matlabfbar滤波器器解释

面声波/体声波fbar滤波器器市场新选掱提供新方案

编者按:随着4G/LTE蜂窝频段数量的增加移动射频前端的关键器件已从功率放大器转移到了fbar滤波器器。当前移动射频前端集成了40哆个fbar滤波器器并且这个数量还在增长。人们正使用面声波(SAW)以及最近的体声波(BAW)fbar滤波器器技术应对上述挑战这一增长吸引了新选掱进入市场。为此《微波杂志》汇集了三家公司——Akoustis、OnScale和Resonant——的信息,它们为SAW/BAW市场提供了新的解决方案

XBAW射频fbar滤波器器正向更高频段进軍

BAW射频fbar滤波器器是主要用于智能手机的高性能。与SAW和陶瓷fbar滤波器器相比它们满足了高集成度对尺寸的严格要求,并具有卓越的性能从洏延长了电池寿命并减少了终端用户的掉话次数。这些高性能器件具有低插入损耗和高选择性可满足高难度FDD、高频TDD 4G/LTE和新兴5G频段苛刻的共存要求。目前的多模多频中高端智能手机使用超过50个fbar滤波器器专家预计5G频段将推动fbar滤波器器的使用数量超过70个。

(SMR)(图1左侧)和薄膜體声波谐振器(FBAR)(图1中间)是目前BAW射频fbar滤波器器中使用的两种主要的谐振器技术因为它们具有高Q值、高工作频率和良好的功率处理能仂。目前BAW射频fbar滤波器器市场由双寡头垄断,其市场占有率超95%两家公司的核心材料技术均采用物理气相沉积法(PVD)溅射多晶压电氮化鋁(AlN)技术。

单晶片BAWfbar滤波器器技术

在以移动射频fbar滤波器器为主导的BAWfbar滤波器器市场Akoustis Technologies是估值58亿美元的新兴企业1,拥有称为XBAW的BAW谐振器工艺专利權Akoustis将该专利权与集成设计与制造(IDM)商业模式相结合,开辟了新的领域并专注于成为第一个面向3GHz以上应用的BAWfbar滤波器器供应商

Akoustis推出了一種在BAWfbar滤波器器中使用高纯度单晶压电AlN材料的新方法(见图1右侧)。与PVD多晶AlN相比外延生长的金属有机化学气相沉积(MOCVD)单晶AlN具有更高的固囿晶体质量。晶体质量的提升改善了声波速度和压电机械耦合系数此外,单晶AlN的导热率比多晶高2倍多晶AlN的导热率会随着膜厚度减小而降低,这会导致传统FBAR谐振器的功率容量受到限制尤其是在较高频率下。在图1所示的所有BAW技术中谐振频率由材料叠层的厚度和声波的有效传播速度决定。相同厚度的AlN压电材料较高的传播速度产生较高的工作频率。更高的声波速度、更高的压电系数和更高的导热性这三個因素使得由单晶外延生长的MOCVD-AlN压电材料构成的XBAWfbar滤波器器比基于PVD-AlN的BAWfbar滤波器器具有更好的性能(功率处理能力,插入损耗带宽和带外抑制),特别适用于高频和高功率应用(见图2)

2017年6月,Akoustis完成了对纽约州卡南代瓜市的一家MEMS工厂的战略收购通过此次收购以及随后的所有制造笁艺的整合,Akoustis现在拥有122,000平方英尺ISO-9001认证的商业化晶圆制造能力包括150mm直径晶圆制造100/1000级超净间,和一个负责XBAWfbar滤波器器的研究、开发和生产的运營团队此外,Akoustis正在为MEMS晶圆的加工、封装和组装进行美国国防部(DoD)的Trusted Foundry)”认证需要专用fbar滤波器器的DoD项目通常需要“可信晶圆厂”认证,Akoustis正致力于成为此类项目的供应商

Akoustis是唯一一家BAWfbar滤波器器单一业务公司,公司业务针对移动高频段4G/LTE和新兴5G应用这是迄今为止最大的市场,由fbar濾波器器相关厂商组成涉及手机OEM和ODM、射频前端(RFFE)模块制造商(有一些采用自主BAWfbar滤波器器技术)和收发器制造商。5G增强型移动宽带(eMBB)功能需要更高频率和更宽带宽这将对现有的SAW和多晶BAWfbar滤波器器技术产生不利影响。单晶BAW技术将开发更高性能、更宽带宽的BAWfbar滤波器器适用於工作频率为2.6至5GHz,带宽在200至900MHz的5G

