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是真的,你要不是985月薪5k都不到。。劝题主去学生物,沿海地区保底可以开到200k/yr
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泻药,我比较适合回答读博读到头发都掉光是什么样一种体验。体验大概就是&br&&img src=&/ecf32efe56342_b.png& data-rawwidth=&1333& data-rawheight=&666& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1333& data-original=&/ecf32efe56342_r.png&&
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横跨北美,亚,欧,非,大洋,五大洲
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NAND是利用浮栅晶体管作为基本元件的,电荷是存储物理量。Xpoint应该是用的相变材料或者阻变材料(一些氧化物有这些特性),两种材料都有可编程和非易失的特性,利用电导率作为存储物理量。&br&有猜测Xpoint是crossbar结构的PCM而不是RRAM。两家已经合作在PCM上攻坚多年了,之前Micron也一度接近推出产品化的PCM,后来似乎是reliability的问题撤回了。RRAM目前工业界学术界都还处于探索阶段,两家应该不敢贸然强行出产品,一旦出产品,也应该是DRAM层级而不是NAND。
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1 Mississippi, 2 Mississippi, 3 Mississippi, etc...
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泻药。。 cpu主频提升与否和memory种类无关。主频目前主要由于frequency wall受限制于功耗和能量密度,无法在保持晶体管温度在可接受范围内的情况下无限增大主频,所以才有了多核的妥协。另一方面memory wall导致CPU对memory的读写非常昂贵,忆阻器的价值在于取代DRAM提升读写速度,以及非易失带来的低功耗优势,对提升主频没有什么帮助。
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STTMRAM应该是最promising的,速度最快,稳定性最好,最有可能成为的SRAM的替代品,甚至有潜力发展到整个memory hierarchy,缺点是器件结构和工艺非常复杂。 Scaling seems to be another issue?&br&&br&RRAM的resistive swithing原理至今还没有被fully understood, 关于filament formation的解释也是层出不穷。速度上次之,稳定性逊于STT,器件结构非常简单(一般为3-layer 2-terminal device),和CMOS完美兼容,目前cycleablity还上不去,但可能作为NAND Flash或者DRAM替代品。&br&&br&PCRAM is dying, again. Micron一度接近将其产品化,但最终撤回。PCRAM器件结构比较简单,原理也被研究的很透彻了。主要缺点为写速度相对于读速度慢太多,稳定性也一般。由于对RESET操作有fast thermal quenching的要求, 很难和CMOS工艺完全兼容。以后可能作为NOR Flash的替代品,或者NAND Flash和DRAM之间的cache,在Reconfigurable logic领域可能会有更多作为。&br&&br&以后想到啥再补充。
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问题不知道,反正答案是42
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加盟也要按照基本法啊
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据我所知国内确实有拍照后逆向绘版图的研究。但你要说逆向一个i7啥的就完全不可能了。且不说billion级的管子的工作量,光把那10+的 interconnec layers识别出来就是一个很serious的领域了。目前靠人工蛮力也就逆向一下某些模拟ic还行。&br&退一万步说你解决了架构和设计并且不存在任何ip问题,就凭目前国内最好的SMIC 28nm你能和人14nm拼么。。。国产CPU在架构设计制程上都是全方位落后的
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Andrew Ng不是说这就像担心人类过度殖民火星么。。
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因为给哔10分,不给哔0分
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你想多了,学物理的还怕智商不够学计算机?多刷刷题习惯下就好了
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虽然大家都3am才坐shuttle回家, 但是也3pm才来学校啊
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我的我的!!&br&好板!!&br&这还没规?!
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google CMU ECE 18447, 所有slides, labs网上都能搜到,youtube有所有lectures的视频,需要组成原理和数电知识做先修。整个labs你能坚持下来,可以搞出简单cpu了。然后用verilog在fpga上实现,自己加些io。part time一年搞定应该没啥问题
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机械单元搭布尔逻辑门,把电学信号全部转成力学信号来想。动力源用踩/推/拉/上发条/蒸汽/高压空气/灵力/老鼠/磁榫/黑火。。。
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