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昨天晚上，高通毫无征兆地推出了下一代旗舰移动处理器——骁龙835，和之前传闻一样，命名跳过了骁龙830，原因可能是考虑到了营销方面的需要。
骁龙835最大的一个特点是采用了
三星10nm FinFET制造工艺
，去年发布的骁龙820则是采用三星14nm FinFET工艺。三星是业内最早推出14nm制程芯片的半导体公司，大幅领先台积电等竞争对手，而这次向10nm跨进也实属必然。
三星10nm制程芯片于今年10月份开始量产，相对14nm工艺，其将在缩小30%的芯片尺寸的基础上，
实现性能27%的提升以及40%的功耗降低
。换句话说，全新的10nm工艺将能够在提升手机性能的同时，进一步提升续航能力。
另外，骁龙835还带来了
Quick Charge 4.0快速充电
标准，相比上一代QC 3.0标准，
其充电速度提升了20%，充电效率提升了30%。
仅需充电5分钟就可以提供长达5小时的电池寿命。
高通方面称，骁龙835已经开始生产，但搭载该处理器的产品上市还要等到明年上半年。不出意外的话，
三星S8、LG G6、小米6等一批早期旗舰将用上首批产品，只是按照惯例三星应该还是会优先拿到大部分新处理器。
值得一提的是，
高通并没有释出该处理器的详细规格。
但根据之前曝光的信息，其或将
采用自研Kryo 200架构的八核心设计，GPU将升级为Adreno 540，内置X16基带，加入LPDDR4X内存，并且最高支持8GB运行内存。
总的来说，新的骁龙835处理器有以下几个值得期待的升级点：
更先进的制程
高通官方宣称骁龙835采用的是三星半导体最新的10nm制程工艺，三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%。其实根据半导体制程工艺的规律来看，10nm相比14/16nm更多的是平滑升级，10nm是半导体技术从14/16nm节点向7nm过渡的中间节点，7nm工艺会采用非常先进的EUV极紫外光刻技术，而10nm算是一个不太重要的节点，其实包括台积电的10nm工艺也只面向移动端，所以采用台积电代工工艺的厂商英伟达明年的GTX系列显卡依然会是16nm工艺。
据传言此次骁龙835采用8核心设计，弥补了骁龙820CPU多线程弱的缺点，而如果是八核设计，那骁龙835的单核性能注定不会特别强悍，至少不会超过苹果A10芯片的单核性能，要不然功耗问题难以解决。
伴随着VR时代的到来，VR对手机图形处理能力的要求要比以往高得多，骁龙820搭载的Adreno 530GPU即使发布一年了性能依然强悍，在手机端的性能仅次于目前苹果A10的GPU，而骁龙835上的新一代Adreno GPU无疑会更加强悍，由于苹果A10的GPU相比高通骁龙820/821上的Adreno 530领先幅度并不是太大，所以骁龙835的GPU性能超过苹果A10基本是没有问题的，何况A10还是16nm工艺，但由于iOS与安卓平台的优化不同实际游戏表现就另说了。
全新的图形API：Vulkan
其实高通骁龙820/821就已经支持Vulkan这一革命性的API，只不过Vulkan的生态还不够完善，所以除了三星曾经在S7 edge上演示过Vulkan游戏其他的就没啥印象了，真正让Vulkan为大众所知的是华为海思麒麟960芯片上的Mali G71GPU支持Vulkan；之所以说Vulkan是革命性的，是因为它对GPU性能的释放起到至关重要的作用，改善CPU对GPU性能的限制，使多核GPU真正发挥出应有的性能。
更快的充电速度
高通同步发布新一代 QC4.0 快速充电技术。相比 QC 3.0 充电速度提升 20%，并支持 Type-C。能够实现“充电 5 分钟，通话五小时”。大约 15 分钟内，可冲入 50% 的电量。另外，QC4.0 有更好的电源管理系统，能够有效降低充电造成的电池损耗。充电5分钟，通话5小时。
深度学习的人工智能
骁龙820内置Zeroth神经处理引擎，能够自动根据用户拍摄的照片进行分类，相信骁龙835会更进一步，带来更加实用的人工智能，毕竟如今包括谷歌在内的企业都在重视人工智能，人工智能在未来会颠覆很多现有的东西。