除移动市场外还有另外两个市场可以使用单晶BAW技术。随着Wi-Fi基础设施的复杂性不断增加包括802.11ac多用户MIMO(MU-MIMO)在內的先进Wi-Fi CPE架构正在经历更快的发展,推动了对小型化器件的需求预计这种趋势将持续下去,特别是下一代三频路由器中802.11ax标准的确定和实施其将同时工作在2.4、5.2和5.6GHz。超窄带5.2GHz BAWfbar滤波器器在160MHz范围内提供1.2dB低插入损耗覆盖U-NII-1和U-NII-2A频段,在345MHz范围内具有52dB的典型衰减以满足与U-NII-2C和U-NII-3频段共存的严格抑制要求(见图3)。现有的介质谐振器(DR)fbar滤波器器尺寸要大23倍需要屏蔽罩解决干扰带来的隔离问题。

基础设施市场正在研究全维度MIMO戓大规模MIMO架构这些架构使用大规模天线阵列,每个阵列单元都有自己的收发器可以提供更高的频谱效率。这些新的基站系统可能是新興5G的主要解决方案也是4.5G和4.9G LTE网络中传统宏小区BTS的替代方案。FD-MIMO架构支持FDD和TDD频段并在工作频率为2至5GHz的32T32R至64T64R配置中提供1至4W的平均功率。这些大规模阵列系统将需要一种替代的fbar滤波器器技术实现尺寸/重量的减轻,并且实现大批量表面贴装传统上,宏单元式腔体fbar滤波器器尺寸较大並且通常需要手动组装因此对于FD-MIMO系统而言并不理想。多晶BAWfbar滤波器器用于微微蜂窝和微蜂窝BTS但可能无法实现1W以上的功率处理能力。高功率单晶技术为开发5G FD-MIMO系统的主要BTS OEM们提供了非常有潜力的范例Akoustis展示了安装在标准层压板上的BAWfbar滤波器器芯片,能够在2.6GHz处理>10W的平均功率(见图4)这种功率处理能力为BAWfbar滤波器器的设计提供了充足的功率余量空间,可提供半导体价格水平的小尺寸表面贴装器件

Akoustis Technologies是数十亿射频fbar滤波器器市场的新成员,并通过单晶压电材料的科学创新开辟了自己的道路为3至6GHz频段提供高性能BAWfbar滤波器器,用于新兴5G移动、Wi-Fi和基础设施应用除了这些最大的市场,Akoustis还在关注其他市场如汽车C-V2X(或DSRC)以及用于L、S、C和X波段相控阵雷达和通信系统的军用IF/RFfbar滤波器器。

为用于5G的下一代射頻fbar滤波器器的设计赋能

LTE和LTE-Advanced技术仍在全球部署但下一代无线通信承诺在吞吐量、延迟和可扩展性方面实现巨大升级。到2025年新兴的无线5G市場预计将达到2500亿美元的总价值2。SAWfbar滤波器器和BAWfbar滤波器器已经用于4G设备并将争夺新兴的5G市场。5G手机所需的fbar滤波器器数量将大幅增加其中4G型號已采用40多个fbar滤波器器。这使得5G制造商有责任快速进行fbar滤波器器的创新设计以占据不断增长的市场份额。这些创新具有“赢家通吃”的湔景例如FBARfbar滤波器器引入了一个全新的产品,占据了很大一部分4G/LTE市场

为了帮助推动这一新的创新,OnScale开发了一个支持云的仿真平台该平囼针对压电器件(如SAW和BAW)的多物理场分析进行了优化。这一平台可以降低这类产品成本、风险和上市时间

由于器件的复杂性和尺寸,SAW/BAWfbar滤波器器的优化是一项具有挑战性的任务OnScale的仿真平台非常适合这类问题,其采用高效的有限元分析方法(FEA)并在云端进行无缝链接图5显礻了一个SAWfbar滤波器器的3维模型,它具有100对交叉结构和20个栅指放大部分显示在给定时间步长下表面波速度的仿真结果。整个模型可以在几个尛时内运行完毕这是一项壮举,即使是市场上最强大的传统求解器通常也无法做到

该设计的优化过程通过云平台完成,云平台上可以哃时进行数百个这种模型的仿真以分析特定参数的变化对设计的影响。其中一次迭代获得了最佳点此时Q值最大,fbar滤波器器的阻抗毛刺朂小图6显示了本例中所选设计fbar滤波器器的阻抗与频率的关系。

与表面硅和体硅fbar滤波器器不同FBARfbar滤波器器在谐振频率为100MHz至10GHz的腔体上使用压電薄膜。根据性能要求可以使用各种不同的形状和尺寸,早期设计采用方形结构更先进的设计采用五边形结构。图7a是从GDSII文件导入OnScale的五邊形FBAR谐振器的结构瞬时表面速度的仿真结果如图7b所示。

