寄存器、RAM、ROM、Flash相关概念区别整理
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寄存器、RAM、ROM、Flash相关概念区别整理
寄存器寄存器是中央处理器内的组成部份。它跟CPU有关。寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件，它们可用来暂存指令、数据和位址。在中央处理器的控制部件中，包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC)。在中央处理器的算术及逻辑部件中，包含的寄存器有累加器(ACC)。存储器存储器范围最大，它几乎涵盖了所有关于存储的范畴。你所说的寄存器，内存，都是存储器里面的一种。凡是有存储能力的硬件，都可以称之为存储器，这是自然，硬盘更加明显了，它归入外存储器行列，由此可见——。内存内存既专业名上的内存储器，它不是个什么神秘的东西，它也只是存储器中的沧海一粟，它包涵的范围也很大，一般分为只读存储器和随即存储器，以及最强悍的高速缓冲存储器（CACHE），只读存储器应用广泛，它通常是一块在硬件上集成的可读芯片，作用是识别与控制硬件，它的特点是只可读取，不能写入。随机存储器的特点是可读可写，断电后一切数据都消失，我们所说的内存条就是指它了。CACHE高速缓冲存储器（Cache）其原始意义是指存取速度比一般随机存取记忆体（RAM）来得快的一种RAM，一般而言它不像系统主记忆体那样使用DRAM技术，而使用昂贵但较快速的SRAM技术，也有快取记忆体的名称。CACHE是在CPU中速度非常块，而容量却很小的一种存储器，它是计算机存储器中最强悍的存储器。由于技术限制，容量很难提升，一般都不过兆。ROM、RAM的区别：ROM（只读存储器或者固化存储器）RAM（随机存取存储器）ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），当数据被存入其中后不会消失。SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了。当这个SRAM&单元被赋予0&或者1&的状态之后，它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态或者断电之后才会更改或者消失。但是存储1bit&的信息需要4-6&只晶体管。因此它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM&必须在一定的时间内不停的刷新才能保持其中存储的数据。DRAM&只要1&只晶体管就可以实现。DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.第一代SDRAM采用单端（Single-Ended）时钟信号,第二代、第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如pc100，pc133则表明时钟信号为100或133MHz，数据读写速率也为100或133MHz。之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作频率是333/2=166MHz，2700表示带宽为2.7G。DDR的读写频率从DDR200到DDR400，DDR2从DDR2-400到DDR2-800，DDR3从DDR3-800到DDR3-1600。ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。最初,把只能读的存储器叫做ROM(Read Only Memory),并且掉电后数据不会丢失。由于不能改写，因而使用起来很不方便。随着技术的进步，在ROM中使用一些新技术，就可以使它具有可以编程的功能。比较早的是熔丝型的可编程ROM，由于是通过熔断熔丝来编程的，所以这类ROM编程后，就不能再写了，是一次性的(OTP)。后来又出现了EPROM，是通过紫外线来擦除的，并且通过高压来编程，这类ROM上面一般有一个透明的石英玻璃窗，看上去挺漂亮的，它就是用来给紫外线照射的。后来又出现了EEPROM，不用紫外线照射就可以擦除，因而可以直接在电路中编程。另外还有FLASH ROM，又可分为NOR FLASH和NAND FLASH。FLASH ROM一般有一个特点，就是写数据时，可以将1改为0，而不能将0改为1，因而写数据前需要擦除，擦除时将所有数据置1。之所以依然叫做ROM，归纳一下，大概有几个原因:①不能像RAM那样快速的写；②可能需要特殊的擦写电压；③可能需要特殊的擦写时序；④可能需要在写之前进行擦除操作；⑤擦写次数有限,不像RAM那样可以随意写而不损坏；⑥掉电后数据不会丢失；⑦有些可写的存储器只能写一次(OTP)。举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来&Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH&主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。NOR Flash&&和&NAND Flash&比较&NOR Flash&&生产厂商有&Intel和ST，&Nand Flash厂商有Hynix，micon，Samsung，Toshiba&和Fujitsu等。2006年NAND&将占据59%的闪存市场份额，NOR的市场份额将下降到41%。