看时序识内存条,6款到底选谁好看时序识内存条,6款到底选谁好爱茶的猫百家号1.金士顿(Kingston)骇客神条 Fury系列 DDR4 2400 8G 单条￥：519双条￥：1099 时序：15-15-15-35。这个时序是DDR4最基础的。tRAS=35，注定这根内存条不能承受很高的负荷，所以这款内存条从定义上来说，就是力求稳定，不求超频。再往前看，确实，CL-tRCD-tRP，15-15-15，符合它的定义，稳定不超频。这个时序的内存条的超频性能不高。如果稳定在MHZ，内存条的性能是不错的，兼容性也是较好的。另外这款内存条还拥有PnP自动超频。PnP自动超频有意思吗？简单的说PnP就是是内存条怎么舒服怎么超。当然不舒服就不要超了。要内存条质量不好，一超频就尴尬症犯了，那么内存条的这个PnP功能可能唯一的作用在于，自动降频吧。你想让频率上去，它不爽要偷偷的下来，上上下下，来回折腾，有意思吗？PnP这个功能对于那些超频性能低，频率上不去，上去有危险的，是一个很好的应用。PnP可能就在于弥补内存条质量和性能的不足，但是为什么多个PnP还要贵1-200呢？世风日下，人心不古啊！总的来说这款金士顿(Kingston)骇客神条，不神，特点仅仅在于性能稳定，兼容性好，而已。频率一般过得去，当然兼容性好，兼容性，这是很多人都需要的，而重视内存条性能的部分玩家毕竟是少数。所以，这款内存条才卖得这么好。2.海盗船(USCORSAIR) 复仇者LPX DDR4 2400 8GB 单条￥：499双条￥：1049 时序：16-16-16-39从复仇者内存条时序的前3个值，CL-tRCD-tRP都为16可以看出，这款内存条具有一定的超频能力。是的，一般玩超频的条都是用的XMP。这款支持XMP2.0。XMP将频率上升到一个位置，死都不下来(电脑死机，黑屏，蓝屏，都不下来），可谓是生猛霸道。OK，我们再看最后一个数值tRAS=39，相对于前面，tRAS的太大。也就是说，这款内存条超频不咋地，但是需要很高的tRAS延迟，很大的抗负荷能力，于是我们产生了这样的疑问，它这样做是不是因为它的内存芯片的质量和性能不大好呢？大家去求证吧！这款一来就稳定到2400MHZ了，建议有使用它的玩家不要想太多，再去超频，因为它的兼容性存疑。总的来说，内存条还算不错。3.光威(Gloway) 悍将 DDR4 8GB 频 台式机内存单条￥：399/449双条￥：669/849 时序：17-17-17-39CL-tRCD-tRP-tRAS，为17-17-17-39。除了灯条/超频（OC）条，一般内存条时序不会那么大。这款内存条可能在产品定义上就是直指超频。看它的时序，是拥有很高的超频上限，和负荷能力。据我所知，这款的内存芯片是来自于海力士和镁光的正片，性能应该是毋庸置疑的。这款同样也拥有XMP2.0。对于这种时序大的超频条，我们要注意，如果自己的主板、CPU已经老得快入土了的话。我建议大家选择2133MHZ的，也不要去轻易去超频。另外如果2400频率的这款内存条，在使用中发生兼容性问题，我们也可以在其他配置高点的电脑上将它降频，再来插上。总之选内存条，不能不看自己的配置瞎选。好的硬设，还是要在适合的地方才能发挥其作用的。橘生淮南则为橘，生于淮北则为枳。太子生在皇家才是太子，生在街头那就是二流子。光威的悍将之所以热麦是因为其性价比，和性能兼具。光威作为国内为数不多的电脑储存设备大厂，还是非常可信的。4.芝奇(G.Skill) Ripjaws 4系列 DDR4 2400频率 8G单条￥：499双条￥：899 时序：15-15-15-35芝奇TW的，芝奇时序也是走好看路线的，来迎合大多数人的误解。（大多数玩家误以为时序越低越好，是错误的，我们以前的文章有探讨过）。支持XMP2.0。时序通通都小，这么小的时序稳定在2400频率，兼容性存疑，得看它的芯片质量到底如何了。而且这款的价格相对于它的性能来说，有点过分了，溢价很多。这款内存条可以一用。2133频率能够很稳定的运行。但是2400的频率，这款内存条是不是能很好的兼容各大主板，各种配置，那可难说了！5.威刚(ADATA)DDR4 2133 8GB 单条￥：449这款时序是15-15-15-35的。支持XMP2.0。威刚的内存条还是比较可信的，内存芯片质量很好。只是超频最稳妥的做法是，手动来，最好改改时序，有点麻烦。如果不超频的话，选这款还是不错的。但是不超频，我干嘛不买价格更低的呢？ 6.阿斯加特(Asgard)洛极系列DDR4 2400 8G单条￥：479双条￥：799 时序：17-17-17-39这款是OC条，来自于专注超频的阿斯加特。17-17-17.表示它的频率有很高的上升空间，而且兼容性良好。对于一款超频，而且还能发光的内存条tRAS=39并不算太大。这款内存条的超频能够达到3000MHZ。当然也要看电脑配置。从内存条的价格上来说的话，作为国产居然几乎像外国大品牌一样贵，这一点让一些玩家无法接受。但是人家内存条专业啊，阿斯加特内存条的超频性能好是出了名的。从性能上来说，这款比外国大厂的内存条也不遑多让，或更出色。为什么同样档次的产品，大家要觉得外国货贵是合理的，国产贵就不合理呢！我觉得选择产品，首先要看质量，其次是性能，第三是厂家。质量和性能才是更重要的。而首重厂家的玩家，在你忽略产品质量和性能,的时候，厂家也会如此。人家不可能抛媚眼给瞎子看！本文仅代表作者观点，不代表百度立场。系作者授权百家号发表，未经许可不得转载。爱茶的猫百家号最近更新：简介:爱和茶，爱撸猫，爱安静且充满趣味的生活作者最新文章相关文章内存时序设置详解【图文详解】