更强的ISP/DSP
随着双摄手机的普及，预计骁龙835会对双摄有更好的ISP支持方案，但具体如何实现只有等骁龙835真正发布时才知道了，而新一代的Hexagon DSP预计会带来更好的待机表现。
更快的基带
此前，高通高管透露其下一代基带是下行速率高达1Gbps的X16基带，无疑好马配好鞍，骁龙835会首次采用X16基带。但因为高通的客户并不仅仅是手机厂商，还包括电信运营商，所以1Gbps下载速率的带宽显然不是为主流人群准备的，要想达到这么高的下载速率还需要运营商的支持，至少在中国，明年三大运营商肯定不会商用高达1Gbps下行速率的网络，但不得不说高通的技术实力很强，虽然普通消费者用不到，但能够做出这么牛的基带就是一种能力，是技术实力的展现。
更高的内存带宽
据传言骁龙835会率先支持传输速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x运存，带宽提升明显。
骁龙835可能依然仍存在的不足：
是否会降频?
CPU发热降频一直是老生常谈，目前在CPU领域对发热降频做得最好的是英特尔以及苹果公司，英特尔的酷睿系列芯片以及苹果的A系列芯片的峰值性能持续时间令人印象深刻，而反观高通/海思/联发科的芯片一发热就降频，导致性能下降，这一点在玩游戏时尤为明显。功耗控制表现出色的骁龙820在峰值性能持续性上依然不如苹果A9，所以骁龙835会有何改进值得期待。
三星的产能是否能跟上?
高通发布骁龙820之后在很长一段时间内的供货一直很紧张，最直接的原因是由于量产初期产能还没跟上，高通把大部分的产能都供给三星S7/S7 edge这两款机器，导致国产厂商拿不到货，而明年初这一问题可能依然会持续，不过到了2018年这一问题有望缓解，有传言高通会在2018年的半导体7nm制程节点回归台积电代工阵营，而同期三星的全网通基带也已成熟，所以高通与三星可能就此分道扬镳，笔者预计三星Galaxy S9会全部采用自家Exynos系列芯片。
骁龙835是否会像骁龙810出现过热问
至于骁龙835是否有一定几率出现骁龙810过热问题，笔者认为，10nm相较14/16nm的工艺进步不算是非常大，技术难度相对较小，7nm才是重要的节点，另外再加上高通已经对64位架构芯片驾轻就熟，所以综合评估来看骁龙835不大可能会出现过热问题。
在此之前，联发科和华为已经推出了他们的新旗舰产品。其中，联发科Helio X30采用台积电10nm工艺，性能相对X20/25有大幅提升。华为麒麟960则依旧采用16nm制程。另外，三星下一代Exynos 9也会用上自家10nm FinFET工艺，值得期待。
哪家手机厂商首发骁龙835其实并无意义
至于今年底或者明年初哪家手机厂商首发骁龙835，其实这更多的是象征意义，实际意义不大，因为明年骁龙835真正首批开始大规模供应的手机可能依然会是三星的S8系列，一方面，高通骁龙835是三星半导体代工的，另一方面，高通抛弃台积电选择三星作为芯片代工厂商也是有条件的，在三星还没搞定全网通基带的情况下依然会在有全网通需求的国家比如中国、美国市场采用高通芯片，在骁龙835芯片量产初期也就是明年一季度，除了三星以外的其他厂商未必能拿到很多货。
编辑：孙文聪
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微信扫码 分享文章三星S8将会有两个版本引入更多功能！那它会首发骁龙835吗？
【TechWeb报道】11月18日消息，三星接下来准备要发布S8手机，不过有外媒透露，三星S8不止有曲面屏，还有直屏版。据外媒报道了解，三星S8确定会有两个版本，分别为5.1英寸、5.5英寸版本，都采用曲面屏设计。同时将会有类似iPhone&3D&Touch，引入压力感应功能，这压力感应功能除了在硬件之外，还需要跟系统和软件相结合才能发挥。现在有最新消息称，高通公司宣布将与三星电子合作共同开发下一代骁龙835处理器，很可能三星S8将会首发骁龙835处理器，该处理器最大特色是采用三星10纳米制程工艺打造，能增加电池或是实现更轻薄的设计等等。而且还支持Quick&Charge&4.0快充技术，官方称充电5分钟可以延长手机使用