而到2009&年时，NAND&的市场份额将上升到65%，NOR的市场份额将进一步下滑到35%。Nand主要应用：Compacflash，Secure Digi-tal，Smartmedia，SD，MMC，Xd，PC Card，USB Sticks等。NOR的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益，更加安全，不容易出现数据故障，因此，主要应用以代码存储为主，多与运算相关。&目前，NAND&闪存主要用在数码相机闪存卡和&MP3&播放机中，这两个市场的增长非常迅速。而&NOR&芯片主要用在手机和机顶盒中，这两个市场的增长速度相对较慢。&性能比较&&& Flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND&器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB&的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了&NOR&和&NADN&之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。&&&●&NOR的读速度比NAND稍快一些。&&&●&NAND的写入速度比NOR快很多。&&&●&NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。&&&●大多数写入操作需要先进行擦除操作。&&&●&NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。&接口差别&NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND&读和写操作采用&512&字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于&NAND&的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。&容量和成本&NAND flash&的单元尺寸几乎是&NOR&器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND&结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND&在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC&存储卡市场上所占份额最大。&可靠性和耐用性&采用flash&介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash&是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。&&&&寿命(耐用性)&&在NAND&闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。&&&&&位交换&&&所有flash&器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用&NAND&存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。&&&&&坏块处理&NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND&器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。&&&易于使用&可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND&器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。&软件支持&当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。&在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用&NOR&器件时所需要的&MTD&要相对少一些，许多厂商都提供用于&NOR&器件的更高级软件，这其中包括&M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。ROM和硬盘的区别（电脑硬盘不是ROM，BIOS存在ROM当中）：只读内存（Read-Only Memory）就是ROM，它是一块单独的内部存储器，和随机内存RAM(即平时说的内存)相似，但是只能读取，用来存储和保存永久数据的。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。往ROM中注入数据需要另外的编译器，PC上面是没有这个功能的。一般在ROM出厂前注入信息，没有特殊情况一般不会更改内容，也就是说通常是一辈子都是同样的内容。在PC中容易误解的一点就是经常有人把ROM和HardDisk(硬盘)搞混淆，HardDisk是属于外部存储器，而ROM是内部存储器。样貌也有很大差别，硬盘是一个立方体状的东西，而ROM更像一个扁平固定长条状的东西。硬盘可以轻易地改写内容，但是ROM不可以。而且硬盘的容量比ROM大得多。在PC中ROM内的内容有BIOS程序和机器码和出厂信息之类的东西。而计算机的外部存储器中采用了类似磁带的装置的东东就叫磁盘。软盘、硬盘、U盘等都是磁盘的一种。
