部等效直流电阻,简称R内。当我们拿到一块新的集成块时,可通过用万用表测量各引脚的内部等效直流电阻来判断其好坏,若各引脚的内部等效电阻R内与标准值相符,说明这块集成块是好的,反之若与标准值相差过大,说明集成块内部损坏。测量时有一点必须注意,由于集成块内部有大量的三极管,二极管等非线性元件,在测量中单测得一个阻值还不能判断其好坏,必须互换表笔再测一次,获得正反向两个阻值。只有当R内正反向阻值都符合标准,才能断定该集成块完好。 根据实际检修经验,在路检测集成电路内部直流等效电阻时可不必把集成块从电路上焊下来,只需将电压或在路电阻异常的脚与电路断开,同时将接地脚也与电路板断开,其它脚维持原状,测量出测试脚与接地脚之间的R内正反向电阻值便可判断其好坏。 例如,电视机内集成块TA7609P瑢脚在路电压或电阻异常,可切断瑢脚和⑤脚(接地脚)然后用万用表内电阻挡测瑢脚与⑤脚之间电阻,测得一个数值后,互换表笔再测一次。若集成块正常应测得红表笔接地时为8.2kΩ ,黑表笔接地时为272kΩ的R内直流等效电阻,否则集成块已损坏。 总之,在检测时要认真分析,灵活运用各种方法,摸索规律,做到快速、准确找出故障
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超声波清洗对集成电路有没有损坏
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不会的,用频率较高的40KHZ,比较柔和。
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> 电子基础知识:集成电路损坏的故障特点
电子基础知识:集成电路损坏的故障特点
  内部结构复杂,功能很多,任何一部分损坏都无法正常工作。的损坏也有两种:彻底损坏、热稳定性不良。彻底损坏时,可将其拆下,与正常同型号对比测其每一引脚对地的正、反向电阻,总能找到其中一只或几只引脚阻值异常。对热稳定性差的,可以在设备工作时,用无水酒精冷却被怀疑的集成电路,如果发生时间推迟或不再发生,即可判定。通常只能更换新集成电路来排除
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ESD引起集成电路损坏原理模式及实例
后来采取了一系列防ESD措施,并将普通塑料盒改用导电塑料盒,这一失效现象就立即消失了。b.在电子设备的调试过程中,发现双极集成电路中的单稳电路和振荡电路常出现失效,失效现象是单稳电路已调整好了的单稳时间常发生漂移;振荡器已调好的振荡频率也常发生漂移。经解剖分析,发现失效是由ESD损伤或电瞬变损伤引起。解剖后,用金相和扫描电镜检查芯片表面,在外接R.C的一端,管子eb结有很轻度的电损伤痕迹(有的样品还无明显损伤痕迹)。测试该端eb结反向特性已变坏,有较大反向漏电。由于它们是双极型集成电路,所以在调试过程中并未采取防ESD损伤措施。但这两种电路有一个共同特点,就是外接
R、C的端子是晶体管的基极,并且该管的发射极又是直接接地的,无任何限流电阻。在机器调试时,要反复更换电容或电阻,将单稳宽度和振荡频率调整到满足机器所需值。调机时机器是接地的,当更换R、C元件时,烙铁和人体都要接触该集成电路外接R、C的端子,如果人体带静电就会通过电路对地放电,并且放电回路只有一个发射极二极管,因此它们对ESD比较敏感。此外,如果烙铁的接地不良或不当。例如,烙铁接的是交流地与机器不是同一地,两个地线之间的电位差引起的放电也会损坏电路。所以,双极电路中的单稳和振荡器也应采取防ESD损伤措施,并且要特别注意烙铁的接地状况。c.航天产品上应用的一种进口的&隔离放大器&,在测试和机器调试中常有失效,由于这种放大器是双极型二次集成电路,说明书上只有功能方块图,无具体线路图,所以使用者未采取任何防静电的措施。失效模式为输出端对地呈现低电阻或短路,经解剖分析,发现每只电路内部都有3只MOS电容器,其中有一只就是直接跨接在解调器的输出与地之间。因此,该输出端很怕静电放电。由于使用者并不了解这一特殊情况,所以未采取防静电措施,结果ESD损伤失效常有发生,经济损失很大。后来采取防静电措施后,输出对地短路的失效现象就消?d.某航天电子产品用肖特基TTL电路54LS10,在部件进行老练和测试后失效,失效模式为输入端漏电流增大。经分析表明,失效由
ESD或电浪涌损伤引起。解剖分析后发现芯片表面无任何电损伤痕迹,也无任何工艺缺陷,经过各项试验证实,输入漏电不是氧化层内的钠离子沾污,也不是芯片表面的潮气和可动电荷沾污所引起。经现场调查,失效的输入端恰好是该部件的输入端子,在测试和老练过程中该端子常与人体或设备的机壳相碰,且操作现场并未采取防ESD措施,所以判断失效由ESD
损伤引起。此外,输入端碰上有漏电的机壳也会引起类似失效。e.某星上用进口的军用CCD(电荷耦合器件),在使用过程中不知不觉就失效,这不仅造成了重大经济损失,而且严重地影响了工作进行。经调查与分析,判断失效由ESD损伤引起。因为该CCD是超大规模集成电路,又属于MOS型器件,它对ESD
特别敏感。根据静电敏感度,完全属于静电放电最敏感的器件之一,只要100伏的静电压,就可能损坏(与MOS单管相差不多,甚至还要敏感)。经现场调查,工作间地板电阻率为&O/cm,它已不属于防静电地板(防静电地板应为106~108),工作人员采取了防ESD措施,仍然有静电荷积累。全面地采取了防静电措施,这一失效就得到了有效的控制。f.双极运算放大器LF253在入厂检收和二次筛选中均发现失效,失效比例大约5%。经解剖分析发现,补偿端的铝条上有一小区域内有&变色&现象,这种变色点是由瞬变电过应力引起的局部高温造成,它可能是ESD损伤引起的,因为LF253是双极型电路,使用者并未采取必要的防ESD损伤措施,所以ESD操作的可能性很大。利用&静电模拟器&进行模拟试验,发现补偿端与正电源之间的损伤电压仅有
6KV而其他端可达5.0KV,可见,运算放大器也要采取必要的防静电措施。
g.彩电高频头内的MOS场效应管常有失效发生。经过解剖分析,发现芯片表面有很小的&丝状&击穿通路。这种失效是由ESD引起的,因为彩电荧光屏上有40~50KV的静电电压,如果不慎将这样高的静电压通过天线引入高频头,就很容易引起MOS管失效。h.某厂生产的高频晶体管3DG142在入厂检验和二次筛选中常有失效发生,失效模式是eb结漏电或短路。经解剖分析,发现eb结有轻微的烧毁痕迹。由于这种管子是双极器件,使用者未采取防静电措施。但这种高频晶体管是浅结器件,易受静电放电损伤。例如,当测试人员刚走进工作室在测试台前坐下来时,人体上的静电压可能是比较高的,此时去拿晶体管进行测试就很可能引起ESD损伤。由于eb结的面积很小,并且是浅结,所以损伤部位一般都是eb结(bc结不会损伤)。可见,对于高频,特别是超高频的小功率管,在使用过程中也应适当采取防静电损伤措施。
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