tps54331dr芯片_tps54331dr芯片价格_tps54331dr芯片批发/采购 - 阿里巴巴
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TPS54331资料下载
TPS54331芯片手册...
TPS54331器件参数说明书（TI）...
TPS54331相关帖子
TPS54331 dsp电源设计流程
TPS54331电源设计流程是参照多个文档总结出来的，后来查看其他电源芯片设计时发现笔记里的流程有些问题，包括TI的多个电源数据手册里面的计算方法和参数甚至公式也有错误。因为已经写的比较多，所以发现问题后也没有重新整理。但最后还是把它按原样拍了上来，仅供需要的朋友作一个大致的参考。TPS54386的应用设计也是很久以前整理的，可能也会有不对的地方，希望...
同时供两个LM2596工作,会出现问题吗？ 多大的电流？为何不用2596降到六点几伏，然后稳压到5V，再由5V稳压到3.3V？或者要求不高的话，直接2596到5V，再稳压到3.3V 本帖最后由 elvike 于
23:35 编辑
不计较成本的话，推荐tps54331把电压从12v降到5v，然后再转3.3v。忘记说了，12V电源同时供电LM2596是没有问题的，但是没必要这样做...
tps54331 24V输出12V输出 500mA , 测试澡声很大! 如图
tps54331 电源澡声很大 是什么原因? 单凭示波器测量画面看，500mA确实不该这样 是的，不知是什么原因，是用件有问题，还是布局有问题，还是芯片有问题
主要是毛刺太大了！ 示波器在每格1V时，干扰占了三格，这么多的尖峰，不能找布局问题。
1、电路接法有没有错误？
2、元件选择...
来一份 TPS54331 7-24v输入5V 1A 输出
来一份 TPS54331 7-24v输入5V 1A 输出
可惜来晚了一步，活动已经结束 激情八月，晒WEBENCH设计拿礼品100%赢礼！
的礼品没收到啊，我提交的不满足条件吗？ 闲云潭影 发表于
输入12V，输出5V的电源。
一、webench设计过程
在webench里面输入参数，开始设计
可以看出，webench提供了很多设计可以选择，至于选哪个设计，用户完全可以根据自己的选择。由于我手头要对比TPS54331的设计，可以利用搜索功能
通过搜索，找到TPS54331的设计，webench会提供详细的电路设计
开启设计后，会有各种工作模式和效率的分析...
实际测试，进行复杂图形处理时，电流消耗可达630mA)，为了保留2倍以上的设计余量，选用了一款输出电压3.3V，输出电流最高达2A的降压稳压器芯片TPS54331。它是一款具有 Eco-mode 的3.5V至28V输入3A/570kHz降压转换器，性价比高，工作温度：-40℃~150℃，可满足工业级设备的使用要求。实物设计图片如下：
因为在控制设备应用中，采用的都是600*800或600*480...
ADS8365IPAGR
.cn/product/cn/ads8365
TPS54331DR
.cn/product/cn/tps54331
更多详情：/question_answer/f/58/t/19017.aspx...
从8月份参加坛子里的活动获得易电源模块的机会到现在已经3个月了，在实际项目中也使用了1两块片子，确实方便了我们使用，目前在成本要求不高的产品中今后将继续使用易电源系列芯片，成本要求高的地方还是准备继续使用TPS54331，希望易电源的价格能快速降下来，感谢TI提供这么好的产品，也感谢EEWORLD提供试用的机会，还有这么大把大把的活动
把以前的几个帖子翻出来给大家分享...
日期是17号
赠品芯片包含：
M3系列的有9B92 9B96 62等
通信的RS485的MAX1487，65LBC184，RS232的 MAX3232 ，CAN的 TJA1050
电源的TPS54331，LM2596，LM1117，LP2950
USB芯片原装进口PL2303
MCU系列，MSP430F5438A，AT89C52
无线音频芯片，CC8520...
模块的基本测试实验前面的坛友们已经做得很多了，我就不重复做了，我只想从我的具体项目出发做几个测试，目前我的产品用得比较多的电源模块包括金升阳的K7805，LM2596自己做的模块，还有TI自家的TPS54331，我也不知道这样比较对不对，我只是想从我自己做产品的角度来客观评估，不对的地方请大家批评指正
首先，将模块默认输出的1.8V改成5V，用户不知道如何修改输出电阻，可以在TI网站主页选择...