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(单选)0人0%手机的内存是指ROM0人0%手机的内存是指RAM投票总结：以上四大点，就是相关手机的RAM和ROM内容，希望有让大家学到新知识，对大家有帮助！手机的内存是指ROM还是RAM呢？欢迎大家进行选择投票选择。欢迎在留言区评论，分享你独特的见解！欢迎关注我希望有会用到此教程，有需要可以收藏，更多好文章关注我的今日头条号，久久网络知识分享！点击头像，关注我，点击进入查看文章列表，查看更多文章，敬请关注！关注我关注我今日头条号，“久久网络知识分享”分享手机知识，电脑知识，网络知识，数码知识，通过互联网，网络分享对大家有价值的知识。欢迎关注我的头条号，更多精彩文章，更多好知识分享给大家！觉得文章不错，积极收藏，积极在文章底部点赞我，或者关注我。在头像旁边有关注按钮，关注我。或者点击头像进入关注页面关注我。本文由百家号作者上传并发布，百家号仅提供信息发布平台。文章仅代表作者个人观点，不代表百度立场。未经作者许可，不得转载。科技总汇百家号最近更新：简介:为不将就的人，提供高品质、优设计的产品作者最新文章相关文章都在说RAM和ROM 可你真的懂这些储存原件么？
今天，媒体全球半导体观察发文称，因为智能手机和固态硬盘的强劲需求，第四季度的NAND Flash闪存将比之以前处于更加严重的缺货状态，言外之意，闪存可能要涨价了！
说到闪存，很多人都会想到运行内存和储存内存，关心手机硬件的朋友应该都对CPU、GPU、屏幕和电池等部件非常熟悉，但是对于产品性能同样非常重要的RAM（运行内存）和ROM（储存内存）相信就没有那么多人有很多了解了，今天的这篇文章，就先来说说储存内存的那些事。首先，和CPU等不一样，ROM的性能好坏的评价并不和计算能力相关，衡量一块闪存和运存性能好坏的，只有两个指标：数据读写速度和容量。
3D NAND为闪存容量打了兴奋剂
关于容量，首先需要强调，手机储存容量、固态硬盘（SSD）、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质，传统的储存介质还有机械硬盘（HHD），也就是传统的光盘储存。特点是断电之后也能保持储存的数据不丢失，可以作存储数据用。而所谓的RAM（运行内存）则是通过某种电容（DRAM、SRAM或RRAM）储存数据的，断电之后数据马上消失，但是数据吞吐速度及其迅速，这里不做深究。
我们都知道现在苹果已经将自家的iPhone容量整体翻了一倍，从以前的16GB/64GB/128GB改为了32GB/128GB/256GB，所以即使今年的iPhone7销售情况并不能比上去年的iPhone6s，但是对NAND闪存的需求量仍然上涨了接近一倍，再加上固态硬盘的价格持续走低，这种几年前还是奢侈品的硬盘现在已经走进寻常百姓家，需求量也大大增长，这一切都促使着NAND闪存产量需要大幅增加。再加上2D NAND的生产线很多都为最新的3D NAND闪存腾了出来，而3D NAND技术，就是最近几年闪存容量飞速增长的最大助力。
传统的2D-NAND如果想要在同样的芯片体积上增加储存容量，需要NAND cell单元制程越做越小，这样才能在单位面积中塞入更多的存储单元，可是物理这个东西总是有极限的，在20nm工艺之后，随着单元体积的进一步缩小，会带来越来越严重的电子干扰现象，这就使得储存芯片的可靠性与读写性能反而会降低。
在这种窘境下，3D NAND技术被提了出来，简单来说就是将原来平面排列的NAND cell再加一个垂直方向上的堆叠，这种垂直方向的排列可以在微观下数倍的增加可用体积，可是因为单个cell单元的体积极小，所以并不会在宏观层面带来体积增加。并且因为可用体积成倍增长，使用3D NAND堆叠的闪存可以用更加成熟的制程，所以三星、Intel等厂商生产的3D NAND闪存都是使用的30nm左右的制程，而不是20nm以下的制程，这也为3D NAND带来了更加优秀的可靠性。例如目前20nm工艺下的MLC闪存的擦写次数普遍是3000次，而使用了3D NAND技术的三星的V-NAND闪存可达35000次。
正是因为3D NAND技术的提出和普及，现在我们越来越多地看见在以前难以想象的1TB SD卡这样的怪兽级储存设备，而在相同的芯片体积下，手机的ROM和电脑的SSD等也有着越来越大的储存容量。可惜的是这项拥有光明前景的技术在国内无人能够掌握，三星和Intel等厂商已经能够制造36、48层甚至是64层的3D NAND堆叠，国内前段时间也传出中芯将在武汉花费160亿美元建立DRAM和NAND工厂，可是就现在的情况来看，国内厂商仅仅能够生产出4层堆叠的3D NAND，和业界巨头来比还相去甚远。
eMMC传输协议已近黄昏，三星、苹果为了新标准互不相让
除了容量，读写速度也是制约使用体验的因素之一，想必所有人都尝到过游戏、应用加载过慢的痛苦，但是随着各家厂商提出新的标准规格，近年来小到不起眼的手机内存也迎来了突飞猛进的发展。现在的内存标准规格可以分为3类，一是传统的eMMC，再就是分别由三星和苹果提出的UFC标准和NVMe标准。
其实这些标准就是在NAND存储芯片的基础上，再加上了控制芯片，接入标准接口，进行标准封装，形成一个高度集成的储存模块。有点像手机中的SoC，将所有需要的东西都塞到一个模块中，方便手机制造商直接拿来装在主板上，简化了产品研发的流程。不过这三种标准更多的只是在接口和数据传输协议上的标准，在存储介质上，都是使用的NAND闪存。