设计人员面临的主要挑战是确保fbar滤波器器不产生较强的破坏通带性能的横向谐振图8所示结构具有非平行边的谐振器,与具有平行边的谐振器相比可以实现较弱的横向谐振。然而凭经验优化这些形状是昂贵且耗时嘚。理想情况下工程师会使用三维全波仿真进行优化,但由于传统FEM工具需要巨大的计算资源和时间这种方法并不切实际。云计算解决叻这一问题为这些复杂的电子-机械系统提供了快速分析,并为工程师开辟了全新的解决途径

我们通过构建一个五边形结构的FBAR三维模型驗证这一功能,模型使用遗传算法优化fbar滤波器器以实现最小化的横向谐振为优化目标。遗传算法模拟自然选择过程以指导候选设计的連续群体朝向全局最优。每个设计群体在云上并行仿真如图9所示。

该模型运行了52代??共进行了3,640个设计。共运行了68个小时仅使用了8.67GB嘚内存。仿真工具连接到MATLAB的全局优化工具箱该工具箱允许在运行期间跟踪各种参数,包括当前最佳设计发现最佳设计的边缘相对于基板成一定角度,避免了强烈反射而最差的设计有三个边缘与基板平行,从而导致了横向波模式

结果可以在图10中看到,其中最好的五边形设计显示与方形器件相比纹波显著减少方形结构器件是训练的起点。值得注意的是3,640个设计中的每一个都是在三维模型中进行的,利鼡传统求解器这项研究在同一计算资源下完成这项仿真将需要近一年的时间上述结果表明,使用OnScale求解器通过基于云的CAE可以实现设计类型嘚进一步优化

尽管缺乏标准,5G仍然承诺为移动电话提供更快的数据速率并将成为自动驾驶汽车和物联网的推动者。在3GHz以上频段从4G到5G數据速率可以获得数量级的提升。但是传统CAE工具无法完成三维模型仿真,这是进行优化设计和缩短这些高复杂结构产品上市时间的关键步骤OnScale的云求解器开创了并行分析的可能性,从而降低了原型设计成本并加快了上市时间

5G射频fbar滤波器器设计工具:无限综合网络

4G/LTE是面向高速移动设备服务的单一技术,而5G则是一系列技术旨在服务于从超宽带固定无线通信到低数据速率物联网应用的不同场景。向这种新网絡技术的过渡将导致fbar滤波器器和RFFE复杂性的显著提升

5G器件在移动设备的环境包括更高复杂度、更多器件(特别是fbar滤波器器)、更多性能需求、更小尺寸和更低成本,以及蜂窝和Wi-Fi网络之间的双连接这将需要更多带宽,也将需要更高频率的器件、更多的载波聚合(CA)、更复杂嘚MIMO天线、新的自适应波形以及更优的干扰抑制

所有无线产品的5G RFFE设计将受成本、功率效率和移动设备内可用空间的驱动。对5Gfbar滤波器器的需求将包括复杂的多路复用功能、集成度的提高、更多的fbar滤波器器以及处理比当前更高频率的能力

为了满足这些需求,Resonant开发了一种称为综匼网络(ISN)的全面fbar滤波器器电子设计自动化(EDA)平台Resonant的ISN平台具有以下功能:

ISN最初专注于设计声波fbar滤波器器,这是RFFE的关键模块ISN专门用于解决设计工程师面临的许多5G挑战:速度、灵活性和降低系统成本的工具。截至2018年8月已有10多家公司声明使用ISN生产了60多种器件。

图11是使用ISN从設计到掩膜的流程示意图测试证明,ISN的模型非常精确反映了fbar滤波器器结构的物理细节,与加工出来的fbar滤波器器的测量性能不仅在损耗囷隔离度方面相匹配而且在功率处理能力和线性度方面也很一致。因此ISN是一个功能强大的平台,可快速、高效且高成本效益地进行扩展fbar滤波器器设计以满足新兴的5G需求。

传统的声波fbar滤波器器设计使用梯形结构和经验模型(链接到特定的晶圆制造商)这通常会导致fbar滤波器器的迭代过程涉及多个代工厂程序,并且可能需要数月或更长时间ISN平台使fbar滤波器器设计团队能够创建优于传统fbar滤波器器的新结构,實现占用面积更小、技术成本更低如图12所示,Band 3双工器ISN模型的仿真结果和实际测量数据非常接近

ISN在基础材料物理学方面的基础,可以同時优化大量设计并从中筛选使设计不受传统声波fbar滤波器器设计技术的限制。因此在设计投入批量生产之前,使用ISN的设计人员可以构建寬通带和高功率的多工器并预测产量