TPS54331视频
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SLVS839B–JULY2008∣UTPUTVOLTAGELIMITATIONS
DuetotheinternaldesignoftheTPS54331,therearebothupperandloweroutputvoltagelimitsforanygiveninputvoltage.Theupperlimitoftheoutputvoltagesetpointisconstrainedbythemaximumdutycycleof91%andisgivenbyEquation31VOmax=0.91×((VINmin-IOmax×RDSonmax)+VD)-(IOmax×RL)-VD(31)Where:
VINmin=Minimuminputvoltage
IOmax=Maximumloadcurrent
VD=Catchdiodeforwardvoltage
RL=Outputinductorseriesresistance
Theequationassumesmaximumonresistancefortheinternalhigh-sideFET.
Thelowerlimitisconstrainedbytheminimumcontrollableontimewhichmaybeashighas130ns.TheapproximateminimumoutputvoltageforagiveninputvoltageandminimumloadcurrentisgivenbyEquation32VOmin=0.089?((VINmax-IOmin?Rin)+VD)-(IOmin?RL)-VD(32)Where:
VINmax=Maximuminputvoltage
IOmin=Minimumloadcurrent
VD=Catchdiodeforwardvoltage
RL=Outputinductorseriesresistance
Thisequationassumesnominalon-resistanceforthehigh-sideFETandaccountsforworstcasevariationofoperatingfrequencysetpoint.Anydesignoperatingneartheoperationallimitsofthedeviceshouldbecarefullycheckedtoassureproperfunctionality.
POWERDISSIPATIONESTIMATE
Thefollowingformulasshowhowtoestimatethedevicepowerdissipationundercontinuousconductionmodeoperations.Theyshouldnotbeusedifthedeviceisworkinginthediscontinuousconductionmode(DCM)orpulseskippingEco-modeTM.
Thedevicepowerdissipationincludes:
1)Conductionloss:Pcon=IOUT2xRds(on)xVOUT/VIN
2)Switchingloss:Psw=0.5x10-9xVIN2xIOUTxFsw
3)Gatechargeloss:Pgc=22.8x10-9xFsw
4)Quiescentcurrentloss:Pq=0.11x10-3xVIN
IOUTistheoutputcurrent(A).
Rds(on)istheon-resistanceofthehigh-sideMOSFET(Ohm).
VOUTistheoutputvoltage(V).
VINistheinputvoltage(V).
Fswistheswitchingfrequency(Hz).
Ptot=Pcon+Psw+Pgc+Pq
ForgivenTA,TJ=TA+RthxPtot.
ForgivenTJMAX=150°C,TAMAX=TJMAX–RthxPtot.
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ProductFolderLink(s):TPS54331Copyright(C)2008,TexasInstrumentsIncorporated
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SLVS839B–JULY2008–REVISEDOCTOBER2008Where:
Ptotisthetotaldevicepowerdissipation(W).
TAistheambienttemperature(°C).
TJisthejunctiontemperature(°C).
Rthisthethermalresistanceofthepackage(°C/W).
TJMAXismaximumjunctiontemperature(°C).
TAMAXismaximumambienttemperature(°C).
PCBLAYOUTTheVINpinshouldbebypassedtogroundwithalowESRceramicbypasscapacitor.Careshouldbetakentominimizetheloopareaformedbythebypasscapacitorconnections,theVINpin,andtheanodeofthecatchdiode.Thetypicalrecommendedbypasscapacitanceis10-uFceramicwithaX5RorX7RdielectricandtheoptimumplacementisclosesttotheVINpinsandthesourceoftheanodeofthecatchdiode.SeeFigure14foraPCBlayoutexample.TheGNDDpinshouldbetiedtothePCBgroundplaneatthepinoftheofthelow-sideMOSFETshouldbeconnecteddirectlytothetopsidePCBgroundareausedtotietogetherthegroundsidesoftheinputandoutputcapacitorsaswellastheanodeofthecatchdiode.ThePHpinshouldberoutedtothecathodeofthecatchdiodeandtotheoutputinductor.SincethePHconnectionistheswitchingnode,thecatchdiodeandoutputinductorshouldbelocatedveryclosetothePHpins,andtheareaofthePCBconductorminimizedtopreventexcessivecapacitivecoupling.Foroperationatfullratedload,thetopsidegroundareamustprovideadequateheatdissipatingarea.TheTPS54331usesafusedleadframesothattheGNDpinactsasaconductivepathforheatdissipationfromthedie.Manyapplicationshavelargerareasofinternalorbacksidegroundplaneavailable,andthetopsidegroundareacanbeconnectedtotheseareasusingmultipleviasunderoradjacenttothedevicetohelpdissipateheat.Theadditionalexternalcomponentscanbeplacedapproximatelyasshown.Itmaybepossibletoobtainacceptableperformancewithalternatelayoutschemes,howeverthislayouthasbeenshowntoproducegoodresultsandisintendedasaguideline.Copyright(C)2008,TexasInstrumentsIncorporatedSubmitDocumentationFeedback
ProductFolderLink(s):TPS5433117
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SLVS839B–JULY2008