时长5小时。最后，目前骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年陆续出货。按照高通835处理器的出货时间，也足矣证明了三星S8将会明年上半年发布。关于高通骁龙835处理器更详细的信息可以看小编昨日推送的资讯哦！高通骁龙830和骁龙835哪个更好用
骁龙835和骁龙830区别对比
作者：佚名
字体：[ ] 来源：互联网 时间：11-23 10:56:14
高通下一代旗舰处理器已经命名为骁龙835，那么骁龙830这个命名是否还会存在呢？如果真的存在那高通骁龙830和骁龙835哪个更好用？骁龙835和骁龙830对比有什么区别？小编给大家带来骁龙835和骁龙830区别对比，一起来看看吧
p&高通下一代旗舰处理器已经命名为骁龙835，那么骁龙830这个命名是否还会存在呢？如果真的存在那高通骁龙830和骁龙835哪个好？骁龙835和骁龙830对比有什么区别？
按照微博用户@草包科技的说法，骁龙830可能还真的存在，它就是高通规划中的次旗舰SOC，投产时间在2017年下半年。
骁龙830会使用和骁龙835一样的10nm FF工艺打造，相比骁龙835来说在规格方面会有所缩水，比如CPU、GPU以及基带等等。
具体来说，骁龙830可能会使用六核心或者八核心Kryo 200架构，GPU为Adreno 519，整合LTE X12基带，其余特性和骁龙835相同。
不过，@草包科技表示，由于骁龙830的投产时间过于遥远，所以不排除规格变动的可能性。
以上就是高通骁龙835和骁龙830区别对比，希望可以帮助到大家。 更多精彩内容请继续关注脚本之家。
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最近更新的内容高通：麒麟960你不要太骄傲，10nm的骁龙835就要来了-控制器/处理器-与非网
日，Qualcomm Incorporated（今日宣布，其子公司QualcommTechnologies, Inc.（QTI）和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作，将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造QualcommTechnologies最新款顶级处理器&&Qualcomm&骁龙&835处理器。
在下一代顶级处理器中采用三星先进制程的决定，突显了Qualcomm Technologies作为移动平台技术领军企业的不懈努力。
Qualcomm Technologies. Inc.产品管理高级副总裁Keith Kressin表示：&我们非常高兴继续与三星合作，共同开发引领移动行业的产品。全新10纳米制程节点的采用，预计将使我们顶级系列的处理器带来更低的功耗与更高的性能，同时也让我们能够增加诸多全新功能，从而提升未来的移动终端用户体验。&
今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。
另外，消息表示骁龙835将支持全新的Quick Charge 4.0快充技术，最高功率可达28W，Quick Charge 4能在大约15分钟或更短时间内，充入高达50%的电池电量。通过Qualcomm Technologies的平行充电技术Dual Charge，与使用QC 3.0相比，用户可享受到高达20%的充电速度提升，以及高达30%的效率提升，同时还集成了对USB Type-C和USB-PD的支持。
QC 4.0快充技术
早期也有消息称高通和三星合作，高通将下一代处理器全部交由三星代工，作为交换条件，三星下一代产品S8，半数以上需要使用骁龙835处理器。如今看来这个消息可信度很高，既然三星和高通已经达到深度合作的关系，相信下一代的Galaxy S8很有可能是首发搭载高通骁龙835处理器的手机。&&
目前基本已经确定三星将会在2017年2月份的MWC上发布这款旗舰产品&&GalaxyS8，从时间上看，也符合骁龙835正式商用的日期。对如今的三星来说，S8无疑是决定命运的一款手机，期待三星能够为我们带来一款足够惊艳的Galaxy S8。