　　虽然小编从小就对看书感兴趣，可是让我看一本完全不了解的书可是一点都看不下去，学知识也是一样，自己喜欢的不用别人督促，就能把它学的很好很扎实，自己不喜欢的学科呢，就要逼着自己学，而且效果并不好，兴趣是最好的老师，不过正在上学还没高考的可要认真学习每一 门 功课，考上大学后再选择一个自己喜欢的专业。内存时序设置小班是看不懂，相信总有人会明白的。　　内存时序设置　　内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。　　涉及到的参数分别为：　　CPC : Command Per Clock　　tCL : CAS Latency Control　　tRCD : RAS to CAS Delay　　tRAS : Min RAS Active Timing　　tRP : Row Precharge Timing　　tRC : Row Cycle Time　　tRFC : Row Refresh Cycle Time　　tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)　　tWR : Write Recovery Time　　&&及其他参数的设置　　首 先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到&DRAM Timing Selectable&，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为&Menual&(视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable)，如果要调整内存时序，应该先打开 手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：　　CPC : Command Per Clock　　可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。　　Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行)，然后才是L-Bank/行激活与列地址的选 择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。　　显然，CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。　　该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。　　tCL : CAS Latency Control(tCL)　　可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。　　一般我们在查阅内存的时序参数时，如&3-4-4-8&这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是&CL-tRCD-tRP-tRAS&。这个3就是第1个参数，即CL参数。　　CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是&内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间&。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说 是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。　　内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是 tRAS(Activeto Precharge Delay)，预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束 就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。　　这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要 的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同 时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。　　该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。　　tRCD : RAS to CAS Delay　　可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。　　该值就是&3-4-4-8&内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示&行寻址到列寻址延迟时间&，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在 JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时， 系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。　　如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。　　tRAS : Min RAS Active Timing　　可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。　　该值就是该值就是&3-4-4-8&内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示&内存行有效至预充电的最短周期&，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5-10之间。这个参数要根据实际情况而定，并 不是说越大或越小就越好。　　如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太 短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误 或系统死机，则应该增大tRAS的值。　　