一个电路中三极管npn怎么判断是处于放大还是饱和？一个电路中三极管npn怎么判断是处于放大还是饱和？旅行科技之旅百家号判断一个电路中的三极管是工作于放大状态还是饱和状态很简单，你只要用电压表测量三极管集电极与发射极之间的压降即可。这里以常用的NPN型硅三极管为例，你这个图中的三极管电路是典型的共射极放大电路，图中电阻若选值合适，使三极管的基极电压比发射极电压高约0.5-0.7V，并且Rc阻值合适，这时管子的集电极与发射极之间的电压Uce一定＞1V，此时，三极管就工作于线性放大状态。若Rb1、Rb2取值不合适，导致偏置电流Ib过大，这时，三极管的集电极电流Ic便会增大，从而导致Rc上压降增大。若该压降增大到使三极管集电极-发射极之间的电压Uce＜1V，此时三极管便处于饱和状态，从而失去了线性放大作用。若该电压低于0.3V，三极管便处于深度饱和状态。顺便说一下，一般作为线性放大器使用时，都将三极管的Uce选择在电源电压处，这样可以获得最大的线性动态范围。本文由百家号作者上传并发布，百家号仅提供信息发布平台。文章仅代表作者个人观点，不代表百度立场。未经作者许可，不得转载。旅行科技之旅百家号最近更新：简介:天文学家探索宇宙奥秘作者最新文章相关文章如何区分NPN和PNP电路，两者又有什么联系？
NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得&专业&一点，就是&极性&问题。
NPN 是用 B&E 的电流（IB）控制 C&E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即 VC & VB & VE
PNP 是用 E&B 的电流（IB）控制 E&C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即 VC & VB & VE
总之 VB 一般都是在中间，VC 和 VE 在两边，这跟通常的 BJT 符号中的位置是一致的，你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻，但电压方向和电流方向同样是一致的，不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。
如今流行的电路图画法，通常习惯&阳上阴下&，也就是&正电源在上负电源在下&。那NPN电路中，E 最终都是接到地板（直接或间接），C 最终都是接到天花板（直接或间接）。PNP电路则相反，C 最终都是接到地板（直接或间接），E 最终都是接到天花板（直接或间接）。这也是为了满足上面的VC 和 VE的关系。一般的电路中，有了NPN的，你就可以按&上下对称交换&的方法得到 PNP 的版本。无论何时，只要满足上面的6个&极性&关系（4个电流方向和2个电压不等式），BJT电路就可能正常工作。当然，要保证正常工作，还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件，即所谓&工作点&条件。
对于NPN电路：
对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作&固定&参考点，通过控制VB来控制VBE（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC（从电位更高的地方流进C极，你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗）。
对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VBE（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC。
如果所需的输出信号不是电流形式，而是电压形式，这时就在 C 极加一个电阻 RC，把 IC 变成电压 IC*RC。但为满足 VC&VE， RC 另一端不接地，而接正电源。
而且纯粹从BJT本身角度，而不考虑输入信号从哪里来，共射组态和共基组态其实很相似，反正都是控制VBE，只不过一个&固定& VE，改变VB，一个固定VB，改变VE。
对于共射组态，没有&固定参考点&了，可以理解为利用VBE随IC或IE变化较小的特性，使得不论输出电流IE怎么变化（当然也有个限度），VE基本上始终跟随VB变化（VE=VB-VBE），VB升高，VE也升高，VB降低，VE也降低，这就是电压跟随器的名称的由来。
PNP电路跟NPN是对称的，例如：
对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作&固定&参考点，通过控制VB来控制VEB（VEB=VE-VB），从而控制IB，并进一步控制IC（从C极流向电位更低的地方，你也可以把C极看作朝下的出水管）。
对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VEB（VEB=VE-VB），从而控制IB，并进一步控制IC。
上面所有的VE的&固定&二字都加了引号。因为E点有时是串联负反馈的引入点，这时VE也是变化的，但这个变化是反馈信号，即由VB变化这个因造成的果。
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图 具有限流功能的PNP
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一、实验目的
1．测量NPN管分压偏置电路的静态工作点。
pnp三极管符号
npn三极管符号
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单级没有这么接的，你相当于射极接了大电阻，射极反馈，Gm=gm/1+gmR，你接了大电阻，R为无穷大，整体的跨导约等于0，哪里还有增益。
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AT high frequencies I often find improvements using HBT current mirrors other than MOS ones.
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如果是single ended的电路 没有这么接的吧 3楼已经说了原因了 高频增益上升 是因为 MOS的电容 起了一定的短路作用 所以 degeneration变小了
接差分的肯定可以 因为差分的地在对称点处 接的这个电流源对差分信号没有影响
LZ卫生不把这个MOS电流源接到 C 端去
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<td class="t_msgfont" id="postmessage_, 发射极连接电阻或者是MOS开关，相当于减小单级GM
2, 差分的交流地在NPN的射及
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弱弱问一个，IBM的SiGe BiCMOS工艺对外开放吗？
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非常感谢大家的回复，我明白了；有时候自己陷进去就有点糊涂啦！
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CMOS 用於低速.