三星执行副总裁及晶圆代工业务主管JongShik Yoon表示：&我们很高兴有机会与Qualcomm Technologies进行密切合作，采用我们的10纳米 FinFET工艺生产骁龙835。作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑，此次合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。&
目前，骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中，骁龙835正是其后续产品。
高通这次没有披露具体架构，如果和文中一样，使用10nm的工艺较三星的14nm工艺，可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。那么使用和三星14nm相当的台积电 16nmFFplus工艺的Kirin 960在面世才一个多月，就已经被高通反超了。
所以高通骁龙又开始了屠榜了吗 ？
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高通公布骁龙835处理器 iPhone 8曲面屏再曝
Yesky天极新闻
作者：一夏末
责编：一夏末
　　【天极网网络频道】日IT新闻晨读：
　　1. 17日晚间，高通突然宣布了下一代旗舰处理器的确将命名为骁龙835，而且将与合作，采用后者最新的10nm FinFET工艺制程。 高通当前最新的骁龙820和骁龙821旗舰处理器均基于三星的14nm芯片工艺，性能表现颇为可观，骁龙835采用三星的10nm工艺并不让人意外。三星在今年10月份宣布他们以全球首家的身份开始量产10nm FinFET工艺制程芯片，根据三星公布的数据，相比14nm工艺，10nm LPE性能提升27% ，功耗降低40%，提升30%的面积效率。骁龙835当前已经开始生产，首批搭载该处理器的设备预计将会在2017年上半年上市。
　　2. 除了公布骁龙835之外，高通还公布了新一代快充标准Quick Charge 4.0。新标准支持-C和USB-PD(Power Delivery)充电方案，符合谷歌最新的安卓CDD兼容性规定。高通表示QC4.0标准采用了他们研发的平行充电技术Dual Charge，相比QC3.0，新标准充电速度提升了20%，能效提升高达30%。具体而言，在QC4.0标准下，充电5分钟将能最高延长续航长达5小时。另外QC4.0还引入了高通最新一代定制管理算法Intelligent Negotiation for Optimum Voltage(最佳电压智能协商算法)。并融入多项新的安全措施，对电流，电压以及温度进行过载保护。另外还包括对电源线品质和类型进行识别，对充电器进行保护。QC4.0快充标准将会在骁龙835上首秀，搭载该处理器的设备预计将会在2017年上半年上市。
　　3. 据《日本经济新闻》报道，正在探索将的生产搬回到美国。报道援引知情人士情报称，苹果在6月份的时候就要求富士康和和硕联合科技这两家iPhone代工厂在美国组装iPhone。最终富士康答应了，但和硕方面考虑道成本为题则拒绝了苹果的要求。据悉苹果正在调查这一计划的可行性，不过日经新闻表示这样的事情不会发生，因为一个消息源声称如果苹果将生产线搬回美国，那么成本将会是以前的两倍，iPhone的利润将会收到极大的影响。苹果当前暂未对此报道做出回应。
　　4. 近期有许多传闻称苹果2017年款iPhone将首次换用OLED显示屏，但是各路消息源对于屏幕尺寸的报道却不尽相同。现在郭明池又放出了最新的消息，称明年苹果推出的高配版iPhone将采用5.8英寸OLED面板，不过其实际活动显示区域较小，介于5.1英寸和5.2英寸之间。郭明池称这是苹果的专门设计，这很可能意味着这块屏幕很可能会包裹机身或者是有较大曲面。另外郭明池还表示三星将独家为苹果供应5.7-5.8英寸的柔性OLED面板，而剩下的4.7英寸和5.5英寸iPhone仍将采用TFT-LCD屏幕。
（作者：一夏末责任编辑：一夏末）
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