tRP : Row Precharge Timing(tRP)　　可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。　　该值就是&3-4-4-8&内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示&内存行地址控制器预充电时间&，预充电参数越小则内存读写速度就越快。　　tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激 活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机 来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR 内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。　　一般说来，tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。　　tRC : Row Cycle Time(tRC)　　可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。　　Row Cycle Time(tRC、RC)，表示&SDRAM行周期时间&，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而 等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。　　因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。　　tRFC : Row Refresh Cycle Time　　可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。　　Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示&SDRAM行刷新周期时间&，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次 发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。　　通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。　　tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)　　可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。　　Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示&行单元到行单元的延时&。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。　　延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐 tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将 影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。　　tWR : Write Recovery Time　　可选的设置：Auto，2，3。　　Write Recovery Time (tWD)，表示&写恢复延时&。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预 充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电 操作，会导致数据的丢失及损坏。　　如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2;如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。　　tWTR : Write to Read Delay　　可选的设置：Auto，1，2。　　Write to Read Delay (tWTR)，表示&读到写延时&。三星公司称其为&TCDLR (last data in to read command)&，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。　　tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以 让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1;如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的 值设为1，如果系统不稳定，则改为2。　　tREF : Refresh Period　　可选的设置：Auto， ，其步进值非固定。　　Refresh Period (tREF)，表示&刷新周期&。它指内存模块的刷新周期。　　先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。　　