eMMC在之前一直都是业内主流的内存标准，通俗的来说，eMMC=NAND闪存+闪存控制芯片+标准接口封装，UFS和NVMe也都是如此，不同之处在于闪存控制芯片和接口协议不一样。eMMC从eMMC4.3一路发展到4.4、4.5直到现在的5.0，传输速度也从50MB/S一路狂飙到200MB/S直到现在eMMC5.0的400MB/S，再往后还有eMMC5.1高达600MB/S的传输速度。
不过用三星的话来说，eMMC标准的潜力已经被榨干了，UFS标准才是未来。eMMC在一段时间里只能够读取或者写入一种状态，而UFS2.0支持同时读写数据，并且在传输速度上可以达到780MB/S。在功耗方面，虽然在满载工作时功耗比eMMC高，但是待机状态下却低得多。现在使用了UFS2.0的手机已经很多了，使用了高通骁龙821、820和三星Exynos 8890等处理器的手机都已经支持UFS 2.0。
不过苹果一向在硬件上爱默默地堆料，使用了NVMe协议的iPhone6s和iPhone7读写速度都达到了三星S7的2倍以上，所以说iPhone的流畅不仅仅是系统的问题，在硬件上，苹果可一直都是领先安卓阵营的。不过据说在随机读写速度这一项上，UFS2.0的表现要优于NVMe，这代表着在日常复杂的使用环境中，UFS是有优势的。并且据说三星即将推出UFS2.1标准，读写速度可以达到让人咋舌的1.5GB/S。
近期就有传言称华为将要发布的麒麟960处理器就将支持UFS2.1，而作为三星自家的标准，也有很有可能出现在三星的手机中，不知道最后谁能够成为第一个在存储速度上打败iPhone的手机厂家。
【本文图片来自网络】
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西门子400H的RAM和FEPROM
- 已解决问题
我想问下：RAM卡和FLASH&EPROM卡的区别？&是不是如果PLC断电，备用电池也没电。比如长期停机的情况下，没FEPROM卡的CPU用户程序将丢失？
产品版区：
悬赏分:5 | 解决时间： 13:27:51 | 提问者：& - 新生&nbsp&nbsp第1级
问题ID：42335
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先回答你的这个问题，&&&&&是不是如果PLC断电，备用电池也没电。比如长期停机的情况下，没FEPROM卡的CPU用户程序将丢失？&&答：PLC断电，且没有后备电池，程序必然丢失，不是长时间，就算是几秒钟，程序都会丢失的。&400的存储卡主要分RAM卡和FLASH卡两种，主要区别就是：&RAM是直接扩展PLC的RAM区的，用PCS7的时候可以download&change&only，就是只下载CFC或SFC更改的部分，如果用FLASH卡则不行，但是RAM卡要保持程序必须有后备电池；&FLASH卡只是存储程序用，平时下载的时候不会下载到FLASH卡里面，要用工具栏PLC里面的下载用户程序到存储卡才可以，这样的程序就算掉电，且没有电池的情况下都能保持程序。&RAM卡优点：PCS7可&只下载更新部分的程序；缺点：必须用后备电池保持程序，价格高。&FLASH卡优点：价格便宜，可以不用后备电池保持程序；缺点：不能下载更新部分的程序。&就如FLASH卡相当于硬盘，RAM卡相当于内存。
高级工程师&nbsp&nbsp第11级&
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&1.RAM卡和FLASH&EPROM卡的区别？&RAM：用来扩展CPU集成的装载存储器，则使用RAM卡必须有后备电池，否则程序会丢失。&FLASH&EPROM卡：也用来用来扩展CPU集成的装载存储器，更重要的作用是作为程序备份。使用FLASH&EPROM卡不需后备电池。&见《S7-400CPU存储器介绍与存储卡使用》下载：&&&2.是不是如果PLC断电，备用电池也没电。比如长期停机的情况下，没FEPROM卡的CPU用户程序将丢失？&&是的。
- 大师&nbsp&nbsp第17级
& 13:26:27
CPU400的存储卡分为两种，一种是flash卡，另外一种是RAM卡。前者在没有电池时，可以永久保存程序。&如果没有卡，可以使用CPU内部集成的Load&memory来存储程序，也就是说Step7下载程序直接到该存储器中。那么你的程序就应该保证不该超过512KB。如果大于就应该以上两种卡来扩展。&如果没有电池，所有程序丢失，必须重新下载程序到CPU中。&
- 资深顾问&nbsp&nbsp第13级
& 14:32:46
问题回答：PLC没有电池或电池没电时CPU断电则程序会丢失，所以在偶尔使用PLC的场合中最好使用FLASH卡，因为电池的使用寿命为半年左右且电池是不可充电的，只要PLC断电就消耗电池；&区别：1。当用RAM卡且有电池时，PLC的启动速度较快，大概2－3分钟，而用FLASH卡时就需要10－15分钟左右；&2。当用FLASH卡时不要把电池开关扳到最上面（即监控状态），否则在RUN状态下给PLC上电会进入STOP状态，你需要手动操作一下（即把PLC启动开关扳到STOP再扳到RUN才可以正常运行）；&3。程序的下载方式不同，即用RAM卡时直接点窗口中的下载图标即可，但用FALSH卡时必须使用项目菜单栏中PLC菜单下的SAVE&TO&MEMEORY&CARD命令才可，否则没有下载到FALSH卡中；&4。其他原理上的区别楼上的都说过了，这里就不说了
- 毕业实践员&nbsp&nbsp第4级
& 08:26:02
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