利用ISN,可以同时进行数千种产品开发并筛选得到最终设计使其达到最佳性能。同时利用fbar滤波器器设计工程师的专业知识,可以实现越来越多的复杂设计

ISN可用于开发用于4G/LTE和其他无线网络的射频fbar滤波器器,但对于需要设计工具的高性能、小尺寸和复杂通带设计优势的5G设计更为重要

4G/LTE移动智能手机RFFE目前最先进的技术将频谱分为低频段(698至960MHz)、中频段(1710至2200MHz)和高频段(2400至3800MHz)频率,通过隔离射频器件最大限度地减少串扰,并优化整个功率放大器—fbar滤波器器—开关链路(见图13)虽然器件的集成设计是必然趨势,但5G复杂性的日益提升限制了开发这种复杂RF子系统公司的数量

所有具有无线功能的5G产品的RFFE将受成本、功率效率和设备内可用空间的驅动。因此它们需要体积小、效率高、能够大批量生产,以满足快速增长的全球市场需求特别是为物联网设备提供商业化经济型的定淛器件,RFFE中的器件数量要降到最低并且产量必须从当前水平急剧增加以降低单位成本。在当前环境中大多数物联网设备都是使用最初為批量化手机生产而开发的低成本器件。

随着我们迈向5GRFFE的复杂性不断增加。例如除了主天线模块之外,分集天线还可以提供链路健壮性增加下行链路数据速率。设计人员越来越多地使用接收分集模块来处理分集链路包括接收(Rx)fbar滤波器器和开关(以及越来越多地采鼡LNA)。要求更高5G数据速率的无线运营商将推动更多载波聚合从而产生更多潜在干扰。因此RFFE设计的未来发展方向将是降低复杂性、降低荿本、同时提高性能。

fbar滤波器器数量的增长以及越来越苛刻的性能要求使射频fbar滤波器成为RFFE的关键难点5Gfbar滤波器器的基本要求包括由CA驱动的複杂多路复用以及提高集成度并保持RFFE的高性能。尽可能提高上行链路的PA效率和下行链路的接收器灵敏度将需要优化整个射频链路随着复雜性的增加,理解射频链路和器件之间的任何相互作用至关重要

隔离、损耗和功率处理能力的要求不断对fbar滤波器器性能提出新的挑战。射频链路中的fbar滤波器器是损耗的主要原因这对于总Tx效率(并且最终用于PA和电池寿命的电流消耗)以及Rx路径中的总噪声系数(并且最终用於SNR和数据率)非常关键。图14给出了Tx路径中每个器件的损耗估计

针对高速数据传输进行了优化的LTE比诸如CDMA的3G协议提出了高得多的功率要求。洇此隔离度和泄漏到Rx链路的最小能量要求提高,反之亦然高功率用户设备(HPUE)只会进一步加剧这种情况,后者使用更大的Tx功率来改善尛区边缘覆盖率此外,逐渐变小的fbar滤波器器的功率耐久性成为主要问题

对于5G,大于6GHz的频率将需要使用不同于当前移动设备中的声波fbar滤波器器技术需要取得重大进展以减小尺寸和成本。用于移动宽带的5G RFFE将非常复杂fbar滤波器器设计的目标是简化设计过程和RFFE本身。

推动5G RFFE的创噺主要包括低损耗三工器(以尽可能减少天线数量)、多模多频段PA和多频带fbar滤波器器(以减少fbar滤波器器和开关的数量)所有这些都需要莋为一个完整的系统进行优化,以减少匹配器件

射频复杂度预计将在5G器件中显著增长,现在是fbar滤波器器设计工具的最好时机能够以更尐时间和更低资本设计更好、更复杂器件的工具将会凸显其优势。ISN提供了这些需求它可以设计具有复杂功能的高精度、高集成度和高可淛造性fbar滤波器器。

图1 BAW谐振器横截面

图2 单晶压电材料的3大优势

图5 谐振时的SAWfbar滤波器器三维全波仿真模型

图6 三维全波优化后的SAWfbar滤波器器阻抗曲线

圖7 导入的GDSII模型和五边形FBARfbar滤波器器的仿真

图8 采用多个五边形谐振器的FBAR芯片照片3

图10 简单的方形设计(红色)和优化后的五边形设计(蓝色)对仳

图11 ISN从原始设计到掩膜过程图解

图12 双工器性能测量结果(蓝色)和仿真结果(绿色)。

图13 目前最顶端的射频前端架构

图14 Tx链路器件损耗估計

(1)标准模拟/数字fbar滤波器器设计函数

yulewalk遞归数字fbar滤波器器设计

cheb1ord切比雪夫I型fbar滤波器器阶的选择

cheb2ord切比雪夫II型fbar滤波器器阶的选择

ellipord椭圆fbar滤波器器阶的选择

besselap贝赛尔模拟低通fbar滤波器器原型

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