mhz　　mhz　　mhz　　mhz　　---------------------　　mhz　　mhz　　mhz　　mhz　　---------------------　　mhz　　mhz　　mhz　　mhz　　---------------------　　mhz　　mhz　　mhz　　mhz　　---------------------　　mhz(15.6us)　　mhz(15.6us)　　mhz(15.6us)　　mhz(15.6us)　　---------------------　　mhz(7.8us)　　mhz(7.8us)　　mhz(7.8us)　　mhz(7.8us)　　---------------------　　mhz(3.9us)　　mhz(3.9us)　　mhz(3.9us)　　mhz(3.9us)　　---------------------　　mhz(1.95us)　　mhz(1.95us)　　mhz(1.95us)　　mhz(1.95us)　　如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为&SPD&(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需 手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存(即单颗容量为16MB的内存)，而7.8us适用于基于256兆位 内存芯片的内存(即单颗容量为32MB的内存)。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。　　另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是 电容 器，最小的存储单位是 bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写 一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法(行刷新)，每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新 一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。　　tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为mhz(?.??s)时，会得到最佳的性能/稳定性比。　　在这里小编要向大家道歉，由于字数的限制没有办法向大家展示完整的内存时序设置，对这个感兴趣的发烧友们可以去网上搜一下。如果是普通用户不就不需要太过于探究了，毕竟这属于对专业知识要求较高的，像普通用户只要知道如何去查看内存时序就好了，现如今的电脑内存一般不会限制电脑的速度，最后小编再跟大家说一声对不起。
最新更新栏目
您可能喜欢
大家都在搜内存时序修改教程_图文_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
内存时序修改教程
阅读已结束，下载本文需要
想免费下载更多文档？
定制HR最喜欢的简历
下载文档到电脑，方便使用
还剩15页未读，继续阅读
定制HR最喜欢的简历
你可能喜欢菜鸟必看 DDR2内存时序调节方法
我的图书馆
菜鸟必看 DDR2内存时序调节方法
先AUTO，然后从SPD的时序逐渐往下降。习惯上，降时序主参的顺序是：第一项（CL）---&第三项（tRP）---&第四项（tRAS）---&第二项（tRCD）出了第四项（tRAS）每次可以降1-3格，剩下的3个主参建议每次降1格，一般第二项（tRCD）可能会高于第一项（CL）和第三项（tRP）1-2格=======================================DDR2内存已经成为目前绝大部分用户的标配产品，而如何合理设置DDR2的参数就成为了不少用户（尤其是菜鸟用户）的最想了解的地方。当你超频的时候，如何平衡内存频率和参数之间的关系；究竟如何合理选取内存频率，什么参数才是带来最高性能呢？相信这些问题是目前最多用户最想了解。&
　　其实要了解这些东西，首先要明白DDR2内存在BIOS中的参数设置情况。因为要提高系统整体性能，并不只是简单超频CPU外频，调高内存频率这么简单，将一大堆数字合理地分配和组合才是最为重要的。目前市场上销售的DDR2内存主要按频率来划分，譬如DDR2
533、DDR2 667、DDR2 800就是消费者最常见的产品（注：部分厂商推出DDR2
1000高频DDR2内存，但这些DDR2内存在市场上并不多见，而价格昂贵，所以我们就暂时不讨论一些超频型DDR2内存）。在这三款内存产品当中，就数DDR2
667内存最为多人购买，因为它同时具备了性能、价格、兼容性这些特点，而DDR2 533已经逐步被DDR2
667所取代。
如果您的内存为镁光D9颗粒，请直接参考本站《镁光小D9内存超频调教全攻略》，如果您是DDR内存，请参考本站《教你如何调整DDR内存参数》
　　至于目前频率较高DDR2
800也逐渐成为玩家购买的对象，因为Intel双核心平台对高频DDR2内存有着极大需求，要发挥酷睿2最大威力，一条高频率、可运行高参数的DDR2内存是非常重要的。鉴于AMD
AM2处理器内置了DDR2内存控制器，所以AM2平台的DDR2设置方法与Intel平台有着不同。
　　最稳当的DDR2内存设置方法，就是在主板BIOS当中将DDR2的设置参数设为By
SPD，而这个选项也是最安全的DDR2内存设置方法。不过这个设置最大缺点是，没有将内存的潜力发挥出来，只是用安全换来相对较低的性能。如果你想超频手中的DDR2，那么By
SPD选项将不是你的设置的地方，手动调整才是你的手段。
　　以华硕P5B
Deluxe/WiFi-AP为例，将By SPD改成Disable之后，就会出现丰富的内存参数调整选项。
调出DDR2内存的参数
　　由于Intel在北桥芯片上集成DDR2内存控制电路，所以在内存设置参数方面就要比AMD平台少，譬如1T/2T Timing
Command Per Clock这个参数就不会出现在Intel
P965/975主板上（注：在最新的nForce680i主板当中，是提供了这个选项）。