BiCMOS 用於高|量
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NPN型三极管的电路解析
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如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时，基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻)，那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0，不能再减小了)。而加上偏置，事先让集电极有一定的电流，当输入的基极电流变小时，集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时，集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图，因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么最大电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时，三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止)，相当于开关断开;当基极电流很大，以至于三极管饱和时，相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。如果我们在上面这个图中，将电阻Rc换成一个灯泡，那么当基极电流为0时，集电极电流为0，灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β)，三极管就饱和，相当于开关闭合，灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了，所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加，那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。但是在实际使用中要注意，在开关电路中，饱和状态若在深度饱和时会影响其开关速度，饱和电路在基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和，远大于集电极电流时是深度饱和。因此我们只需要控制其工作在浅度饱和工作状态就可以提高其转换速度。对于PNP型三极管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来——变成朝里的了。
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一个电路教会你设计NPN三极管放大电路
　　现在踏足到消费类电子，为了保持超高的性价比，在日常设计中经常用分离元器件。比如声音功放，需要一个电压和电流放大，两个几个电阻电容完成。但是后端还需要DSP的处理了。别的不说，现在就分析下设计的前前后后。本文引用地址：
　　我们常见的交流信号放大电路如图所示：
　　首先要计算出静态工作点：
　　对于交流信号，我们进行如下分析：假如输入电压引变化 ，则射极电流变化 ，由于 ，那么集电极上变化的电压为
　　由于C2为“隔直通交”的作用，在基极引入的直流电压被过滤掉，通过整理可以得到电路的放大倍数为
　　从上式中可以看出，R4与电路的放大倍数成反比，也就是我们常说的负反馈，因此该电路就是经典的共射负反馈电路，R4为发射极反馈电阻。由于负反馈的引入，该电路在R4电阻的作用下可以有效的抑制晶体管hef的分散性和由温度引起的Vbe变化而产生的发射极电流的变化，即常说的负反馈增加了系统的稳定性。
　　在实际的电路设计中，利用以上的计算公式和选取三极管的数据手册，可以实现简单的，满足功能需求的三极管放大电流。如下图为2SC2412的数据手册，在该手册中可以看出三极管的耐压最大值和电流最大值，这在电路设计中很重要。比如Vbeo为7v，如果在设计中没有注意到这个限制，采用了高于7v的输入电压，那么就会烧毁三极管。还有另外一个需要注意的就是Ic的大小， 2SC2412的Ic最大为150mA，在设计中如果没有注意到这个参数，使Ic过大，也会引起烧毁三极管的结果。
　　上图描述的是2SC2412的频率特性：频率特性与发射极之间的电流关系。其中纵坐标ft为晶体管的特征频率，是交流电流放大系数为1时的频率。从图中可以看出早80-450Mhz之间，发射极电流Ie有很大的变化。为获得好的频率曲线，在20mA—40mA该款晶体三极管的频率特性最好。因此，找一款适合设计的晶体管，特征频率表也是硬件工程师的一项工作。
　　在实际电路的设计中，通常会遇到削顶或削底的现象： Vc的数学表达式为
　　从数学角度看，Vc变化可以从0—Vcc，当R3的阻值过大时，去极限0，那么在Vc的电压表现中表现为电压曲线为一条直线0，这就是削底失真。相反，如果R3过小，会发生削顶失真。为了简化设计中碰到的这些问题，在设计电路中通常将Vc的电位设置在0—Vcc之间，这样，在一定程度上减小了失真现象的产生。
　　另外一个需要注意的事项是基极偏置电阻的确定。在确定基极偏置电阻时候，需要明确两个事情：a、晶体三极管的基极电流是集电极电流的1/hef，b、基极偏置电阻组成的回路中流过的电流要比晶体三极管基极电流大10倍以上，才能忽略基极电流，通常为了方便，取一个合适、便于计算的数值。
　　关于耦合电容的选取也要有严谨的态度。从事实角度看，需要从三极管的等效模型来进行分析：C1与输入电阻组成一个高通的滤波电路，输出电阻和C2也构成同样性质的电流。因此，在确定C1的大小时，需要根据
　　进行计算。对于Rin来说，是R1、R2和R4等效后电阻的并联值。对于确认C2时，需要考虑负载的特性，因为不同的负载特性会影响滤波器的截止频率。
　　至此，三极管设计的基本关键点已经完成，在实际设计中，在这些基础之上，能完成性能更加完善的电路。
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