　　在众多DDR2参数值里面，CAS Latency
Control（简称CL值）这个参数最为人们熟悉，很多玩家在超频的时候，就非常看重这个参数调整。从理论上说，这个CL值越低，内存跑的速度越快，但同时也增加了内存的不稳定性。在这里，笔者建议各位玩家在设置CL值的时候，要注意手中的内存承受能力。盲目将数值调低，是非常之不明智的做法。对于目前的DDR2平台来说，我们就认为选4、5这个两个CL值较为适宜，而3、6这两个CL值，前者对DDR2超频能力有着极高要求，并且需要加一定手段才达成，而后者则需要需要特定环境下才设定（譬如内存频率高达1G以上，CL值就要相应地调高）。
　　DRAM RAS# to CAS#
Delay（又称tRCD）、Row Precharge
Timing（又称tRP）这两个参数对于很多初级用户来说，是一些陌生参数。其实简单来说，tRCD、tRP参数是用来改善内存稳定性。假若tRCD、tRP数值越高，那么内存的稳定性将会更加好。通常最佳性能是2，最稳定的是6。
数值越高，就增加内存的稳定性
　　编辑提醒：这个数值对超频有起着非常关键的作用，当你将内存超频至非常高频率的时候，将tRCD和tRP值调低会增加超频成功机会。就算玩家不超频，将数值调高，也保障了系统的稳定性。对于广大用户来说，3、4、5这三个数值是最为保险的，而6这个数值多数在疯狂提高内存频率的时候使用。需要大家特别注意的是，tRP数值应该是与tRCD相等或者更少。
　　DRAM RAS# Activate to
Precharge（又称tRAS值）是一个颇具争议性的参数，而这个参数又与刚刚介绍的tRCD、tRP有着莫大关系。如果将tRAS调整不当，将会严重影响内存的整体情况。简单来说，tRAS值越低越好，而提高tRAS值也提高内存的稳定性。在调整tRAS值的时候，需要顾及CL值和tRCD值这个参数，这里有个公式可以供给大家参考。
　　tRAS=CL+tRCD+2（举例，当CL值设置为5、tRCD为5的时候，那么这时tRAS的最佳设定值为12）
　　由于部分主板厂商并没有提供tRAS值全部数值（理论上使1-18），所以大家要尽量调低tRAS值的时候，只能靠软件来帮助，其中最常用的软件为MemSet。
根据公式来计算出tRAS值
　　编辑提醒：tRAS值的调整不像刚才介绍DDR2内存那样固定，不同内存往往有不同的设定值，而大家也不要拘泥于数字上，根据自家内存的特点来设定才是王道。对于部分超频性能好的内存产品（譬如镁光D9系列），那么就更加需要用户多尝试，因为不同芯片的tRAS值往往有着天渊之别。
　　当大家调整好DDR2内存中的CL、tRCD、tRP、tRAS这四个最重要的参数之后，内存的基本潜能已经可以基本发挥出来，至于其他那些更加具体的参数，我们建议各位采用默认值（尽量采用Auto选项）。其实这些参数的调整对内存的影响并不如这四大参数明显，而调整其他参数对内存的性能带来的提升也不大。除了以上这几个参数之外，我们还要特别需要AMD
DDR2平台用户关注Command Rate这个参数，而这个参数通常会有1T、2T、Auto选项。
　　大家不要少看1T、2T这两个简单数值，因为这些数字的改变对内存超频或延迟优化有着极其重要作用。很多AMD玩家就非常在乎这个数值的选取，假若内存在高频低延时的情况下还可以跑1T，那么这条内存将会给玩家称之为极品。
　　编辑注释：Intel
965/975系列是不提供1T/2T选项，目前能在Intel平台打开内存1T/2T的主板只有nForce680i。
　　刚刚我们提及的DDR2内存设置技巧全部都是在主板bios里面设置，对于部分初级玩家来说，可能有一定难道。为了让更加多朋友了解DDR2内存参数设置，我们也提供了软件设置的介绍。只要大家点击“Memset超频工具”就可以下载到软超频的软件，而这个软件里面提供的选项比主流主板bios提供的还丰富。无论你是超频狂人也好，还是初级菜鸟，这个软件都可以帮你榨干手中的DDR2。
　　要将手中的DDR2发挥到极限，除了学会设置DDR2技巧之外，还要注意一些细节地方，譬如适当调整内存的工艺电压，以及为内存芯片颗粒额外加装散热装置（注：由于DDR2颗粒采用发热量少的FCBGA封装，所以在承受电压方面要比DDR好，而我们建议各位尽量不要将内存工作电压超过2.4V）。
　　我们就用一句话来形容DDR2参数技巧设置——参数越大越稳定，越少越高性能。
　　在上文的文章里面，我们介绍的是如何设置DDR2内存参数，那么以下我们就做一个小小评测，让大家看看这些数字的更改会对内存带来什么帮助。为求让大家看到参数对内存的影响，我们特意拿了一条非常普通的散装HY
DDR2 533内存来做测试，而主板就是用了华硕P5B Dulex WiFi/AP、奔腾D 820 2.8G，测试软件为Super
Pi（注：以下测试全部在默认1.8V下进行，Super Pi运算时间越短，代表内存性能越高）。
　　首先是CL值为3，其余参数为3（tRCD）－3（tPR）－8（tRAS）这个最高性能参数来运行Super Pi
104万运算截图，最后运算时间为49.328s。
　　其次是CL值为4，其余参数为4（tRCD）－4（tPR）－11（tRAS）这个普通性能参数来运行Super
Pi 104万运算截图，最后运算时间为49.812s。
　　最后是CL值为5，其余参数为6（tRCD）－6（tPR）－15（tRAS）这个降低性能加强稳定性的参数来运行Super
Pi 104万运算截图，最后运算时间为50.906s。
　　通过这个小小测试，就可以看出内存参数的改动对整体系统的重要性。大家千万不要以往super
Pi运算时间相差很少，就代表性能提升不明显。其实当你进行超频的时候，这些参数的改变更是是十分明显。如果你是不相信，不妨可以运行一些大型程序软件来验证一下。最后，祝愿各位朋友能发挥手中DDR2内存的最大潜能。
TA的最新馆藏[转]&[转]&[转]&[转]&[转]&[转]&
喜欢该文的人也喜欢